Patents

• Patent: Struktura półprzewodnikowa
  M. Ekielski, M. Kaminski, A. Trajnerowicz, A. Taube No patent: PAT.241027

» return

• Patent: Sposób wytwarzania otworu przelotowego w strukturze półprzewodnikowej
  M. Ekielski, M. Kaminski, A. Trajnerowicz, A. Taube No patent: PL.238875

» return

• Patent: Sposób wytwarzania porowatej warstwy na bazie cynku
  M. Maslyk, M. Borysiewicz No patent: PAT.234012

» return

• Patent: Struktura przezroczystego detektora nadfioletu oraz sposób wytwarzania struktury przezroczystego detektora nadfioletu
  M. Guziewicz, W. Jung, E. Guziewicz, E. Przezdziecka, R. Schifano, T. Krajewski No patent: 227759
• Patent: Sposób określania składu chemicznego i koncentracji gazów oraz czujnik do określania składu chemicznego i koncentracji gazów
  M. Kaczmarczyk No patent: 227928
• Patent: Sposób wykonania ograniczenia promieniowania w strukturach laserów kaskadowych z falowodem plazmonowym
  A. Szerling, K. Kosiel, M. Kozubal, M. Mysliwiec, R. Kruszka No patent: 227929
• Patent: Sposób domieszkowania na typ n nanostrukturalnej warstwy półprzewodnikowej ZnO
  M. Borysiewicz, E. Kaminska No patent: 230421
• Patent: Układ do monitorowania poziomu glukozy w organizmie człowieka oraz sposób wykonania elementu czujnikowego tego układu
  J. Kaczmarski, M. Borysiewicz No patent: PAT.230109

» return

• Patent: Sposób wytwarzania przezroczystego tranzystora MESFET
  J. Kaczmarski, J. Grochowski, E. Kaminska No patent: 225166
• Patent: Kontakt elektryczny do badania materiałów osadzonych na podłożu izolacyjnym
  W. Jung No patent: 225625
• Patent: Sposób wytwarzania przezroczystej amorficznej warstwy półprzewodnika tlenkowego indowo-galowo-cynkowego (IGZO) o rozwiniętej powierzchni
  J. Kaczmarski, J. Grochowski No patent: 226625

» return

• Patent: Sposób wykonania wzorów trójwymiarowych dla technologii przyrządów półprzewodnikowych
  M. Ekielski, Z. Sidor, M. Juchniewicz No patent: 222706
• Patent: Dwumodowa heterostruktura lasera półprzewodnikowego pompowanego optycznie
  J. Muszalski, A. Broda, A. Wojcik-Jedlinska, A. Trajnerowicz No patent: 223466

» return

• Patent: Sposób wytwarzania tranzystora HEMT
  M. Ekielski, Z. Sidor, M. Juchniewicz No patent: 220518

» return

• Patent: Struktura półprzewodnikowa na bazie ZnO z barierą Schottkyego
  E. Kaminska, A. Piotrowska No patent: 218054
• Patent: Sposób wykrywania napromieniowania neutronami krzemu
  W. Jung, A. Misiuk, J. Bak-Misiuk, B. Surma, C.A. Londos No patent: 218404
• Patent: Struktura półprzewodnikowa z reaktywną barierą antykorozyjną oraz sposób wytwarzania bariery antykorozyjnej
  E. Kaminska, A. Piotrowska, M. Borysiewicz, I. Pasternak No patent: 219258
• Patent: Target do wytwarzania przezroczystych warstw półprzewodnikowych ZnIrSiO oraz sposób wytwarzania targetu
  E. Kaminska, A. Piotrowska No patent: 219259
• Patent: Metalizacja do półprzewodnikowych materiałów termoelektrycznych na bazie PbTe oraz sposób wykonania tej metalizacji
  M. Guziewicz, E. Kaminska No patent: 219371
• Patent: Sposób łączenia półprzewodnikowych struktur laserowych z radiatorami odprowadzającymi ciepło
  P. Karbownik, A. Szerling, A. Wojcik-Jedlinska, K. Kosiel, A. Baranska, E. Pruszynska-Karbownik, A. Trajnerowicz No patent: 219409
• Patent: Nanokrystaliczna warstwa ZnIrSiO oraz sposób wytwarzania tej warstwy
  E. Kaminska, A. Piotrowska, J. Grochowski No patent: 219948

