Publications

» 2022

  • P13709: M. Kozubal, K. Pagowska, A. Taube, R. Kruszka, M. Maslyk, E. Kaminska: “Ohmic Contact Formation to GaN by Ge+ Implantation Doping: Implantation Fluence and Encapsulation Layer Studies”, Materials Science in Semiconductor Processing, vol.146, (2022).

» return

» 2021

  • P13540: R. Kisiel, M. Guziewicz, A. Taube, M. Kaminski, M. Sochacki: “Development of Assembly Techniques for Connection of AlGaN/GaN/Si Chips do DBC Substrate”, Circuit World, vol.47, nr.2, (2021).
  • P13579: K. Pagowska, M. Kozubal, A. Taube, R. Kruszka, M. Kaminski, N. Kwietniewski, M. Juchniewicz, A. Szerling: “The Interplay between Damage- and Chemical-induced Isolation Mechanism in Fe+ Implanted AlGaN/GaN HEMT Structures”, Materials Science in Semiconductor Processing, vol.127, (2021).
  • P13583: M. Kozubal, K. Pagowska, A. Taube, R. Kruszka, I. Sankowska, E. Kaminska: “Ohmic Contact Formation to GaN by Si+ Implantation Doping: Retarding Layer, Implantation Fluence, Encapsulation, and Activation Annealing Temperature Studies”, Materials Science in Semiconductor Processing, vol.122, (2021).

» return

» 2019

  • P13330: K. Pagowska, M. Kozubal, A. Taube, A. Trajnerowicz, R. Kruszka, K. Golaszewska-Malec, E. Dynowska, R. Jakiela, A. Barcz: “Analysis of Defect Structure in GaN Epilayers Doped with Si Ion Implantation by RBS/c”, Nuclear Instruments & Methods in Physics Res. B, vol.450, (2019).
  • P13482: J. Kaczmarski, J. Jankowska-Sliwinska, M. Borysiewicz: “IGZO MESFET with Enzyme-Modified Schottky Gate Electrode for Glucose Sensing”, Japanese Journal of Applied Physics, vol.58, nr.9, (2019).

» return

» 2018

  • P13320: M. Guziewicz, K. Pagowska, A. Laszcz, M. Mysliwiec: “Reliability of Cu-Based Interconnections for Power Devices”, (2018).
  • P13353: J. Kaczmarski, A. Taube, M. Borysiewicz, M. Mysliwiec, K. Piskorski, K. Stiller, E. Kaminska: “Transparent Ru-SiO/In-Ga-Zn-O MESFETs on Flexible Polymer Substrates”, IEEE Transactions on Electron Devices, vol.65, nr.1, (2018).
  • P13354: J. Kaczmarski, M. Borysiewicz, K. Piskorski, M. Wzorek, M. Kozubal, E. Kaminska: “Flexible IGZO Schottky Diodes on Paper”, Semiconductor Science and Technology, vol.33, (2018).
  • P13386: M. Kwoka, B. Lyson-Sypien, A. Kulis, M. Maslyk, M. Borysiewicz, E. Kaminska, J. Szuber: “Surface Properties of Nanostructured, Porous ZnO Thin Films Prepared by Direct Current Reactive Magnetron Sputtering”, Materials, vol.11, nr.1, (2018).
  • P13392: M. Maslyk, M. Borysiewicz, K. Pagowska, M. Wzorek, M. Ekielski, E. Kaminska: “The Influence of an Ultrathin Ni Interface Layer on the Performance of GaN-Based 380 nm UV LED with Sputtered Zn1-xMgxO:Al Transparent p-Type”, Thin Solid Films, vol.649, (2018).
  • P13449: W. Wojtasiak, M. Goralczyk, D. Gryglewski, M. Zajac, R. Kucharski, P. Prystawko, A. Piotrowska, M. Ekielski, E. Kaminska, A. Taube, M. Wzorek: “AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors on Semi-Insulating Ammono-GaN Substrates with Regrown Ohmic Contacts”, Micromachines, vol.9, nr.11, (2018).

» return

» 2017

  • P13216: M. Wasiak, J. Walczak, M. Motyka, F. Janiak, A. Trajnerowicz, A. Jasik: “Below-Band-Gap Absorption in Undoped GaAs at Elevated Temperatures”, Optical Materials, vol.64, (2017).
  • P13297: A. Szerling, K. Kosiel, M. Szymanski, P. Prokaryn, M. Pluska, A. Trajnerowicz, M. Sakowicz, P. Karbownik, Z. Wasilewski, K. Golaszewska-Malec, M. Kozubal, R. Kruszka: “Technologia wytwarzania terahercowych laserów kaskadowych”, (2017).
  • P13341: A. Piotrowska, B. Mroziewicz, M. Pilch, M. Bugajski, J. Kaniewski, M. Borysiewicz, K. Golaszewska-Malec, J. Kaczmarski, E. Kaminska, A. Taube, H.M. Przewlocki, D. Tomaszewski, W. Krol, P. Dumania, D. Szmigiel, I. Wegrzecka, M. Wegrzecki, G. Janczyk, J. Klamka, J. Swiderski, A. Czerwinski, J. Ratajczak, A. Laszcz, M. Pluska, M. Wzorek, P. Guzdek, D. Szwagierczak, J. Kulawik, A. Skwarek, K. Zaraska, J. Walczak-Zlotkowska: “Pięćdziesiąt lat Instytutu Technologii Elektronowej 1966-2016”, lanl.arXiv.org/cond-mat/0306671, (2017).
  • P13349: A. Szerling, K. Kosiel, M. Szymanski, P. Prokaryn, M. Pluska, A. Trajnerowicz, M. Sakowicz, P. Karbownik, Z. Wasilewski, K. Golaszewska-Malec, M. Kozubal, R. Kruszka: “Technologia wytwarzania terahercowych laserów kaskadowych”, Przegląd Elektrotechniczny, vol.93, nr.8, (2017).
  • P13351: A. Szerling, R. Kruszka, K. Kosiel, M. Wzorek, K. Golaszewska-Malec, A. Trajnerowicz, P. Karbownik, M. Kuc, T. Czyszanowski, M. Walczakowski, N. Palka: “Al0.45Ga0.55As/GaAs-Based Single-Mode Distributed-Feedback Quantum-Cascade Lasers with Surface Gratings”, Journal of Nanophotonics, vol.11, nr.2, (2017).
  • P13352: A. Szerling, R. Kruszka, K. Kosiel, M. Wzorek, K. Golaszewska-Malec, A. Trajnerowicz, P. Karbownik, M. Kuc, T. Czyszanowski, M. Walczakowski, N. Palka: “Al0.45Ga0.55As/GaAs-Based Single-Mode Distributed-Feedback Quantum-Cascade Lasers with Surface Gratings”, (2017).
  • P13359: M. Borysiewicz, M. Wzorek, M. Ekielski, J. Kaczmarski, T. Wojciechowski: “Tuning Transparent Supercapacitor Performance by Controlling the Morphology of its ZnO Electrodes ”, Acta Physica Polonica A, vol.131, nr.6, (2017).
  • P13360: M. Borysiewicz, M. Ekielski, Z. Ogorzalek, M. Wzorek, J. Kaczmarski, T. Wojciechowski: “Highly Transparent Supercapacitors Based on ZnO/MnO2 Nanostructures ”, Nanoscale, vol.9, (2017).
  • P13361: M. Borysiewicz, M. Wzorek, M. Ekielski, J. Kaczmarski, T. Wojciechowski: “Controlling the Nanoscale Morphology and Structure of the ZnO/MnO2 System for Efficient Transparent Supercapacitors ”, MRS Communications, vol.7, nr.2, (2017).
  • P13362: M. Borysiewicz, M. Gryglas-Borysiewicz, M. Maslyk, T. Wojciechowski, M. Wzorek, J. Kaczmarski, T. Wojtowicz, E. Kaminska: “Room Temperature Sputter Deposited Catalyst-Free Nanowires with Wurtzite/Zinc Blende Zno Superstructure and Their Application in Electromechanical Nanogenerators on Polymer and Paper Substrates”, Nanotechnology, vol.28, nr.8, (2017).

» return

» 2016

  • P12954: A. Taube, M. Guziewicz, K. Kosiel, K. Golaszewska-Malec, K. Krol, R. Kruszka, E. Kaminska, A. Piotrowska: “Characterization of Al2O3/4H-SiC and Al2O3/SiO2/4H-SiC MOS Structures”, Bulletin of the Polish Academy of Sciences: Technical Sciences, vol.64, nr.3, (2016).
  • P13047: D. Urbanczyk, A. Wojcik-Jedlinska, J. Muszalski, A. Laszcz, M. Pluska, M. Gebski, T. Czyszanowski, A. Czerwinski, M. Bugajski: “Optical Examination of High Contrast Grating Fabricated by Focused-Ion Beam Etching”, Optical and Quantum Electronics, vol.48, nr.4, (2016).
  • P13080: M. Wzorek, M. Borysiewicz, A. Czerwinski, M. Mysliwiec, M. Ekielski, J. Ratajczak, A. Piotrowska, J. Katcki: “The Effect of Ni:Si Ratio on Microstructural Properties of Ni/Si Ohmic Contacts to SiC”, Applied Surface Science, vol.369, (2016).
  • P13126: A. Kuchuk, P. Borowicz, M. Wzorek, M. Borysiewicz, R. Ratajczak, K. Golaszewska-Malec, E. Kaminska, V.P. Kladko, A. Piotrowska: “Ni-Based Ohmic Contacts to n-Type 4H-SiC: The Formation Mechanism and Thermal Stability”, Advances in Condensed Matter Physics, vol.2016, (2016).
  • P13150: A. Szerling, K. Kosiel, M. Kozubal, M. Mysliwiec, R. Jakiela, M. Kuc, T. Czyszanowski, R. Kruszka, K. Pagowska, P. Karbownik, A. Barcz, E. Kaminska, A. Piotrowska: “Proton Implantation for Isolation of AlGaAs/GaAs Quantum Cascade Lasers”, Semiconductor Science and Technology, vol.31, nr.7, (2016).
  • P13178: A. Jasik, A. Sokol, A. Broda, I. Sankowska, A. Wojcik-Jedlinska, M. Wasiak, A. Trajnerowicz, J. Kubacka-Traczyk, J. Muszalski: “Impact of Strain on Periodic Gain Structures on Vertical External Cavity Surface-Emitting Lasers”, Applied Physics B - Lasers and Optics, vol.122, nr.258, (2016).
  • P13194: J. Kaczmarski, M. Borysiewicz, K. Pagowska, E. Kaminska: “Fabrication and Properties of Amorphous Zinc Oxynitride Thin Films”, Acta Physica Polonica A, vol.129, nr.1, (2016).
  • P13195: J. Kaczmarski, T. Boll, M. Borysiewicz, A. Taube, M. Thuvander, J. Y. Law, E. Kaminska, K. Stiller: “Controlling In-Ga-Zn Thin Films Transport Properties through Density Changes”, Thin Solid Films, vol.608, (2016).
  • P13196: J. Kaczmarski, A. Taube, M. Borysiewicz, M. Mysliwiec, T. Boll, K. Stiller, E. Kaminska: “Amorficzne półprzewodniki tlenkowe dla elektroniki przezroczystej i elastycznej”, Elektronika, vol.LVII, nr.8, (2016).
  • P13205: A. Piotrowska, E. Kaminska, W. Wojtasiak, W. Gwarek, R. Kucharski, M. Zajac, P. Prystawko, P. Kruszewski, M. Ekielski, J. Kaczmarski, M. Kozubal, A. Trajnerowicz, A. Taube: “Manufacturing Microwave AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors (HEMTs) on Truly Bulk Semi-Insulating GaN Substrates”, (2016).
  • P13240: K. Czuba, I. Sankowska, A. Jasik, J. Jurenczyk, E. Papis-Polakowska, P. Kazmierczak, J. Kaniewski: “Detektory supersieciowe InAs/GaSb - wybrane zagadnienia wytwarzania przyrządów”, Elektronika, vol.LVII, nr.9, (2016).
  • P13248: M. Borysiewicz, M. Wzorek, M. Mysliwiec, J. Kaczmarski, M. Ekielski: “MnO2 Ultrathin Films Deposited by Means of Magnetron Sputtering: Relationship between Process Conditions, Structural Properties and Performance in Transparent Supercapacitors”, Superlattices and Microstructures, vol.100, (2016).
  • P13249: M. Maslyk, M. Borysiewicz, M. Wzorek, T. Wojciechowski, M. Kwoka, E. Kaminska: “Influence of Absolute Argon and Oxygen Flow Values at a Constant Ratio on the Growth of Zn/ZnO Nanostructures Obtained by DC Reactive Magnetron Sputtering”, Applied Surface Science, vol.389, (2016).
  • P13251: M. Borysiewicz, E. Kaminska, T. Wojciechowski, K. Golaszewska-Malec, E. Dynowska, M. Wzorek, R. Kruszka, K. Pagowska, M. Kwoka, J. Szuber, T. Boll, K. Stiller, T. Wojtowicz, A. Piotrowska: “Technologia cienkich warstw tlenku cynku o kontrolowanych własnościach strukturalnych, transportowych i optycznych”, Elektronika, vol.LVII, nr.8, (2016).
  • P13296: K. Kalbarczyk, M. Foltyn, M.J. Grzybowski, W. Stefanowicz, R. Adhikari, T. Li, R. Kruszka, E. Kaminska, A. Piotrowska, A. Bonanni, T. Dietl, M. Sawicki: “Two-Probe Measurements of Electron Transport in GaN:Si/(Ga,Mn)N/GaN:Si Spin Filter Structures”, Acta Physica Polonica A, vol.130, nr.5, (2016).

