Łukasiewicz-ITE otrzymał od NCBR środki na realizację międzynarodowego projektu OxyGaN w ramach m-era.NET
Celem projektu jest zwiększenie wydajności niebieskich i niebiesko-fioletowych diod laserowych opartych na GaN poprzez wprowadzenie nowego rodzaju kontaktów z zastosowaniem przezroczystego tlenku przewodzącego o dopasowanej przerwie energetycznej, ZnMgO:Al, oraz inżynierii międzypowierzchni kontaktu. Opracowane zostaną struktury kontaktowe pozwalające na pokonanie standardowych barier związanych z formowaniem kontaktów omowych w wertykalnych przyrządach opto/elektronicznych opartych na GaN. W szczególności opracowane struktury pozwolą na zwiększenie wydajności przyrządów poprzez utworzenie stabilnych kontaktów omowych zarówno do powierzchni typu n oraz p, jednocześnie stanowiących metalizację oraz falowód dla warstw p-GaN. Co więcej, kontakty te zostaną wytworzone z zastosowaniem uproszczonej integracji procesowej i z uwzględnieniem oszczędności stosowania metali rzadkich. Kroki technologiczne opracowane w projekcie zostaną ostatecznie zintegrowane w demonstrator diody laserowej w obudowie, a technologia zostanie przygotowana do wdrożenia na linii produkcyjnej jednego z członków konsorcjum, co umożliwi produkcję bardziej wydajnych energetycznie diod dla przemysłu samochodowego, wyświetlaczy, spawania czy kształtowania wzorów przy obniżonych kosztach oraz odpowiedzialnej gospodarce zasobami.
Projekt realizowany jest w konsorcjum międzynarodowym. Liderem konsorcjum jest: Łukasiewicz – Instytut Technologii Elektronowej. Z Polski w skład konsorcjum realizującego projekt wchodzą Instytut Wysokich Ciśnień PAN oraz firma TOP-GAN Sp. z o.o. W składzie konsorcjum znalazło się dwóch liczących się na arenie międzynarodowej partnerów zagranicznych: Centre for Energy Research, Węgry oraz Technion - Israel Institute of Technology, Izrael.
Całkowita wartość projektu 509 000 EUR. Na realizację projektu Łukasiewicz-ITE, IWC PAN i TopGan lasers otrzymały od NCBR łącznie 1 204 900 zł z czego Łukasiewicz-ITE otrzymał 433 078 zł.