Wiadomości

⇚ powrót

Pol-HEMT: Tranzystory mikrofalowe na GaN - szansa dla Polski

Pol-HEMT Dodatek Dziennika Gazeta Prawna - 'Liderzy Innowacyjności' z 19 grudnia 2014 jest całkowicie poświęcony istotnej roli, jaką mogą odegrać dla przyszłości polskiego przemysłu radiolokacyjnego, opracowywane przez konsorcjum Pol-HEMT tranzystory mikrofalowe na monokrystalicznym podłożu azotku ganu. Wśród interesujących wywiadów znajduje się wywiad z prof. dr hab. inż. Anną PIOTROWSKĄ z Naszego Instytutu, koordynatorem projektu Pol-HEMT.

Liderzy Innowacyjności Nr 33 Grudzień 2014