» return

» 2015

  • P12860: A. Barcz, K. Pagowska, M. Kozubal, E. Guziewicz, M. Borysiewicz, J. Dyczewski, R. Jakiela, J. Ratajczak, D. Snigurenko, E. Dynowska: “Response of ZnO/GaN Heterostructure to Ion Irradiation”, Acta Physica Polonica A, vol.128, nr.5, (2015).
  • P12895: P. Karbownik, A. Trajnerowicz, A. Szerling, A. Wojcik-Jedlinska, M. Wasiak, E. Pruszynska-Karbownik, K. Kosiel, I. Gronowska, R.P. Sarzała, M. Bugajski: “Direct Au-Au Bonding Technology for High Performance GaAs/AlGaAs Quantum Cascade Lasers”, Optical and Quantum Electronics, vol.47, nr.4, (2015).
  • P12928: M. Ekielski, M. Juchniewicz, M. Pluska, M. Wzorek, E. Kaminska, A. Piotrowska: “Nanometer Scale Patterning of GaN Using Nanoimprint Lithography and Inductively Coupled Plasma Etching”, Microelectronic Engineering, vol.133, (2015).
  • P12947: J. Grochowski, Y. Hanyu, K. Abe, J. Kaczmarski, J. Dyczewski, H. Hiramatsu, H. Kumomi, H. Hosono, T. Kamiya: “Origin of Lower Film Density and Larger Defect Density in Amorphous In-Ga-Zn-O Deposited at High Total Pressure”, Journal of Display Technology, vol.11, nr.6, (2015).
  • P12948: J. Kaczmarski, J. Grochowski, E. Kaminska, A. Taube, J. Dyczewski, W. Jung, E. Dynowska, A. Piotrowska: “Transparent Amorphous Ru-Si-O Schottky Contacts to In-Ga-Zn-O”, Journal of Display Technology, vol.11, nr.6, (2015).
  • P12955: A. Taube, E. Kaminska, M. Kozubal, J. Kaczmarski, W. Wojtasiak, J. Jasinski, M. Borysiewicz, M. Ekielski, M. Juchniewicz, J. Grochowski, M. Mysliwiec, E. Dynowska, A. Barcz, P. Prystawko, M. Zajac, R. Kucharski, A. Piotrowska: “Ion Implantation for Isolation of AlGaN/GaN HEMTs Using C or Al”, Physica Status Solidi A, vol.212, nr.5, (2015).
  • P12957: M. Pluska, A. Czerwinski, M. Wzorek, M. Juchniewicz, J. Katcki: “Identification and Reduction of Acoustic-Noise Influence on Focused Ion Beam (FIB)”, Nuclear Instruments & Methods in Physics Res. B, vol.348, (2015).
  • P12986: J. Muszalski, A. Broda, A. Jasik, A. Wojcik-Jedlinska, I. Sankowska, J. Kubacka-Traczyk, A. Trajnerowicz: “Półprzewodnikowe lasery dyskowe - korzyści z inżynierii przerwy zabronionej”, (2015).
  • P12996: A. Taube, J. Kaczmarski, R. Kruszka, J. Grochowski, K. Kosiel, K. Golaszewska-Malec, M. Sochacki, W. Jung, E. Kaminska, A. Piotrowska: “Temperature-Dependent Electrical Characterization of High-Voltage AlGaN/GaN-on-Si HEMTs with Schottky and Ohmic Drain Contacts”, Solid-State Electronics, vol.111, (2015).
  • P13000: J. Kaczmarski, J. Grochowski, E. Kaminska, A. Taube, M. Borysiewicz, K. Pagowska, W. Jung, A. Piotrowska: “Enhancement of Ru-Si-O/In-Ga-Zn-O MESFET Performance by Reducing Depletion Region Trap Density”, IEEE Electron Device Letters, vol.36, nr.5, (2015).
  • P13007: M. Gebski, M. Dems, A. Szerling, M. Motyka, L. Marona, R. Kruszka, D. Urbanczyk, M. Walczakowski, N. Palka, A. Wojcik-Jedlinska, Q.J. Wang, D.H. Zhang, M. Bugajski, M. Wasiak, T. Czyszanowski: “Monolithic High-Index Contrast Grating: a Material Independent High-Reflectance VCSEL Mirror”, Optics Express, vol.23, (2015).
  • P13009: M. Wzorek, A. Czerwinski, M. Borysiewicz, K. Golaszewska-Malec, M. Mysliwiec, J. Ratajczak, A. Piotrowska, J. Katcki: “Amorphous Ni-Zr Layer Applied for Microstructure Improvement of Ni-Based Ohmic Contacts to SiC”, Materials Science and Engineering B, vol.199, (2015).
  • P13033: M. Mysliwiec, R. Kisiel, M. Guziewicz: “Materials and Technological Aspects of High-Temperature SiC Device Packages Reliability”, Microelectronics International, vol.32, nr.3, (2015).
  • P13034: M. Borysiewicz, M. Wzorek, K. Golaszewska-Malec, R. Kruszka, K. Pagowska, E. Kaminska: “Nanocrystalline Sputter-Deposited ZnMgO:Al Transparent p-Type Electrode in GaN-Based 385 nm UV LED for Significant Emission Enhancement”, Materials Science and Engineering B, vol.200, (2015).
  • P13037: A. Szerling, K. Kosiel, M. Szymanski, Z. Wasilewski, K. Golaszewska-Malec, A. Laszcz, M. Pluska, A. Trajnerowicz, M. Sakowicz, M. Walczakowski, N. Palka, R. Jakiela, A. Piotrowska: “Processing of AlGaAs/GaAs Quantum-Cascade Structures for Terahertz Laser”, Journal of Nanophotonics, vol.9, nr.1, (2015).
  • P13044: M. Guziewicz, R. Schifano, E. Przezdziecka, J. Domagala, W. Jung, T. Krajewski, E. Guziewicz: “n-ZnO/p4H-SiC Diode: Structural, Electrical and Photoresponse Characteristics”, Applied Physics Letters, vol.107, (2015).
  • P13049: W. Wojtasiak, W. Gwarek, A. Piotrowska, E. Kaminska: “Parametry tranzystorów GaN HEMT - wyniki I etapu projektu PolHEMT”, (2015).
  • P13064: K. Krol, M. Sochacki, W. Strupinski, E. Racka, M. Guziewicz, P. Konarski, M. Misnik, J. Szmidt: “Chlorine-Enhanced Thermal Oxides Growth and Significant Trap Density Reduction at SiO2/SiC Interface by Incorporation of Phosphorus”, Thin Solid Films, vol.591, (2015).
  • P13071: A. Klimov, R. Puzniak, B. Aichner, W. Lang, E. Joon, R. Stern, W. Slysz, M. Guziewicz, M. Juchniewicz, M. Borysiewicz, R. Kruszka, M. Wegrzecki, A. Laszcz, A. Czerwinski, R. Sobolewski: “Superconducting and Ferromagnetic Properties of NbN/NiCu and NbTiN/NiCu Bilayer Nanostructures for Photon Detection”, (2015).
  • P13084: A. Taube, E. Kaminska, M. Sochacki, A. Piotrowska: “Konstrukcje tranzystorów HEMT AlGaN/GaN/Si przeznaczonych dla elektroniki mocy”, (2015).
  • P13085: A. Taube, E. Kaminska, M. Sochacki, A. Piotrowska: “Konstrukcje tranzystorów HEMT AlGaN/GaN/Si przeznaczonych dla elektroniki mocy”, Elektronika, vol.LVI, nr.10, (2015).
  • P13086: A. Taube, J. Kaczmarski, R. Kruszka, J. Grochowski, K. Kosiel, K. Golaszewska-Malec, M. Sochacki, W. Jung, E. Kaminska, A. Piotrowska: “Wpływ kontaktu drenu na parametry elektryczne wysokonapięciowych tranzystorów HEMT AlGaN/GaN na podłożu krzemowym”, (2015).
  • P13091: M. Bugajski, P. Gutowski, K. Pierscinski, D. Pierscinska, M. Morawiec, P. Karbownik, A. Trajnerowicz, M. Sakowicz, A. Kolek: “MID-IR Quantum Cascade Lasers for Gas Sensing Applications”, (2015).
  • P13092: M. Pluska, A. Czerwinski, M. Wzorek, M. Juchniewicz, J. Katcki: “Determining the Causes of Scanning Distortions in SEM and FIB”, Microscopy and Microanalysis, vol.21, nr.Supp, (2015).
  • P13110: M. Ekielski, M. Wzorek, M. Juchniewicz, E. Kaminska, A. Piotrowska, P. Prystawko: “Novel Approach of Top-Down GaN Nanorods Fabrication”, (2015).

