⇚ powrót
prof. dr hab. Andrzej TUROS, Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych Narodowe Centrum Badań Jądrowych
wygłosi wykład pt.:
"Implantacja jonów w półprzewodnikach szerokoprzerwowych: GaN i ZnO"
Wykład odbędzie się w ramach serii wykładów specjalnych Studium Doktoranckiego ITE
Streszczenie
Zaproszenie na seminarium
0000-00-00
W poniedziałek 22 maja br. o godz. 09:00 w sali konferencyjnej ITE, sala 120, bud. VI, Al. Lotników 32/46prof. dr hab. Andrzej TUROS, Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych Narodowe Centrum Badań Jądrowych
wygłosi wykład pt.:
"Implantacja jonów w półprzewodnikach szerokoprzerwowych: GaN i ZnO"
Wykład odbędzie się w ramach serii wykładów specjalnych Studium Doktoranckiego ITE
Streszczenie