» return

• Patent: Sposób wytwarzania półprzewodnikowej warstwy tlenku cynku
  E. Kaminska, A. Piotrowska, J. kossut No patent: 215571
• Patent: Sposób wytwarzania wąskich ścieżek krzemowych
  M. Zaborowski, P. Grabiec, A. Panas, K. Skwara, D. Szmigiel No patent: 215875
• Patent: Źródło modulowanego promieniowania podczerwonego oraz matryca źródeł promieniowania podczerwonego
  R. Grodecki, W. Jung, T. Piotrowski, J. Pultorak, S. Sikorski, M. Wegrzecki No patent: 216729
• Patent: Sposób wykrywania napromieniowania krzemu elektronami
  J. Bak-Misiuk, J. Felba, W. Jung, I.E. Megela, A. Misiuk, M. prujszczyk, B. Surma No patent: 216858

» return

• Patent: Przezroczysty kontakt omowy i sposób wytwarzania przezroczystego kontaktu omowego
  K. Golaszewska-Malec, E. Kaminska, A. Piotrowska, R. Kruszka No patent: 213852
• Patent: Sposób pasywacji powierzchni tranzystorów polowych
  E. Kaminska, A. Piotrowska No patent: 214047
• Patent: Układ detekcji siły w półprzewodnikowych strukturach mikromechanicznych
  P. Grabiec, J. Lysko, P. Dumania, T. Budzynski, D. Szmigiel, M. Grzywacki, K. Skwara, R. Dobrowolski No patent: 214048
• Patent: Sposób wytwarzania wielowarstwowej struktury półprzewodnikowej
  E. Papis-Polakowska, A. Piotrowska, E. Kaminska No patent: 214049
• Patent: Sposób wytwarzania detektora na podłożu GaSb
  E. Papis-Polakowska, A. Piotrowska, E. Kaminska, R. Kruszka No patent: 214050

» return

• Patent: Sposób wytwarzania warstwy typu n w płytce krzemowej typu p
  W. Jung, A. Misiuk, I.V. Antonova No patent: 210683
• Patent: Sposób otrzymywania półprzewodnikowej warstwy tlenku cynku typu p
  E. Kaminska, A. Piotrowska, I. Pasternak No patent: 210944

» return

• Patent: Sonda do badania własności fizycznych materiałów półprzewodnikowych
  W. Jung No patent: 201930

» return

• Patent: Sposób wytwarzania przezroczystej warstwy przewodzącej typu p w przyrządach półprzewodnikowych
  E. Kaminska, A. Piotrowska No patent: 200058
• Patent: Urządzenie do mocowania linijek z półprzewodnikowymi strukturami laserowymi
  I. Wojcik No patent: 200074
• Patent: Sposób wytwarzania optoelektronicznej wielowarstwowej struktury półprzewodnikowej
  M. Piskorski No patent: 200077

» return

• Patent: Sposób wytwarzania wielowarstwowej struktury półprzewodnikowej
  M. Piskorski No patent: 198374

» return

• Patent: Sposób nakładania na podłoże półprzewodnikowe warstw elektrycznie przewodzących z szścioborku lantanu
  I. Wojcik No patent: 193656
• Patent: Sposób wytwarzania kontaktów omowych
  E. Kaminska, A. Piotrowska No patent: 194171

» return

• Patent: Sposób wytwarzania warstwy typu p w płytce krzemowej typu n.
  W. Jung, I.V. Antonova, A. Misiuk No patent: 187386

» return

• Patent: Sposób wytwarzania kontaktów omowych w przrządzie półprzewodnikowym
  E. Kaminska, A. Piotrowska No patent: 182367
• Patent: Sposób wytwarzania kontaktu omowego w źródłach promieniowania z półprzewodników AIII BV
  A. Piotrowska, E. Kaminska No patent: 182430

» return

• Patent: Sposób łączenia struktur półprzewodnikowych z obwodami drukowanymi dużej i średniej mocy
  A. Szczesny No patent: 180957

» return

• Patent: Sposób przyspieszonej zmiany rezystywności monokrystalicznego krzemu otrzymanego metodą Czochralskiego
  W. Jung, A. Misiuk No patent: 176441

» return