» return

» 2014

  • P12708: M. Borysiewicz, T. Wojciechowski, E. Dynowska, M. Wielgus, J. Bar, T. Wojtowicz, E. Kaminska, A. Piotrowska: “Nanocoral ZnO Films Fabricated on Flexible Poly(vinyl Chloride) Using a Carrier Substrate”, Thin Solid Films, vol.550, (2014).
  • P12761: M. Bugajski, P. Gutowski, P. Karbownik, A. Kolek, G. Haldas, K. Pierscinski, D. Pierscinska, J. Kubacka-Traczyk, I. Sankowska, A. Trajnerowicz, K. Kosiel, A. Szerling, J. Grzonka, K. Kurzydlowski, T. Slight, W. Meredith: “Mid-IR Quantum Cascade Lasers: Device Technology and Non-Equilibrium Green s Function Modeling of Electro-Optical Characteristics”, Physica Status Solidi B - Basic Solid State Physics, vol.251, nr.6, (2014).
  • P12775: M. Borysiewicz, M. Wzorek, T. Wojciechowski, E. Kaminska, A. Piotrowska: “Photoluminescence of Nanocoral ZnO Films”, Journal of Luminescence, vol.147, (2014).
  • P12799: A. Taube, M. Kozubal, J. Kaczmarski, M. Juchniewicz, A. Barcz, J. Dyczewski, R. Jakiela, E. Dynowska, M. Borysiewicz, P. Prystawko, J. Jasinski, P. Borowicz, E. Kaminska, A. Piotrowska: “High Resistivity Isolation for AlGaN/GaN HEMT Using Al Double-Implantation”, (2014).
  • P12810: M. Borysiewicz, T. Wojciechowski, E. Dynowska, E. Kaminska, A. Piotrowska: “Investigation of Porous Zn Growth Mechanism during Zn Reactive Sputter Deposition”, Acta Physica Polonica A, vol.125, nr.5, (2014).
  • P12816: J. Muszalski, A. Broda, A. Trajnerowicz, A. Wojcik-Jedlinska, R.P. Sarzała, M. Wasiak, P. Gutowski, I. Sankowska, J. Kubacka-Traczyk, K. Golaszewska-Malec: “Switchable Double Wavelength Generating Vertical External Cavity Surface-Emitting Laser”, Optics Express, vol.22, nr.6, (2014).
  • P12847: M. Borysiewicz, M. Mysliwiec, K. Golaszewska-Malec, R. Jakiela, E. Dynowska, E. Kaminska, A. Piotrowska: “Thermal Stability of Multilayer Ti2AlN-Based Ohmic Contacts to n-GaN in Ambient Air”, Solid-State Electronics, vol.94, (2014).
  • P12848: M. Borysiewicz, M. Wzorek, K. Golaszewska-Malec, E. Kaminska, A. Piotrowska, E. Dynowska, T. Wojciechowski, R. Jakiela, T. Wojtowicz, P. Struk, T. Pustelny: “Cienkie warstwy ZnO wytwarzane techniką magnetronowego rozpylania katodowego: mikrostruktura i funkcjonalność”, Elektronika, vol.LV, nr.9, (2014).
  • P12866: P. Gutowski, P. Karbownik, A. Trajnerowicz, K. Pierscinski, D. Pierscinska, I. Sankowska, J. Kubacka-Traczyk, M. Sakowicz, M. Bugajski: “Room Temperature AlInAs/InGaAs/InP Quantum Cascade Lasers”, Photonics Letters of Poland, vol.6, nr.4, (2014).
  • P12893: E. Pruszynska-Karbownik, M. Bugajski, B. Mroziewicz, K. Reginski, P. Karbownik, A. Trajnerowicz, P. Gutowski: “Analiza rozkładu przestrzennego promieniowania generowanego przez lasery kaskadowe w paśmie średniej podczerwieni”, (2014).
  • P12898: S. Przywoska, M. Guziewicz, M. Juchniewicz, R. Kruszka, E. Piskorska-Hommel, J. Domagala, A. Marin, P. Osiceanu, A. Klimov, J. Bar, W. Slysz: “Composition Analysis of Epitaxial NbTiN Films for Superconductor Photon Detectors”, (2014).
  • P12900: J. Kaczmarski, J. Grochowski, E. Kaminska, A. Taube, W. Jung, A. Piotrowska: “In-Ga-ZnO MESFET with Transparent Amorphous Ru-Si-O Schottky Barrier”, Physica Status Solidi - Rapid Research Letters, vol.8, nr.7, (2014).
  • P12902: J. Kaczmarski, J. Grochowski, E. Kaminska, A. Taube, M. Kozubal, W. Jung, A. Piotrowska, E. Dynowska: “Diody Schottky ego i tranzystory MESFET na bazie In-Ga-Zn-O z przezroczystą bramką Ru-Si-O”, Elektronika, vol.LV, nr.9, (2014).
  • P12903: J. Kaczmarski, J. Grochowski, E. Kaminska, A. Taube, M. Kozubal, W. Jung, A. Piotrowska, E. Dynowska: “Diody Schottky ego i tranzystory MESFET na bazie In-Ga-Zn-O z przezroczystą bramką Ru-Si-O”, (2014).
  • P12904: A. Szerling, K. Kosiel, M. Szymanski, Z. Wasilewski, K. Golaszewska-Malec, A. Laszcz, M. Pluska, A. Trajnerowicz, M. Sakowicz, M. Walczakowski, N. Palka, R. Jakiela, A. Piotrowska: “Processing of AlGaAs/GaAs QC Structures for Terahertz Laser”, (2014).
  • P12910: D. Urbanczyk, A. Wojcik-Jedlinska, K. Kosiel, M. Bugajski: “Fotoluminescencyjne badania wpływu temperatury na własności emisyjne periodycznych nanostruktur fotonicznych”, Elektronika, vol.LV, nr.11, (2014).
  • P12912: E. Pruszynska-Karbownik, M. Bugajski, P. Karbownik, A. Trajnerowicz, P. Gutowski, K. Reginski: “Analiza rozkładu przestrzennego promieniowania generowanego przez lasery kaskadowe w paśmie średniej podczerwieni”, Elektronika, vol.LV, nr.11, (2014).
  • P12931: P. Karbownik, A. Trajnerowicz, K. Hejduk, J. Jureńczyk, J. Kubacka-Traczyk, M. Wzorek, P. Gutowski, K. Kwatek, E. Pruszynska-Karbownik, M. Sakowicz, M. Bugajski: “Optymalizacja warstwy izolacyjnej osadzanej metodą PECVD na strukturach laserów kaskadowych”, (2014).
  • P12940: A. Taube, M. Sochacki, J. Szmidt, E. Kaminska, A. Piotrowska: “Modelowanie normalnie wyłączonych tranzystorów MOS-HEMT AlGaN/GaN”, (2014).
  • P12941: A. Taube, M. Guziewicz, K. Kosiel, K. Golaszewska-Malec, K. Krol, R. Kruszka, E. Kaminska, A. Piotrowska: “Charakterystyka struktur MOS AlsO3 i Al2O3/SiO2 na podłożach 4H-SiC”, (2014).
  • P12942: A. Taube, M. Sochacki, J. Szmidt, E. Kaminska, A. Piotrowska: “Modelling and Simulation of Normally-Off AlGaN/GaN MOS-HEMTs”, International Journal of Electronics and Telecommunications, vol.60, nr.3, (2014).
  • P12944: P. Struk, T. Pustelny, K. Golaszewska-Malec, M. Borysiewicz, E. Kaminska, T. Wojciechowski, A. Piotrowska: “ZnO - Wide Bandgap Semiconductor and Possibilities of Its Application in Optical Waveguide Structures”, Metrology and Measurement Systems, vol.XXI, nr.3, (2014).
  • P12949: J. Grochowski, E. Kaminska, J. Kaczmarski, A. Piotrowska: “Przezroczysty amorficzny półprzewodnik tlenkowy Zn-Ir-Si-O”, Elektronika, vol.LV, nr.9, (2014).
  • P12950: J. Grochowski, E. Kaminska, J. Kaczmarski, A. Piotrowska: “Przezroczysty amorficzny półprzewodnik tlenkowy Zn-Ir-Si-O”, (2014).
  • P12951: J. Grochowski, J. Kaczmarski, A. Taube, E. Kaminska, A. Piotrowska: “Symulacje cienkowarstwowych tranzystorów polowych z kanałem z amorficznego In-Ga-Zn-O”, Elektronika, vol.LV, nr.9, (2014).
  • P12952: J. Grochowski, J. Kaczmarski, A. Taube, E. Kaminska, A. Piotrowska: “Symulacje cienkowarstwowych tranzystorów polowych z kanałem z amorficznego In-Ga-Zn-O”, (2014).
  • P12960: M. Borysiewicz, E. Dynowska, T. Wojciechowski, M. Wzorek, R. Jakiela, K. Golaszewska-Malec, P. Struk, T. Pustelny, T. Wojtowicz, E. Kaminska, A. Piotrowska: “Cienkie warstwy ZnO wytwarzane techniką magnetronowego rozpylania katodowego: mikrostruktura i funkcjonalność”, (2014).
  • P12964: K. Pierscinski, D. Pierscinska, P. Gutowski, A. Trajnerowicz, P. Karbownik, M. Bugajski: “Charakterystyki progowe, wzmocnienie i własności optyczne laserów kaskadowych”, Elektronika, vol.LV, nr.11, (2014).
  • P12968: R. Kisiel, M. Guziewicz, M. Mysliwiec, N. Kwietniewski: “Materials and Technological Aspects of High-Temperature SiC Package Reliability”, (2014).

» return

» 2013

  • P12544: D. Kochanowska, M. Witkowska-Baran, A. Mycielski, A. Szadkowski, B. Witkowska, W. Kaliszek, J. Domagala, R. Jakiela, P. Nowakowski, A. Duzynska, P. Lach, A. Kaminska, A. Suchocki, A. Reszka, B. Kowalski, T. Wojtowicz, M. Wiater, P. Kaminski, R. Kozlowski, Z. Sidor, M. Juchniewicz, E. Kaminska: “Growth and Characterization of (Cd, Mn)Te”, IEEE Transactions on Nuclear Science, vol.60, nr.5, (2013).
  • P12563: I. Sankowska, J. Domagala, O. Yefanov, A. Jasik, J. Kubacka-Traczyk, K. Reginski, O.H. Seeck: “Non-Periodicity of Peak-to-Peak Distances in X-Ray Diffraction Spectrums from Perfect Superlattices”, Journal of Applied Physics, vol.113, (2013).
  • P12580: J. Muszalski, A. Broda, A. Jasik, A. Wojcik-Jedlinska, A. Trajnerowicz, J. Kubacka-Traczyk, I. Sankowska: “VECSEL Emitting at 976nm for Second Harmonic Generation to the Blue”, (2013).
  • P12617: K. Patorski, M. Wielgus, M. Ekielski, P. Kazmierczak: “AFM Nanomoire Technique with Phase Multiplication”, Measurement Science and Technology, vol.24, (2013).
  • P12642: P. Borowicz, A. Kuchuk, Z. Adamus, M. Borysiewicz, M. Ekielski, E. Kaminska, A. Piotrowska, M. Latek: “Structure of Carbonic Layer in Ohmic Contacts: Comparison of Silicon Carbide/Carbon and Carbon/Silicide Interfaces”, ISRN Physical Chemistry, vol.2013, (2013).
  • P12658: W. Jung, A. Jasik, K. Golaszewska-Malec, E. Maciejewska: “Determination of Carrier Concentration in VECSEL Lasers”, (2013).
  • P12659: K. Golaszewska-Malec, R. Kruszka, M. Mysliwiec, M. Ekielski, W. Jung, T. Piotrowski, M. Juchniewicz, J. Bar, M. Wzorek, E. Kaminska, A. Piotrowska, R.P. Sarzała, M. Dems, J. Wojtas, R. Medrzycki, P. Prystawko: “Diody elektroluminescencyjne na bazie GaN z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi”, (2013).
  • P12660: K. Golaszewska-Malec, R. Kruszka, M. Mysliwiec, M. Ekielski, W. Jung, T. Piotrowski, M. Juchniewicz, J. Bar, M. Wzorek, E. Kaminska, A. Piotrowska, R.P. Sarzała, M. Dems, J. Wojtas, R. Medrzycki, P. Prystawko: “Diody elektroluminescencyjne na bazie GaN z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi”, Elektronika, vol.LIV, nr.9, (2013).
  • P12662: M. Guziewicz, A. Laszcz, J. Domagala, K. Golaszewska-Malec, J. Ratajczak, R. Kruszka, M. Juchniewicz, A. Czerwinski, W. Slysz: “Structural Analysis of Epitaxial NbTiN Films”, (2013).
  • P12667: P. Struk, T. Pustelny, K. Golaszewska-Malec, M. Borysiewicz, M. Ekielski, E. Kaminska, A. Piotrowska: “Struktury hybrydowe oraz struktury sensorowe na bazie ZnO”, Elektronika, vol.LIV, nr.9, (2013).
  • P12668: P. Struk, T. Pustelny, K. Golaszewska-Malec, M. Borysiewicz, M. Ekielski, E. Kaminska, A. Piotrowska: “Struktury hybrydowe oraz struktury sensorowe na bazie ZnO”, (2013).
  • P12697: M. Wielgus, D. Koguciuk, Z. Sunderland, K. Patorski, A. Piotrowska: “Enhanced Measurements of Displacements and Strains in Quasiperiodic Nanostructures”, (2013).
  • P12707: K. Lawniczak-Jablońska, M.T. Klepka, E. Dynowska, A. Wolska, M. Borysiewicz, A. Piotrowska: “Complementary Characterization of Ti-Si-C Films by X-Ray Diffraction and Absorption”, Radiation Physics and Chemistry, vol.93, (2013).
  • P12709: J. Kaczmarski, A. Taube, E. Dynowska, J. Dyczewski, M. Ekielski, E. Kaminska, A. Piotrowska: “Fabrication and Properties of Amorphous In-Ga-Zn-O Material and Transistors”, Acta Physica Polonica A, vol.124, nr.5, (2013).
  • P12713: J. Kaczmarski, A. Taube, E. Dynowska, J. Dyczewski, M. Ekielski, D. Pucicki, E. Kaminska, A. Piotrowska: “In-Ga-Zn-O Amorphous Thin Films for Transparent Electronics”, (2013).
  • P12716: M. Borysiewicz, A. Baranowska-Korczyc, M. Ekielski, M. Wzorek, E. Dynowska, T. Wojciechowski, E. Kaminska, K. Fronc, D. Elbaum, T. Wojtowicz, A. Piotrowska: “Synthesis and Properties of Nanocoral ZnO Structures”, (2013).
  • P12717: M. Guziewicz, K. Golaszewska-Malec, R. Kruszka, E. Kaminska, A. Piotrowska, E. Dynowska, A. Mycielski, K. Dybko, M. Szot, T. Story: “Comparative Study on Au and RuSi Metallization for Ohmic Contacts to Pb(Te,S)”, (2013).
  • P12737: M. Ekielski, M. Juchniewicz, A. Piotrowska: “Procesy wytwarzania periodycznych struktur o wymiarach nanometrowych w GaN przy użyciu technik litografii NIL”, Przegląd Elektrotechniczny, vol.89, nr.10, (2013).
  • P12738: P. Struk, T. Pustelny, K. Golaszewska-Malec, E. Kaminska, M. Borysiewicz, M. Ekielski, A. Piotrowska: “Hybrid Photonics Structures with Grating and Prism Couplers Based on ZnO Waveguides”, Opto-Electronics Review, vol.21, nr.4, (2013).
  • P12741: M. Ekielski, M. Juchniewicz, A. Piotrowska: “Procesy wytwarzania periodycznych struktur o wymiarach nanometrowych w GaN przy użyciu technik litografii NIL”, (2013).
  • P12742: A. Taube, M. Sochacki, J. Szmidt, E. Kaminska, A. Piotrowska: “Modelowanie normalnie wyłączonych tranzystorów HEMT AlGaN/GaN z bramką p-GaN”, Elektronika, vol.LIV, nr.9, (2013).
  • P12743: A. Taube, M. Sochacki, J. Szmidt, E. Kaminska, A. Piotrowska: “Modelowanie normalnie wyłączonych tranzystorów HEMT AlGaN/GaN z bramką p-GaN”, (2013).
  • P12745: A. Taube, T. Gutt, S. Gieraltowska, A. Laszcz, M. Wzorek, M. Sochacki, K. Krol, E. Kaminska, A. Piotrowska: “Effect of SiO2 and Al2O3 Buffer Layer on the Properties of HfO2 Gate Dielectric Stacks on 4H-SiC”, (2013).
  • P12746: A. Taube, J. Kaczmarski, M. Ekielski, D. Pucicki, E. Kaminska, A. Piotrowska: “Fabrication and Characterization of Thin-Film Transistors with Amorphous In-Ga-Zn-O Layers”, (2013).
  • P12748: A. Szerling, E. Maciejewska, A. Trajnerowicz, P. Karbownik, K. Kosiel, K. Hejduk, M. Wzorek: “Technologia wytwarzania siatek Bragga do jednomodowych laserów kaskadowych”, (2013).
  • P12768: P. Klata, M. Guziewicz, W. Rzodkiewicz, R. Kruszka, J. Domagala, M. Juchniewicz, W. Slysz: “Charakteryzacja ultracienkich warstw NbN i Nb(Ti)N”, (2013).
  • P12769: P. Borowicz, A. Kuchuk, Z. Adamus, M. Borysiewicz, M. Ekielski, E. Kaminska, A. Piotrowska, M. Latek: “Structural Changes and Migration of Carbon in Nickel-Based Ohmic Contacts on Silicon Carbide. Application of Visible and Deep-Ultraviolet Raman Spectroscopy”, (2013).
  • P12770: M. Guziewicz, A. Laszcz, J. Domagala, K. Golaszewska-Malec, J. Ratajczak, A. Czerwinski, W. Slysz: “Analiza struktury epitaksjalnych warstw NbTiN”, (2013).
  • P12771: J. Kaczmarski, A. Taube, E. Dynowska, J. Dyczewski, M. Ekielski, D. Pucicki, E. Kaminska, A. Piotrowska: “In-Ga-Zn-O Amorphous Thin Films for Transparent Electronics”, (2013).
  • P12772: A. Taube, J. Kaczmarski, M. Ekielski, D. Pucicki, E. Kaminska, A. Piotrowska: “Wytwarzanie i charakteryzacja tranzystorów TFT z warstwą amorficznego półprzewodnika In-Ga-Zn-O”, (2013).
  • P12773: M. Mysliwiec, M. Guziewicz, R. Kisiel: “Aspects of SiC Diode Assembly using Ag Technology”, (2013).

