Wiadomości

NOWE OSIĄGNIĘCIA PRACOWNIKÓW ITE: Sensor gazów toksycznych oparty na zjawisku fotonapięcia powierzchniowego

W ramach koordynowanego przez ITE projektu InTechFun w Instytucie Elektroniki Politechniki Śląskiej w Gliwicach, we współpracy z firmą SemiInstruments w Zabrzu opracowano konstrukcję nowego typu sensora gazów toksycznych opartego na rejestracji efektu fotonapięcia...
czytaj więcej

NOWE OSIĄGNIĘCIA PRACOWNIKÓW ITE: Przezroczyste tranzystory MESFET na podłożach elastycznych

W ramach projektu InTechFun opracowano technologię przezroczystych tranzystorów MESFET wytwarzanych na elastycznych podłożach. Przyrządy wykonano na podłożu politereftalanu etylenu (PET). Warstwę aktywną stanowi In-Ga-Zn-O (IGZO)- materiał z grupy przezroczystych amorficznych półprzewodników tlenkowych. Kontakty...
czytaj więcej

Komunikat Komisji Konkursowej

Informacja o przebiegu konkursu na stanowisko Dyrektora ITE Treść komunikatu
czytaj więcej

Publikacja z udziałem Macieja Węgrzeckiego wśród 'Top Ten Physics News Stories in 2014'

Miło nam poinformować, że publikacja w Physical Review Letters vol. 112, 172501 pt. "48Ca+249Ba Fusion Reaction Leading to Element Z=117: Long-Lived α-Decaying 270Db and Discovery of 266Lr" z udziałem Macieja Węgrzeckiego z Naszego...
czytaj więcej

Wkład ITE w podbój kosmosu. Eksploracja kosmosu wśród 'Top Ten Physics News Stories in 2014'.

Z przyjemnością informujemy, że na misję Rosetta poleciały opracowane i wykonane w ITE elementy wykonanego przez CBK PAN urządzenia MUPUS, które po dziesięcioletnim locie i pokonaniu 6 mld km właśnie wylądowało na odległej...
czytaj więcej

Pol-HEMT: Tranzystory mikrofalowe na GaN - szansa dla Polski

Dodatek Dziennika Gazeta Prawna - 'Liderzy Innowacyjności' z 19 grudnia 2014 jest całkowicie poświęcony istotnej roli, jaką mogą odegrać dla przyszłości polskiego przemysłu radiolokacyjnego, opracowywane przez konsorcjum Pol-HEMT tranzystory mikrofalowe na monokrystalicznym podłożu...
czytaj więcej

Nagroda Specjalna Instytucja 25-lecia Wolności dla Instytutu Technologii Elektronowej

Nasz Instytut otrzymał nagrodę specjalną "Instytucja 25-lecia Wolności RP" przyznaną decyzją Rady Programowej Narodowego Programu Promocji Przedsiębiorczości i Zarządu Mazowieckiego Zrzeszenia Handlu, Przemysłu i Usług.
czytaj więcej

Nominacja na członka Mazowieckiej Rady Innowacyjności

Uprzejmie informujemy, że dr inż. Piotr Grabiec, prof. nadzw. ITE, Zastępca Dyrektora ITE ds. Oddziału w Piasecznie został nominowany na członka Mazowieckiej Rady Innowacyjności. Mazowiecka Rada Innowacyjności jest zespołem opiniodawczo - doradczym Zarządu...
czytaj więcej

KONKURS NA STANOWISKO DYREKTORA INSTYTUTU TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ

Rada Naukowa Instytutu Technologii Elektronowej z siedzibą w Warszawie ogłasza konkurs na stanowisko Dyrektora Instytutu Technologii Elektronowej. Treść ogłoszenia
czytaj więcej

Uroczysta inauguracja działalności Centrum Mikrosystemów i Nanotechnologii MINTE

7-go listopada 2014 r. Oddziale Instytutu Technologii Elektronowej w Piasecznie odbyła się uroczysta inauguracja działalności Centrum Mikrosystemów i Nanotechnologii MINTE. Projekt „Mikrosystemy i Nanotechnologie Elektroniczne dla Innowacyjnej Gospodarki” był sfinansowany przez Unię Europejską...
czytaj więcej
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16