Wiadomości

⇚ powrót

NOWE OSIĄGNIĘCIA PRACOWNIKÓW ITE: Przezroczyste tranzystory MESFET na podłożach elastycznych

W ramach projektu InTechFun opracowano technologię przezroczystych tranzystorów MESFET wytwarzanych na elastycznych podłożach. Przyrządy wykonano na podłożu politereftalanu etylenu (PET). Warstwę aktywną stanowi In-Ga-Zn-O (IGZO)- materiał z grupy przezroczystych amorficznych półprzewodników tlenkowych. Kontakty źródła i drenu wytworzono z tlenku indowo-cynowego. Elektrodę bramki tranzystora tworzącą złącze Schottky’ego do IGZO wykonano z amorficznego tlenku rutenowo-krzemowego. Twórcami osiągnięcia są pracownicy ITE: mgr inż. J. Kaczmarski, mgr inż.J. Grochowski, prof. E. Kamińska, mgr inż. A. Taube, prof. A. Piotrowska.

O innych osiągnięciach pracowników ITE można przeczytać na stronie Osiągnięcia.


Skip to content