» return

» 2012

  • P12219: G. Zaremba, Z. Adamus, W. Jung, E. Kaminska, M. Borysiewicz, K. Korwin-Mikke: “The Role of Deep Level Traps in Barrier Height of 4H-SiC Schottky Diode”, Materials Science and Engineering B, vol.177, (2012).
  • P12340: I. Sankowska, A. Jasik, J. Kubacka-Traczyk, J. Domagala, K. Reginski: “Role of Beryllium Doping in Strain Changes in II-Type InAs/GaSb Superlattice Investigated by High Resolution X-Ray Diffraction Method”, Applied Physics A - Materials Science & Processing, vol.108, nr.2, (2012).
  • P12342: M. Guziewicz, W. Jung, R. Kruszka, K. Golaszewska-Malec, A. Piotrowska, J. Domagala, L. Wachnicki, E. Guziewicz, M. Godlewski: “Fabrication and Characterization of n-ZnO/p-SiC Heterojunction Diode”, Materials Science Forum, vol.717-720, (2012).
  • P12358: M. Borysiewicz, E. Kaminska, M. Mysliwiec, M. Wzorek, A. Kuchuk, A. Barcz, E. Dynowska, M.-A. di Forte-Poisson, C. Giesen, A. Piotrowska: “Fundamentals and Practice of Metal Contacts to Wide Band Gap Semiconductor Devices”, Crystal Research and Technology, vol.47, nr.3, (2012).
  • P12392: M. Guziewicz, W. Slysz, M. Borysiewicz, R. Kruszka, Z. Sidor, M. Juchniewicz, K. Golaszewska-Malec, J. Domagala, W. Rzodkiewicz, J. Ratajczak, J. Bar, M. Wegrzecki, R. Sobolewski: “Technology of Ultrathin NbN and NbTiN Films for Superconducting Photodetectors”, Acta Physica Polonica A, vol.120, nr.6-A, (2012).
  • P12393: A. Taube, R. Kruszka, M. Borysiewicz, S. Gieraltowska, E. Kaminska, A. Piotrowska: “High Quality Gate Insulator/GaN Interface for Enhancement-Mode Field Effect Transistor”, Acta Physica Polonica A, vol.120, nr.6-A, (2012).
  • P12400: A. Domanowska, M. Miczek, R. Ucka, M. Matys, B. Adamowicz, J. Zywicki, A. Taube, K. Korwin-Mikke, S. Gieraltowska, M. Sochacki: “Surface Photovoltage and Auger Electron Spectromicroscopy Studies of HfO2/SiO2/4H-SiC and HfO2/Al2O3/4H-SiC Structures”, Applied Surface Science, vol.258, (2012).
  • P12435: R. Kruszka, K. Golaszewska-Malec, A. Taube, Z. Sidor, M. Borysiewicz, Z.R. Zytkiewicz, E. Kaminska, A. Piotrowska: “Kontrolowane trawienia plazmą BCl3/Ar cienkich warstw AlGaN dla technologii tranzystorów HEMT AlGaN/GaN”, (2012).
  • P12436: K. Lawniczak-Jablońska, M.T. Klepka, A. Wolska, E. Dynowska, M. Borysiewicz, A. Piotrowska: “Komplementarne zastosowanie metod dyfrakcji i spektroskopii absorpcyjnej promieniowania X do charakteryzacji cienkich warstw Ti-Si-C”, Elektronika, vol.LIII, nr.9, (2012).
  • P12438: R. Kruszka, K. Golaszewska-Malec, A. Taube, Z. Sidor, M. Borysiewicz, Z.R. Zytkiewicz, E. Kaminska, A. Piotrowska: “Kontrolowane trawienia plazmą BCl3/Ar cienkich warstw AlGaN dla technologii tranzystorów HEMT AlGaN/GaN”, Elektronika, vol.LIII, nr.9, (2012).
  • P12448: M. Ekielski, Z. Sidor, M. Juchniewicz, M. Pluska, M. Wzorek, A. Piotrowska, R. Kucharski, V. Kolkovsky, Z.R. Zytkiewicz, M. Gruszka: “Nanostemplowanie w zastosowaniu do wytwarzania struktur fotonicznych w GaN”, Elektronika, vol.LIII, nr.9, (2012).
  • P12454: W. Jung: “Zastosowanie funkcji Lamberta do wyznaczania parametrów złącza p-n”, (2012).
  • P12463: O. Volnianska, P. Bogusławski, E. Kaminska: “Ag and N Acceptors in ZnO: An ab initio Study of Acceptor Pairing, Doping Efficiency, and the Role of Hydrogen”, Physical Review B, vol.85, (2012).
  • P12482: M. Wielgus, J. Grochowski, E. Kaminska, K. Patorski: “Continuous Wavelet Transform for d-Space Distribution Analysis in Nanocrystallic Materials”, (2012).
  • P12484: P. Borowicz, Z. Adamus, M. Ekielski, A. Piotrowska, A. Kuchuk, M. Borysiewicz, E. Kaminska, M. Latek: “Badania strukturalne warstw węglowych w kontaktach omowych - porównanie widm ramanowskich obserwowanych od strony warstwy krzemkowej oraz podłoża z węglika krzemu”, (2012).
  • P12485: K. Lawniczak-Jablońska, M.T. Klepka, A. Wolska, E. Dynowska, M. Borysiewicz, A. Piotrowska: “Komplementarne zastosowanie metod dyfrakcji i spektroskopii absorpcyjnej promieniowania X do charakteryzacji cienkich warstw Ti-Si-C”, (2012).
  • P12486: M. Ekielski, Z. Sidor, M. Juchniewicz, M. Pluska, M. Wzorek, A. Piotrowska, R. Kucharski, V. Kolkovsky, Z.R. Zytkiewicz, M. Gruszka: “Nanostemplowanie w zastosowaniu do wytwarzania struktur fotonicznych w GaN”, (2012).
  • P12492: M. Guziewicz, W. Slysz, M. Borysiewicz, J. Domagala, R. Kruszka, K. Golaszewska-Malec, M. Juchniewicz, Z. Sidor, E. Piskorska-Hommel, T. Wilkens: “Superconducting and Structural Properties of Nb(TiN) Films”, (2012).
  • P12508: W. Jung: “Zastosowanie funkcji Lamberta do wyznaczania parametrów złącza p-n”, Elektronika, vol.LIII, nr.9, (2012).
  • P12509: P. Borowicz, Z. Adamus, M. Ekielski, A. Piotrowska, A. Kuchuk, M. Borysiewicz, E. Kaminska, M. Latek: “Badania strukturalne warstw węglowych w kontaktach omowych - porównanie widm ramanowskich obserwowanych od strony warstwy krzemkowej oraz podłoża z węglika krzemu”, Elektronika, vol.LIII, nr.9, (2012).
  • P12521: P. Borowicz, A. Kuchuk, Z. Adamus, M. Borysiewicz, M. Ekielski, E. Kaminska, A. Piotrowska, M. Latek: “Visible and Deep-Ultraviolet Raman Spectroscopy as a Tool for Investigation of Structural Changes and Redistribution of Carbon in Ni-Based Ohmic Contacts on Silicon Carbide”, ISRN Nanomaterials, vol.2012, (2012).
  • P12522: A. Taube, R. Mroczynski, K. Korwin-Mikke, S. Gieraltowska, J. Szmidt, A. Piotrowska: “Effect of the Post-Deposition Annealing on Electrical Characteristics of MIS Structures with HfO2/SiO2 Gate Dielectrics Stacks”, Materials Science and Engineering B, vol.177, (2012).
  • P12543: M. Wielgus, K. Patorski: “Non-Local Fringe Image Filtration: a New Interferometric Data Filtration Paradigm?”, Photonics Letters of Poland, vol.4, nr.2, (2012).
  • P12547: R. Kisiel, Z. Szczepanski, P. Firek, J. Grochowski, M. Mysliwiec, M. Guziewicz: “Silver Micropowders as SiC Die Attach Material for High Temperature Applications”, (2012).
  • P12561: A. Szerling, K. Kosiel, P. Karbownik, A. Baranska, E. Maciejewska, A. Trajnerowicz, K. Hejduk, M. Bugajski: “Technologia wytwarzania laserów półprzewodnikowych”, (2012).
  • P12579: M. Borysiewicz, E. Dynowska, V. Kolkovsky, J. Dyczewski, M. Wielgus, E. Kaminska, A. Piotrowska: “From Porous to Dense Thin ZnO Films through Reactive DC Sputter Deposition onto Si (100) Substrates”, Physica Status Solidi A, vol.209, nr.12, (2012).
  • P12592: J. Grochowski, E. Kaminska, A. Piotrowska, E. Dynowska, P. Dluzewski, J. Dyczewski, A. Szczepanska, P. Kazmierczak: “Fabrication and Properties of Nanocrystalline Zn-Ir-O Thin Films”, Physica Status Solidi C, vol.9, nr.6, (2012).
  • P12598: J. Grochowski, M. Guziewicz, R. Kruszka, K. Kopalko, A. Piotrowska: “Fabrication and Characterization on p-NiO/n-ZnO Heterojunction Towards Transparent Diode”, (2012).

» return

» 2011

  • P11822: R. Kruszka, M. Ekielski, K. Golaszewska-Malec, K. Korwin-Mikke, Z. Sidor, M. Wzorek, D. Pierscinska, R.P. Sarzała, T. Czyszanowski, A. Piotrowska: “GaAs/AlGaAs Photonic Crystals for VCSEL-Type Semiconductors Lasers”, Opto-Electronics Review, vol.19, nr.11, (2011).
  • P11965: W. Jung, G. Zaremba, O. Engstrom, M. Kaniewska: “Electron Eigenstates in Quantum Dots Revealed by Temperature Derivative Capacitance Spectroscopy”, Journal of Nanoscience and Nanotechnology, vol.11, nr.12, (2011).
  • P12108: P. Karbownik, A. Baranska, A. Trajnerowicz, A. Szerling, K. Kosiel, A. Wojcik-Jedlinska, M. Wasiak, I. Gronowska, M. Bugajski: “Montaż laserów kaskadowych na pasmo średniej podczerwieni”, Elektronika, vol.LII, nr.1, (2011).
  • P12110: K. Kosiel, A. Szerling, M. Bugajski, P. Karbownik, J. Kubacka-Traczyk, I. Sankowska, E. Pruszynska-Karbownik, A. Trajnerowicz, A. Wojcik-Jedlinska, M. Wasiak, D. Pierscinska, K. Pierscinski, S. Adhi, T.J. Ochalski, G. Huyet: “Chapter 13. Development of (l 9.4 mm) GaAs-Based Quantum Cascade Lasers Operating at the Room Temperature”, (2011).
  • P12133: M. Kaczmarczyk, M. Kaniewska, O. Engstrom: “The Influence of Inhomogeneous Trap Distribution on Results of DLTS Study”, Microelectronics Reliability, vol.51, (2011).
  • P12136: M. Kaniewska, O. Engstrom, A. Karmous, O. Kirfel, E. Kasper, B. Raeissi, J. Piscator, G. Zaremba, M. Kaczmarczyk, B. Surma, A. Wnuk, M. Wzorek, A. Czerwinski: “Hole Emission Mechanism in Ge/Si Quantum Dots”, Physica Status Solidi C, vol.8, (2011).
  • P12137: M. Kaniewska, O. Engstrom, A. Karmous, O. Kirfel, E. Kasper, B. Raeissi, J. Piscator, G. Zaremba, M. Kaczmarczyk, M. Wzorek, A. Czerwinski, B. Surma, A. Wnuk: “Spatial Variation of Hole Eigen Energies in Ge/Si Quantum Wells”, (2011).
  • P12141: A. Taube, S. Gieraltowska, T. Gutt, T. Malachowski, I. Pasternak, T. Wojciechowski, W. Rzodkiewicz, M. Sawicki, A. Piotrowska: “Electronic Properties of Thin HfO2 Films Fabricated by Atomic Layer Deposition on 4H-SiC”, Acta Physica Polonica A, vol.119, nr.5, (2011).
  • P12144: M. Wzorek, A. Czerwinski, A. Kuchuk, J. Ratajczak, A. Piotrowska, J. Katcki: “TEM Characterisation of Silicide Phase Formation in Ni-Based Ohmic Contacts to 4H n-SiC”, Materials Transactions, vol.52, (2011).
  • P12166: W. Slysz, M. Guziewicz, M. Borysiewicz, J. Domagala, I. Pasternak, K. Hejduk, W. Rzodkiewicz, J. Ratajczak, J. Bar, M. Wegrzecki, P. Grabiec, R. Grodecki, I. Wegrzecka, R. Sobolewski: “Ultrathin NbN Films for Superconducting Single-Photon Detectors”, Acta Physica Polonica A, vol.120, nr.1, (2011).
  • P12171: W. Jung: “Zastosowanie złącza metal-półprzewodnik do określania parametrów fizycznych struktur półprzewodnikowych”, lanl.arXiv.org/cond-mat/0306671, (2011).
  • P12204: R. Kruszka, K. Korwin-Mikke, I. Pasternak, M. Wzorek, E. Kaminska, A. Piotrowska: “Trawienia półprzewodników szerokoprzerwowych GaN i SiC”, (2011).
  • P12205: R. Kruszka, K. Golaszewska-Malec, A. Taube, I. Pasternak, K. Korwin-Mikke, M. Wzorek, E. Kaminska, A. Piotrowska: “Procesy trawienia suchego ICP w plazmie BCl3 cienkich warstw HfO2 wytworzonych techniką reaktywnego rozpylania katodowego”, (2011).
  • P12207: M. Guziewicz, J. Grochowski, M. Borysiewicz, E. Kaminska, J. Domagala, W. Rzodkiewicz, B. Witkowski, K. Golaszewska-Malec, R. Kruszka, M. Ekielski, A. Piotrowska: “Electrical and Optical Properties of NiO Films Deposited by Magnetron Sputtering”, Optica Applicata, vol.XLI, nr.2, (2011).
  • P12224: G. Zaremba, Z. Adamus, W. Jung, E. Kaminska, M. Borysiewicz, K. Korwin-Mikke: “Wpływ defektów o głębokich poziomach na wysokość bariery w diodzie Schottky ego 4H-SiC”, (2011).
  • P12225: M. Kaczmarczyk, M. Kaniewska, O. Engstrom: “Identyfikacja procesów emisji nośników w kropkach kwantowych izotermiczną techniką DLTS”, (2011).
  • P12248: M. Kaczmarczyk, M. Kaniewska, O. Engstrom: “Elektryczne profile w epitaksjalnym GaAs:Si z dużą koncentracją defektów o niejednorodnych rozkładach przestrzennych indukowanych przerwą wzrostu”, Elektronika, vol.LII, nr.5, (2011).
  • P12254: K. Golaszewska-Malec, J. Kiszkurno, W. Jung, A. Kuchuk, M. Guziewicz, E. Kaminska, A. Piotrowska: “Pomiary oporności właściwej kontaktów omowych fo n-SiC metodą c-TLM”, (2011).
  • P12255: W. Jung, K. Golaszewska-Malec, Z.R. Zytkiewicz, M. Sobanska, K. Klosek: “Wyznaczanie profilu koncentracji nośników i domieszek w strukturach 2DEG na bazie GaN”, (2011).
  • P12267: P. Borowicz, A. Kuchuk, Z. Adamus, M. Borysiewicz, M. Ekielski, E. Kaminska, A. Piotrowska, M. Latek: “Badania strukturalne warstw węglowych w niklowych kontaktach omowych za pomocą widzialnej i nadfioletowej spektroskopii ramanowskiej”, (2011).
  • P12270: M. Guziewicz, W. Jung, J. Grochowski, M. Borysiewicz, K. Golaszewska-Malec, R. Kruszka, B. Witkowski, J. Domagala, M. Gryzinski, K. Tyminska, P. Tulik, A. Piotrowska: “Influence of Thermal and Gamma Radiation on Electrical Properties of Thin NiO Films Formed by RF Sputtering”, Procedia Engineering, vol.25, (2011).
  • P12274: J. Grochowski, M. Guziewicz, M. Borysiewicz: “Analiza transmisji optycznej półprzewodnikowych warstw NiO osadzanych metodą magnetronowego rozpylania katodowego”, Elektronika, vol.LII, nr.7, (2011).
  • P12286: J. Lysko, P. Dumania, P. Janus, M. Grodner, H. Klos, K. Skwara, P. Grabiec: “Nanosensitive Silicon Microprobes for Mechanical Detection and Measurements”, Materials Sciences and Applications, vol.2, (2011).
  • P12291: G. Zaremba, Z. Adamus, W. Jung, E. Kaminska, M. Borysiewicz, K. Korwin-Mikke: “The Role of Deep Level Traps in Barrier Height of 4H-SiC Schottky Diode”, (2011).
  • P12316: R. Kruszka, K. Golaszewska-Malec, A. Taube, I. Pasternak, K. Korwin-Mikke, M. Wzorek, E. Kaminska, A. Piotrowska: “Procesy trawienia suchego ICP w plazmie Bcl3 cienkich warstw HfO2 wytworzonych techniką reaktywnego rozpylania katodowego”, Elektronika, vol.LII, nr.9, (2011).
  • P12320: G. Zaremba, Z. Adamus, W. Jung, E. Kaminska, M. Borysiewicz, K. Korwin-Mikke: “Wpływ defektów o głębokich poziomach na wysokość bariery w diodzie Schottky'ego 4H-SiC”, Elektronika, vol.LII, nr.9, (2011).
  • P12321: K. Golaszewska-Malec, J. Kiszkurno, W. Jung, A. Kuchuk, M. Guziewicz, E. Kaminska, A. Piotrowska: “Pomiary oporu właściwego kontaktów omowych do n-SiC metodą c-TLM”, Elektronika, vol.LII, nr.9, (2011).
  • P12322: W. Jung, K. Golaszewska-Malec, Z.R. Zytkiewicz, M. Sobanska, K. Klosek: “Wyznaczanie profilu koncentracji nośników i domieszek w strukturach 2DEG na bazie GaN”, Elektronika, vol.LII, nr.9, (2011).
  • P12326: P. Borowicz, A. Kuchuk, Z. Adamus, M. Borysiewicz, M. Ekielski, E. Kaminska, A. Piotrowska, M. Latek: “Badania strukturalne warstw węglowych w niklowych kontaktach omowych za pomocą widzialnej i nadfioletowej spektroskopii ramanowskiej”, Elektronika, vol.LII, nr.9, (2011).
  • P12327: R. Kruszka, K. Korwin-Mikke, I. Pasternak, M. Wzorek, E. Kaminska, A. Piotrowska: “Trawienia półprzewodników szerokoprzerwowych GaN i SiC”, Elektronika, vol.LII, nr.9, (2011).
  • P12328: M. Ekielski, Z. Sidor, M. Juchniewicz, M. Pluska, A. Piotrowska: “Optymalizacja procesu NIL pod kątem wytwarzania wzorów o wymiarach krytycznych 200 nm na krzemie o orientacji (100)”, Elektronika, vol.LII, nr.9, (2011).
  • P12329: M. Ekielski, Z. Sidor, M. Juchniewicz, M. Pluska, A. Piotrowska: “Optymalizacja procesu NIL pod kątem wytwarzania wzorów o wymiarach krytycznych 200 nm na krzemie o orientacji (100)”, (2011).
  • P12333: K. Lawniczak-Jablońska, M.T. Klepka, A. Wolska, E. Dynowska, M. Borysiewicz: “Wyznaczanie faz powstających w trakcie procesów technologicznych nanoszenia warstw Ti-Si-C na szafir”, (2011).
  • P12334: P. Mihalovits, A. Piotrowska: “InTechFun - aspekty finansowe i prawne Projektu, postęp w realizacji specyficznych zadań Programu Operacyjnego Innowacyjna Gospodarka”, (2011).
  • P12335: A. Domanowska, A. Klimasek, E. Lisiecka, P. Bidzinski, B. Adamowicz, J. Szewczenko, A. Taube, K. Korwin-Mikke, S. Gieraltowska, J. Zywicki: “Profilowanie składu chemicznego tlenkowych warstw pasywacyjnych metodą spektromikroskopii elektronów Augera”, (2011).
  • P12336: P. Mihalovits, A. Piotrowska: “InTechFun - aspekty finansowe i prawne Projektu, postęp w realizacji specyficznych zadań Programu Operacyjnego Innowacyjna Gospodarka”, Elektronika, vol.LII, nr.9, (2011).
  • P12337: A. Piotrowska, E. Kaminska: “Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych - Panorama Projektu PO IG 01.03.01-00-159/08 InTechFun”, Elektronika, vol.LII, nr.9, (2011).
  • P12338: A. Domanowska, A. Klimasek, E. Lisiecka, P. Bidzinski, B. Adamowicz, J. Szewczenko, A. Taube, K. Korwin-Mikke, S. Gieraltowska, J. Zywicki: “Profilowanie składu chemicznego tlenkowych warstw pasywacyjnych metodą spektromikroskopii elektronów Augera”, Elektronika, vol.LII, nr.9, (2011).
  • P12339: K. Lawniczak-Jablońska, M.T. Klepka, A. Wolska, E. Dynowska, M. Borysiewicz: “Wyznaczanie faz powstających w trakcie procesów technologicznych nanoszenia warstw Ti-Si-C na szafir”, Elektronika, vol.LII, nr.9, (2011).
  • P12351: M. Kaczmarczyk, M. Kaniewska, O. Engstrom: “Identyfikacja procesów emisji nośników w kropkach kwantowych izotermiczną techniką DLTS”, Elektronika, vol.LII, nr.9, (2011).
  • P12352: A. Taube, K. Korwin-Mikke, T. Gutt, T. Malachowski, I. Pasternak, M. Wzorek, A. Laszcz, M. Pluska, W. Rzodkiewicz, A. Piotrowska, S. Gieraltowska, M. Sochacki, R. Mroczynski, E. Dynowska, J. Szmidt: “Wytwarzanie i charakteryzacja cienkich warstw tlenku hafnu dla zastosowań w technologii MOSFET w wegliku krzemu”, Elektronika, vol.LII, nr.9, (2011).
  • P12353: A. Taube, K. Korwin-Mikke, S. Gieraltowska, T. Gutt, T. Malachowski, M. Wzorek, A. Laszcz, M. Pluska, E. Dynowska, M. Sochacki, R. Mroczynski, I. Pasternak, W. Rzodkiewicz, J. Szmidt, A. Piotrowska: “Wytwarzanie i charakteryzacja cienkich warstw tlenku hafnu dla zastosowań w technologii MOSFET w węgliku krzemu”, (2011).
  • P12359: M. Guziewicz, W. Jung, J. Grochowski, M. Borysiewicz, K. Golaszewska-Malec, A. Piotrowska, R. Kruszka, A. Baranska, B. Witkowski, J. Domagala, M. Gryzinski, K. Tyminska, A. Stonert: “Capability of Semiconducting NiO Films in Gamma Radiation Dosimetry”, Acta Physica Polonica A, vol.120, nr.6-A, (2011).
  • P12383: M. Wzorek, A. Laszcz, A. Czerwinski, J. Ratajczak, M. Pluska, M. Borysiewicz, A. Taube, S. Gieraltowska, A. Kuchuk, K. Korwin-Mikke, A. Piotrowska, J. Katcki: “Badania elektronomikroskopowe struktur półprzewodnikowych wytwarzanych w oparciu o SiC i ZnO”, (2011).
  • P12396: J. Grochowski, M. Guziewicz, M. Borysiewicz, Z. Sidor, R. Kruszka, A. Piotrowska: “Influence of Capping SiO2 Layer on Stability of NiO Thin Film under Thermal Stress”, (2011).
  • P12397: M. Mysliwiec, M. Sochacki, R. Kisiel, M. Guziewicz, M. Wzorek: “TiAl-Based Ohmic Contacts on p-Type SiC”, (2011).
  • P12402: M. Juchniewicz, A. Dybko: “Bezkontaktowy konduktometr mikroprzepływowy z nowym rodzajem elektrod”, Wiadomości Elektrotechniczne, vol.LXXIX, nr.10, (2011).
  • P12495: P. Struk, T. Pustelny, K. Golaszewska-Malec, E. Kaminska, M. Borysiewicz, M. Ekielski, A. Piotrowska: “Photonic Structures with Grating Couplers Based on ZnO”, Opto-Electronics Review, vol.19, nr.4, (2011).

» return

» 2010

  • P11811: A. Misiuk, W. Jung, M. prujszczyk, J. Bak-Misiuk, J. Felba: “Ujawnianie napromieniowania elektronami krzemu otrzymanego metodą Czochralskiego poprzez jego po-radiacyjną obróbkę termiczną”, Przegląd Elektrotechniczny, vol.86, nr.7, (2010).
  • P11838: W. Jung, G. Zaremba, O. Engstrom, M. Kaniewska: “Electron Eigen States in Quantum Dots Revealed by Temperature Derivative Capacitance Spectroscopy”, (2010).
  • P11858: M. Kaniewska, O. Engstrom, M. Kaczmarczyk: “Classification of Energy Levels in Quantum Dot Structures by Means of Depleted Layer Spectroscopy”, Journal of Electronic Materials, vol.39, nr.6, (2010).
  • P11873: A. Misiuk, J. Bak-Misiuk, W. Jung, J. Felba, W.K. Wierzchowski, K. Wieteska, M. prujszczyk: “Revealing the Defects in Electron-Irradiated Czochralski Silicon”, Radiation Measurements, vol.45, (2010).
  • P11935: A. Kuchuk, M. Guziewicz, R. Ratajczak, M. Wzorek, V.P. Kladko, A. Piotrowska: “Reliability Tests of Au-Metallized Ni-Based Ohmic Contacts to 4H-n-SiC with and without Nanocomposite Diffussion Barriers”, Materials Science Forum, vol.645-648, (2010).
  • P11936: E. Kaminska, A. Piotrowska, I. Pasternak, M. Borysiewicz, M. Ekielski, K. Golaszewska-Malec, W. Rzodkiewicz, T. Wojciechowski, E. Dynowska, P. Struk, T. Pustelny: “Fabrication, Processing and Characterization of Thin Film ZnO for Integrated Optical Gas Sensors”, (2010).
  • P11967: M. Bugajski, K. Kosiel, A. Szerling, J. Kubacka-Traczyk, I. Sankowska, P. Karbownik, A. Trajnerowicz, E. Pruszynska-Karbownik, K. Pierscinski, D. Pierscinska: “GaAs/AlGaAs (9.4 mm) Quantum Cascade Lasers Operating at 260 K”, Bulletin of the Polish Academy of Sciences: Technical Sciences, vol.58, nr.4, (2010).
  • P12043: Z. Adamus, A. Kuchuk, M. Wzorek, A. Barcz, E. Kaminska, A. Piotrowska: “Formation of Ni/Si Based Ohmic Contacts to n-Type 4H-SiC”, Elektronika, vol.LI, nr.9, (2010).
  • P12044: Z. Adamus, A. Kuchuk, M. Wzorek, A. Barcz, E. Kaminska, A. Piotrowska: “Formation of Ni/Si Based Ohmic Contacts to n-Type 4H-SiC”, (2010).
  • P12045: A. Piotrowska, P. Mihalovits, E. Kaminska, M. Borysiewicz, M. Wzorek, T. Gutt, H.M. Przewlocki, M. Guziewicz, M. Ekielski, M. Juchniewicz, K. Korwin-Mikke, A. Taube, R. Kruszka, I. Pasternak, Z. Adamus, K. Golaszewska-Malec, A. Barcz, A. Czerwinski, G. Zaremba: “Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych (InTechFun)”, (2010).
  • P12055: M. Ekielski, M. Juchniewicz, I. Pasternak, A. Piotrowska: “Wytwarzanie submikrometrowych wzorów techniką nanostemplowania”, Elektronika, vol.LI, nr.9, (2010).
  • P12090: S. Delage, E. Morvan, N. Sarazin, R. Aubry, E. Chartier, O. Jardel, M.-A. di Forte-Poisson, C. Dua, J.C. Jacquet, S. Piotrowicz, A. Piotrowska, E. Kaminska, J.C. De Jaeger, C. Gaquiere, U. Heinlen, E. Kohn, M. Alomari, D. Maier, J. Kuzmik, D. Pogany: “Achievement and Perspective of GaN Technology for Microwave Applications”, (2010).
  • P12093: P. Kowalski, B. Latecki, Z. Gniazdowski, W. Milczarek, K. Skwara: “Krzemowa mikropompka gazowa z napędem piezoelektrycznym”, Elektronika, vol.LI, nr.6, (2010).
  • P12100: K. Kosiel, A. Szerling, P. Karbownik, J. Kubacka-Traczyk, A. Trajnerowicz, E. Pruszynska-Karbownik, D. Pierscinska, M. Bugajski: “Lasery kaskadowe na zakres średniej podczerwieni”, (2010).
  • P12105: K. Kosiel, A. Szerling, P. Karbownik, J. Kubacka-Traczyk, E. Pruszynska-Karbownik, A. Trajnerowicz, D. Pierscinska, M. Bugajski: “Lasery kaskadowe na zakres średniej podczerwieni”, Elektronika, vol.LI, nr.10, (2010).
  • P12106: A. Baranska, K. Kosiel, J. Kubacka-Traczyk, M. Bugajski, I. Pasternak, T. Plocinski, K. Kurzydlowski: “Morfologia powierzchni międzyfazowych w wielowarstwowych strukturach periodycznych AlGaAs/GaAs”, Elektronika, vol.LI, nr.10, (2010).
  • P12107: A. Trajnerowicz, P. Karbownik, E. Pruszynska-Karbownik, A. Szerling, K. Kosiel, M. Bugajski: “Wpływ parametrów zasilania na parametry aplikacyjne laserów kaskadowych na zakres średniej podczerwieni”, Elektronika, vol.LI, nr.10, (2010).
  • P12125: L. Athanasekos, m Vasileiadis, A. Tsigara, E. Kaminska, A. Piotrowska, D. Alexandropoulos, M.M. Sigalas, N. Vainos: “Multilayer Metal/Metal-Oxide Diffractive Structure for Photonic Temperature Sensing”, Optics Letters, vol.35, nr.23, (2010).
  • P12130: R. Kisiel, Z. Szczepanski, R. Biadun, N. Kwietniewski, A. Piotrowska, M. Guziewicz, E. Kaminska, M. Borysiewicz, K. Golaszewska-Malec: “Technologia kontaktów omowych i montażu dla przyrządów z węglika krzemu”, (2010).
  • P12209: P. Borowicz, A. Kuchuk, Z. Adamus, M. Borysiewicz, M. Ekielski, E. Kaminska, A. Piotrowska, M. Latek: “Structural Investigations of Carbonic Layer at the Interface of Ni-Based Ohmic Contact Deposited on Silicon Carbide Substrate”, (2010).

» return

» 2009

  • P11593: W. Jung, M. Guziewicz: “Schottky Diode Parameters Extraction Using Lambert W Function”, Materials Science and Engineering B, vol.165, (2009).
  • P11602: M. Kaczmarczyk, M. Kaniewska, J. Piscator, O. Engstrom, B. Surma, S. Lin, R. Peaker: “Comprehensive Study of InAs/GaAs Quantum Dots by Means of Complementary Methods”, Materials Science and Engineering B, vol.165, (2009).
  • P11603: G. Zaremba, M. Kaniewska, W. Jung, M. Guziewicz, K. Grasza: “Electrical Characterization of 6H-SiC Grown by Physical Vapor Transport Method”, Materials Science and Engineering B, vol.165, (2009).
  • P11644: A. Kazmierczak-Balata, J. Bodzenta, D. Korte-Kobylinska, J. Mazur, K. Golaszewska-Malec, E. Kaminska, A. Piotrowska: “Determination of Thermal Conductivity of Thin Layers Used as Transparent Contacts and AR Contaings with Photothermal Method”, Applied Optics, vol.48, (2009).
  • P11661: M. Borysiewicz, E. Kaminska, A. Piotrowska, I. Pasternak, R. Jakiela, E. Dynowska: “Phase Formation in Ti-AL-N MAX-phase Contacts to GaN”, Materials Science Forum, vol.615-617, (2009).
  • P11769: N. Kwietniewski, K. Golaszewska-Malec, T.T. Piotrowski, W. Rzodkiewicz, T. Gutt, M. Sochacki, J. Szmidt, A. Piotrowska: “Oxidation Process of SiC by RTP Technique”, Materials Science Forum, vol.615-617, (2009).
  • P11821: M. Ekielski, R. Kruszka, K. Korwin-Mikke, M. Borysiewicz, M. Wzorek: “Trawienie plazmowe cienkich warstw Ti3SiC2”, Elektronika, vol.L, nr.10, (2009).
  • P11859: O. Engstrom, M. Kaniewska, M. Kaczmarczyk: “Confined Energy States in Quantum Dots Detected by a Resonant Differential Capacitance Method”, Applied Physics Letters, vol.95, (2009).
  • P11860: O. Engstrom, M. Kaniewska, M. Kaczmarczyk: “Confined Energy States in Quantum Dots Detected by a Resonant Differential Capacitance Method”, Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology, vol.20, nr.14, (2009).
  • P11884: A. Baraniecka, M. Gorska, M. Zaborowski, P. Prokaryn, R. Szczypinski, K. Skwara, D. Szmigiel, A. Sierakowski, M. nieprzecki, W. Milczarek, J. Lysko, D. Pijanowska, P. Grabiec: “Mikroprzepływowe immunoczujniki z detekcją amperometryczną”, Elektronika, vol.L, nr.12, (2009).
  • P11898: P. Struk, T. Pustelny, K. Gut, K. Golaszewska-Malec, E. Kaminska, M. Ekielski, I. Pasternak, E. Lusakowska, A. Piotrowska: “Planar Optical Waveguides Based on Thin ZnO Layers”, Acta Physica Polonica A, vol.116, nr.3, (2009).
  • P11899: K. Golaszewska-Malec, E. Kaminska, I. Pasternak, R. Kruszka, M. Ekielski, A. Piotrowska, P. Struk, T. Pustelny, T. Wojciechowski: “Warstwy ZnO jako falowody planarne w układach optyki zintegrowanej”, (2009).
  • P11907: K. Kosiel, A. Szerling, P. Karbownik, J. Kubacka-Traczyk, E. Pruszynska-Karbownik, A. Trajnerowicz, M. Bugajski: “Development of (l~9.4mm) GaAs-Based Quantum Cascade Lasers”, (2009).
  • P11923: J. Szmidt, M. Sochacki, A. Piotrowska, M. Guziewicz, P. Kowalczyk, N. Kwietniewski, K. Pazio, A. Taube, M. Waskiewicz: “Przyrządy unipolarne i struktury tranzystorowe na potrzeby elektroniki wysokotemperaturowej”, (2009).
  • P11925: R. Kisiel, M. Guziewicz, A. Piotrowska, E. Kaminska, K. Golaszewska-Malec, N. Kwietniewski, W. Paszkowicz, K. Pagowska, R. Ratajczak, A. Stonert: “Stability of Gold Bonding and Ti/Au Ohmic Contact Metallization to n-SiC in High Power Devices”, (2009).
  • P11927: M. Borysiewicz, M.-A. di Forte-Poisson, M. Ekielski, E. Kaminska, A. Piotrowska, R. Jakiela, E. Dynowska, T. Wojciechowski: “Fabrication of Thin Film Ti-S-C for Reliable Metallization to Power AlInN/GaN HEMTs”, (2009).
  • P11928: E. Kaminska, I. Pasternak, A. Piotrowska, O. Volnianska, P. Bogusławski, E. Dynowska, A. Barcz, E. Przezdziecka: “A Study of Dual Acceptor Behaviour in p-ZnO: Ag-N and Sb-N”, (2009).
  • P11929: M. Zaborowski, P. Grabiec, R. Dobrowolski, A. Panas, K. Skwara, D. Szmigiel, M. Wzorek: “Nanoscale Pattern Definition by Edge Oxidation of Silicon under the Si3N4 Mask - PaDEOx”, Acta Physica Polonica A, vol.116, nr.Sup, (2009).
  • P11942: R. Kruszka, M. Ekielski, K. Korwin-Mikke, Z. Sidor, M. Wzorek, A. Piotrowska, R.P. Sarzała, T. Czyszanowski, W. Nakwaski: “Kryształy fotoniczne GaAs/AlGaAs dla laserów półprzewodnikowych typu VCSEL”, (2009).
  • P11970: O. Volnianska, P. Bogusławski, J. Kaczkowski, P. Jakubas, A. Jezierski, E. Kaminska: “Theory of Doping Properties of Ag Acceptors in ZnO”, Physical Review B, vol.80, (2009).

» return

» 2008

  • P11430: B. Jaroszewicz, M. Zaborowski, D. Tomaszewski, J. Taff, A. Panas, K. Skwara, A. Malinowski, P. Grabiec: “Rozwój konstrukcji technologii struktur ISFET z kontaktami od spodu (BSC ISFET) przeznaczonych do monitorowania środowiska wodnego”, (2008).
  • P11436: T. Piotrowski, M. Kaczmarczyk: “Statistical Methods of Determining thr True Values of the QD Dimensions Based on Atomic Force Microscopy”, Journal of Materials Science: Materials in Electronics, vol.19, (2008).
  • P11442: M. Guziewicz, E. Kaminska, A. Piotrowska, K. Golaszewska-Malec, J. Domagala, M.A. Poisson, H. Lahreche, R. Langer, P. Bove: “Comparative Study on Stress in AlGaN/GaN HEMT Structures Grown on 6H-SiC, Si and Composite Substrates of the 6H-SiC/poly-SiC and Si/poly-SiC”, Journal of Physics: Conference Series, vol.100, (2008).
  • P11446: N. Kwietniewski, M. Sochacki, M. Guziewicz, E. Kaminska, A. Piotrowska: “Influence of Surface Cleaning Effects on Properties of Schottky Diodes on 4H-SiC”, Applied Surface Science, vol.254, (2008).
  • P11448: A. Piotrowska, E. Papis, E. Kaminska, K. Golaszewska-Malec, T. Pustelny, E. Maciak, Z. Opilski: “ZnO Sensing Structure for NH3 Detection”, European Physical Journal - Special Topics, vol.154, nr.1, (2008).
  • P11459: M. Kaniewska, O. Engstrom, M. Kaczmarczyk, G. Zaremba: “Thermal Instability of Electron Traps in InAs/GaAs Quantum Dot Structures”, Journal of Materials Science: Materials in Electronics, vol.19, (2008).
  • P11462: M. Kaniewska, O. Engstrom, M. Kaczmarczyk, B. Surma, W. Jung, G. Zaremba: “Electrical Study of InAs/GaAs Quantum Dots with Two Different Environments”, Physica Status Solidi C, vol.5, nr.9, (2008).
  • P11463: M. Kaczmarczyk, T. Piotrowski, M. Kaniewska, O. Engstrom, J. Piscator, M. Sadeghi, S. Pawlowski: “Analiza wymiarów samozorganizowanych kropek kwantowych z InAs/GaAs wykonanych techniką MBE”, Elektronika, nr.2, (2008).
  • P11488: J. Bodzenta, K. Golaszewska-Malec, E. Kaminska, A. Kazmierczak-Balata, A. Piotrowska, M. Pyka, P. Szperlich: “Photothermal Measurements in Determination of the Thermal Diffusivity of SiC”, European Physical Journal - Special Topics, vol.153, nr.1, (2008).
  • P11532: A. Misiuk, K.S. Zhuravlev, W. Jung, M. prujszczyk, E.A. Steinman: “Dislocation-related Photoluminescence from Processed Si”, Journal of Materials Science: Materials in Electronics, vol.19, (2008).
  • P11543: S. Sikorski, J. Pultorak, W. Jung, T. Piotrowski: “Excess Current Carrier Distribution in the Base Region of the Semiconductor Multi-junction Structure”, Electron Technology - Internet Journal, vol.39, nr.6, (2008).
  • P11556: M. Sakowicz, J. Lusakowski, K. Karpierz, M. Grynberg, W. Knap, K. Kohler, G. Valusis, K. Golaszewska-Malec, E. Kaminska, A. Piotrowska: “Terahertz Detection by Two Dimensional Plasma Field Effect Transistors in Quantizing Magnetic Fields”, Applied Physics Letters, vol.92, (2008).
  • P11560: E. Kaminska, A. Piotrowska, M.A. Forte Poisson, S. Delage, H. Lahreche, N. Kwietniewski, I. Pasternak, R. Kruszka, M. Guziewicz, P. Bogusławski, E. Dynowska, M. Borysiewicz: “Application of ZnO to Passivate the GaN-based Device Structures”, (2008).
  • P11615: P. Dumania, J. Lysko, H. Klos, M. Grodner, K. Skwara, D. Szmigiel: “Oscylator pierścieniowy CMOS jako układ detekcji odkształcenia nanoczułych mikrosond krzemowych”, Elektronika, nr.6, (2008).
  • P11650: N. Kwietniewski, M. Sochacki, J. Szmidt, M. Guziewicz, E. Kaminska, A. Piotrowska: “Wpływ procesów przygotowania podłoża 4H-SiC na właściwości diod Schottky'ego”, Elektronika, vol.49, nr.9, (2008).
  • P11655: M. Borysiewicz, E. Kaminska, A. Piotrowska, I. Pasternak, R. Jakiela, E. Dynowska: “Ti-Al-N MAX Phase, a Candidate for Ohmic Contacts to n-GaN”, Acta Physica Polonica A, vol.114, nr.5, (2008).
  • P11662: M. Borysiewicz, E. Kaminska, A. Piotrowska, N. Kwietniewski, I. Pasternak, R. Kruszka, M. Guziewicz, W. Rzodkiewicz, M.-A. di Forte-Poisson, S. Delage, H. Lahreche, E. Dynowska: “Surface Passivation of AlGaN/GaN Heterostructures Using ZnO-based Dielectrics and its Application to HEMTs”, (2008).
  • P11681: M. Sakowicz, J. Lusakowski, K. Karpierz, M. Grynberg, W. Knap, K. Kohler, G. Valusis, K. Golaszewska-Malec, E. Kaminska, A. Piotrowska: “Terahertz Detection by Field-effect Transistors in Magnetic Fields: Shallow vs Deep Water Mechanism of Electron Plasma Instability”, Journal of High Speed Electronics, vol.18, nr.4, (2008).
  • P11716: M. Sakowicz, J. Lusakowski, K. Karpierz, M. Grynberg, W. Knap, K. Kohler, G. Valusis, K. Golaszewska-Malec, E. Kaminska, A. Piotrowska, P. Caban, W. Strupinski: “Terahertz Detection by the Entire Channel of High Electron Mobility Transistors”, Acta Physica Polonica A, vol.114, nr.5, (2008).
  • P11764: K. Golaszewska-Malec, E. Kaminska, T. Pustelny, P. Struk, T. Piotrowski, A. Piotrowska, M. Ekielski, R. Kruszka, M. Wzorek, M. Borysiewicz, I. Pasternak, K. Gut: “Planar Optical Waveguides for Application in Optoelectronic Gas Sensors”, Acta Physica Polonica A, vol.114, (2008).

» return

» 2007

  • P10003: K. Golaszewska-Malec, E. Kaminska, A. Piotrowska, J. Rutkowski, R. Kruszka, E. Kowalczyk, E. Papis-Polakowska, T.T. Piotrowski, A. Wawro: “Transparent Ohmic Contacts to GaSb/In(Al)GaAsSb Photovoltaic Cells”, Physica Status Solidi A, vol.204, nr.4, (2007).
  • P10009: W. Jung, A. Misiuk: “Influence of Pressure Annealing on Electrical Properties of Mn Implanted Silicon”, Vacuum, vol.81, nr.10, (2007).
  • P10010: W. Jung, I.V. Antonova, A. Misiuk: “Study of Defects in Near-Surface Layer Created in Silicon by H2+ or He+ Implantation”, Vacuum, vol.81, nr.9, (2007).
  • P10022: W. Jung, T. Piotrowski, S. Sikorski, M. Lipinski, P. Panek, P. Zieba: “Study of Bulk Photovoltaic Effect and Photovoltaic Barrier Effect Distributions in Multicrysta Lline Silicon”, Physica Status Solidi C, vol.4, nr.8, (2007).
  • P10055: A. Misiuk, B. Surma, J. Bak-Misiuk, C.A. Londos, P. Vagovic, I. Kovacevic, B. Pivac, W. Jung, M. prujszczyk: “Revealing the Radiation - Induced Effects in Silicon by Processing at Enhanced Temperatures - Pressures”, Radiation Measurements, vol.42, nr.4-5, (2007).
  • P10070: E. Papis, A. Piotrowska, E. Kaminska, K. Golaszewska-Malec, R. Kruszka, T.T. Piotrowski, W. Rzodkiewicz, J. Szade, A. Winiarski, A. Wawro: “Sulphur Passivation of GaSb, InGaAsSb and AlGaAsSb Surfaces”, Physica Status Solidi C, vol.4, nr.4, (2007).
  • P10072: T. Piotrowski, W. Jung, S. Sikorski: “Application of Non-linear Theory to Analysis of Benedicks Effect in Semiconductors”, Physica Status Solidi A, vol.204, nr.4, (2007).
  • P10356: E. Przezdziecka, E. Kaminska, K.P. Korona, E. Dynowska, W. Dobrowolski, R. Jakiela, W. Pacuski, Ł. Klopotowski, J. Kassut: “Optical Properties of P-type ZnO and ZnMnO Doped by N and/or As Acceptors”, (2007).
  • P10358: E. Kaminska, E. Przezdziecka, A. Piotrowska, J. kossut, E. Dynowska, R. Jakiela, W. Dobrowolski, P. Bogusławski, I. Pasternak, E. Lusakowska: “Towards Efficient P-type Doping ZnO with Group-v Atoms: N Versus As and Sb”, (2007).
  • P10510: S. Sikorski, W. Jung: “Modelling of Schottky Contacts for Admittance and Impurity Profiling Measurements”, Electron Technology - Internet Journal, vol.39, nr.5, (2007).
  • P10545: K. Skwara, K. Witek: “Influence of Environmental Conditions on Pb-free Solder Joints Quality”, (2007).
  • P10981: A. Misiuk, P. Formanek, I.V. Antonova, J. Bak-Misiuk, W. Jung, M. prujszczyk: “Development of Nanostructure in Nitrogen-implanted Silicon Processed at Enhanced Temperature-pressure”, (2007).
  • P11441: M. Guziewicz, E. Kaminska, A. Piotrowska, K. Golaszewska-Malec, J. Domagala, H. Lahreche, R. Langer, P. Bove, M.A. Poisson: “Stress-temperature Dependence in (Al)GaN HEMT Structure Grown on the Composite SiC Substrates”, (2007).
  • P11445: E. Przezdziecka, E. Kaminska, I. Pasternak, A. Piotrowska, J. kossut: “Photoluminescence Study of p-type ZnO:Sb Prepared by Thermal Oxidation of the Zn-Sb Starting Material”, Physical Review B, vol.76, (2007).
  • P11456: J. Bodzenta, K. Golaszewska-Malec, E. Kaminska, A. Kazmierczak-Balata, A. Piotrowska, M. Pyka: “Thermal Properties of SiC - Results of Photothermal Measurements”, (2007).
  • P11460: O. Engstrom, M. Kaniewska, M. Kaczmarczyk, W. Jung: “Electron Tunneling from Quantum Dots Characterized by Deep Level Transient Spectroscopy”, Applied Physics Letters, vol.91, (2007).
  • P11461: O. Engstrom, M. Kaniewska, W. Jung, M. Kaczmarczyk: “Three Dimensional Mapping of Thermal and Tunnelling Electron Emission from InAs/GaAs Quantum Dots”, Applied Physics Letters, vol.91, (2007).
  • P11473: M. Guziewicz, A. Piotrowska, E. Kaminska, J. Domagala, M.A. Poisson, H. Lahreche, R. Langer, P. Bove: “Evaluation of Stress in AlGaN/GaN HEMT Structures Grown on Composite Substrates of the Type Mono-Si/poly-SiC and Mono-SiC/poly-SiC”, (2007).
  • P11559: E. Kaminska, E. Przezdziecka, A. Piotrowska, J. kossut, P. Bogusławski, I. Pasternak, R. Jakiela, E. Dynowska: “Properties of P-type ZnO Grown by Oxidation of Zn -Group-V Compounds”, (2007).

» return

» 2006

  • P10011: W. Jung, A. Misiuk, J. Felba, I.E. Megela, Yu. Azhniuk, M. prujszczyk: “Electrical Properties of Electron - Irradiated Czi-Si After Processing Under Enhanced Hydrostatic Pressure”, Elektrotechnika i Elektronika, vol.5-6, (2006).
  • P10054: A. Misiuk, C.A. Londos, J. Bak-Misiuk, D. Yang, W. Jung, M. prujszczyk: “Stress Dependent Transformation of Interstitial Oxygen in Processed Ge-Doped Cz-Si”, Nuclear Instruments & Methods in Physics Res. B, vol.253, nr.1-2, (2006).
  • P10057: A. Misiuk, B. Surma, J. Bak-Misiuk, I.V. Antonova, W. Jung, M. prujszczyk: “Stress-Induced Defects in Processed Electron - Irradiated Cz-Si”, Elektrotechnika i Elektronika, vol.5-6, (2006).
  • P10121: M. Guziewicz, A. Piotrowska, E. Kaminska, K. Grasza, R. Diduszko, A. Stonert, A. Turos, M. Sochacki, J. Szmidt: “Ta-Si Contacs to N-SiC for High Temperatures Devices”, Materials Science and Engineering B, vol.135, nr.3, (2006).
  • P10169: E. Przezdziecka, E. Kaminska, E. Dynowska, W. Dobrowolski, R. Jakiela, Ł. Klopotowski, M. Sawicki, K. Kiecana, J. kossut: “P-type ZnO and ZnMnO by Oxidation of Zn(Mn)Te Films”, Physica Status Solidi C, vol.3, nr.4, (2006).
  • P10171: E. Kaminska, E. Przezdziecka, A. Piotrowska, J. kossut, E. Dynowska, W. Dobrowolski, A. Barcz, R. Jakiela, E. Lusakowska, J. Ratajczak: “ZnO-based P-N Junctions with P-type ZnO by ZnTe Oxidation”, (2006).
  • P10242: A. Misiuk, B. Surma, J. Bak-Misiuk, A. Barcz, W. Jung, W. Osinniy, A. Shalimov: “Effect of Pressure Annealing on Structure of Si:Mn”, Materials Science in Semiconductor Processing, vol.9, nr.1-3, (2006).
  • P10271: G. Grabecki, J. Wrobel, T. Dietl, E. Janik, M. Aleszkiewicz, E. Papis, E. Kaminska, A. Piotrowska, G. Springholz, G. Bauer: “PbTe-a New Medium for Quantum Ballistic Devices”, Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures, vol.34, nr.1-2, (2006).
  • P10274: A. Piotrowska, M. Guziewicz, E. Kaminska, E. Dynowska, A. Stonert, A. Turos, S. Figge, R. Kroeger, D. Hommel: “Anti-diffusion Barriers for Gold-based Metallization to P-GaN”, (2006).
  • P10283: W. Jung, A. Misiuk, D. Yang: “Effect of High Pressure Annealing on Electrical Properties of Nitrogen and Germanium Doped Silicon”, Nuclear Instruments & Methods in Physics Res. B, nr.253, (2006).
  • P10352: A. Misiuk, L. Chow, A. Barcz, B. Surma, J. Bak-Misiuk, P. Romanowski, W. Osinniy, F. Salman, G. Chai, M. prujszczyk, A. Trojan: “New Silicon-based Materials for Spintronics Applications - Si:V and Si:Cr”, (2006).
  • P10354: T. Mazingue, L. Escoubas, L. Spalluto, F. Flory, P. Jacquounton, A. Perrone, E. Kaminska, A. Piotrowska, I. Mihalescu, P. Atanasov: “Optical Characterisations of ZnO, SnO2, and TiO2 thin Films for Butane”, Applied Optics, vol.45, nr.7, (2006).
  • P10355: G. Grabecki, J. Wrobel, P. Zagrajek, K. Fronc, M. Aleszkiewicz, T. Dietl, E. Papis, E. Kaminska, A. Piotrowska, G. Springholz, G. Bauer: “Quantum Nanostructures of Paraelectric PbTe”, Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures, vol.35, nr.2, (2006).
  • P10357: E. Przezdziecka, E. Kaminska, K. Kiecana, M. Sawicki, Ł. Klopotowski, W. Pacuski, J. Kassut: “Magneto-optical Properties of the Diluted Magnetic Semiconductor P-type ZnMnO”, Solid State Communications, vol.139, (2006).
  • P10360: E. Kaminska, A. Piotrowska, A. Szczesny: “Processing Issues for GaN-based Devices Targeting High Temperature Application”, (2006).
  • P10530: M. Bednorz, M. Urbanczyk, T. Pustelny, A. Piotrowska, E. Papis, Z. Sidor, E. Kaminska: “Application of SU8 Polymer in Waveguide Interferometer Ammonia Sensor”, Molecular and Quantum Acoustics. Annual Journal, vol.27, (2006).
  • P10532: M. Bednorz, M. Urbanczyk, T. Pustelny, A. Piotrowska, E. Papis, Z. Sidor, E. Kaminska: “Application of SU8 Polymer in Waveguide Interferometer Ammonia Sensor”, Molecular and Quantum Acoustics. Annual Journal, vol.27, (2006).

» return

» 2005

  • P10130: D. Dobosz, K. Golaszewska-Malec, Z.R. Zytkiewicz, E. Kaminska, A. Piotrowska, T.T. Piotrowski, A. Barcz, R. Jakiela: “Properties of ZrN Films as Substrate Masks in Liquid Phase Epitaxial Lateral Overgrowth of Compound Semiconductors”, Crystal Research and Technology, vol.40, nr.4-5, (2005).
  • P10164: E. Kaminska, A. Piotrowska, J. kossut, A. Barcz, R. Butkute, W. Dobrowolski, E. Dynowska, R. Jakiela, E. Przezdziecka, R. Lukasiewicz, M. Aleszkiewicz, P. Wojnar, E. Kowalczyk: “Transparent P-type ZnO Films Obtained by Oxidation of Sputter-deposited Zn3N2”, Solid State Communications, vol.135, nr.1-2, (2005).
  • P10165: E. Kaminska, J. kossut, A. Piotrowska, E. Przezdziecka, W. Dobrowolski, E. Dynowska, R. Butkute, A. Barcz, R. Jakiela, M. Aleszkiewicz, E. Janik, E. Kowalczyk: “Transparent P-type ZnO by Oxidation of Zn-based Compound”, AIP Conference Proceedings, vol.772, (2005).
  • P10166: M. Jelinek, A. Klini, T. Kocourek, R. Zeipl, A. Santoni, C. Fotakis, E. Kaminska: “Subpicosecond and Enhanced Nanosecond PLD to grow ZnO Films in Nitrogen Ambient”, Surface & Coatings Technology, vol.200, (2005).
  • P10167: N. Madamopoulos, G. Siganakis, A. Tsigara, L. Athanasekos, S. Pispas, N. Vainos, E. Kaminska, A. Piotrowska, A. Perrone, C Ristouscu, K. Kibasi: “Diffractive Optical Elements for Photonic Gas Sensors”, (2005).
  • P10168: T. Mazingue, L. Spalluto, L. Escoubas, F. Flory, M. Jelinek, I. Mihalescu, E. Kaminska, A. Piotrowska, A. Perrone: “Optical Sensitivity of Thin Films to Hydrocarbons and Ozone”, (2005).
  • P10250: I.V. Antonova, A. Misiuk, C.A. Londos, B. Surma, S.A. Smagulova, A. Bukowski, W. Jung, A. Barcz: “Pressure-induced Formation of Electrically Active Centers in Irradiated Silicon: Comparison of Electron and Neutron Irradiation”, Vacuum, vol.77, (2005).
  • P10259: W.K. Wierzchowski, A. Misiuk, K. Wieteska, J. Bak-Misiuk, W. Jung, A. Shalimov, W. Graeff, M. prujszczyk: “Defect Structure of Czochralski Silicon Co-implanted with Helium and Hydrogen and Treated at High Temperature-pressure”, Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, vol.8, nr.2, (2005).
  • P10270: G. Grabecki, J. Wrobel, T. Dietl, E. Janik, M. Aleszkiewicz, E. Papis, E. Kaminska, A. Piotrowska, G. Springholz, G. Bauer: “Disorder Suppression and Precise Conductance Quantization in Constructions of PbTe Quantum Wells”, Physical Review B, vol.72, (2005).
  • P10272: M. Sawicki, K.Y. Wang, K.W. Edmonds, R.P. Campion, C.R. Staddon, N.R.S. Farlay, C.T. Faxon, E. Papis, E. Kaminska, A. Piotrowska, T. Dietl, B.L. Gallagher: “In-plane Uniaxial Anisotropy Rotation in (Ga,Mn)As thin Films”, Physical Review B, vol.71, (2005).
  • P10314: A. Szczesny, E. Kaminska, A. Piotrowska, J. Szmidt: “GaN – materiał dla konstrukcji przyrządów pracujących przy wysokich częstotliwościach (HEMT) i w ekstremalnych warunkach ”, Elektronika, nr.2-3, (2005).
  • P10393: W. Jung, A. Misiuk, C.A. Londos: “Pressure Stimulated Creation of Oxygen Related Defects in Oxygen Implanted and Neutron Irradiated Silicon”, Vacuum, vol.35, nr.3, (2005).
  • P10477: M. Sochacki, R. Lukasiewicz, W. Rzodkiewicz, A. Werbowy, J. Szmidt: “Silicon Dioxide and Silicon Nitride as a Passivation and Edge Termination for 4H-SiC Schottky Diodes”, Diamond & Related Materials, vol.14, (2005).
  • P10517: W. Jung, A. Misiuk, C.A. Londos, D. Yang, I.V. Antonova, M. prujszczyk: “Influence of High Pressure Annealing on Electrical Properties of Surface Layer of Neutron Irradiated or Germanium-Doped Czochralski-Grown Silicon”, Optica Applicata, vol.35, nr.3, (2005).
  • P10565: W. Jung, A. Misiuk, J. Ratajczak, A. Barcz: “Effect of Heat Treatment at Enhanced Pressure on Electrical and Structural Properties of Silicon Surface Layer Co-implanted with Hydrogen and Helium Ions”, Opto-Electronics Review, vol.13, nr.1, (2005).
  • P10566: E. Kaminska, A. Piotrowska, K. Golaszewska-Malec, R. Lukasiewicz, A. Szczesny, E. Kowalczyk, P. Jagodzinski, M. Guziewicz, A. Kudla, A. Barcz, R. Jakiela: “Thermally Stable Transparent Ru-Si-O Schottky Contacts for n-type GaN and AlGaN”, (2005).
  • P10567: E. Kaminska, A. Piotrowska, A. Szczesny, R. Lukasiewicz, A. Kuchuk, K. Golaszewska-Malec, R. Kruszka, A. Barcz, R. Jakiela, E. Dynowska, A. Stonert, A. Turos: “Thermally Stable Ru-Si-O Gate Electrode for AlGaN/GaN HEMT”, Physica Status Solidi C, vol.2, nr.3, (2005).
  • P10568: E. Kaminska, A. Piotrowska, J. kossut, R. Butkute, W. Dobrowolski, R. Lukasiewicz, A. Barcz, R. Jakiela, E. Dynowska, E. Przezdziecka, M. Aleszkiewicz, E. Kowalczyk: “P-type Conducting ZnO: Fabrication and Characterization”, Physica Status Solidi C, vol.2, nr.3, (2005).
  • P10579: A. Piotrowska, E. Papis, K. Golaszewska-Malec, R. Lukasiewicz, E. Kaminska, T.T. Piotrowski, R. Kruszka, A. Kudla, J. Rutkowski, J. Szade, A. Winiarski, A. Wawro: “Improved Performance of GaSb-Based MIR Photodetectors through Electrochemical Passivation in Sulphur Containing Solutions”, (2005).
  • P10583: E. Przezdziecka, E. Kaminska, E. Dynowska, E. Janik, R. Butkute, W. Dobrowolski, H. Kepa, R. Jakiela, M. Aleszkiewicz, J. kossut: “Preparation and Characterization of Hexagonal MnTe and ZnO Layers ”, Physica Status Solidi C, vol.2, nr.3, (2005).
  • P10607: M. Sochacki, R. Lukasiewicz, J. Szmidt, W. Rzodkiewicz, M. Lesko, M. Wiatroszak: “Warstwy termicznego SiO2 i Si3N4 na węgliku krzemu (4H-SiC) dla przyrządów mocy MS i MIS ”, (2005).
  • P10608: A. Szczesny, E. Kaminska, A. Piotrowska, J. Szmidt: “GaN – materiał dla konstrukcji przyrządów pracujących przy wysokich częstotliwościach (HEMT) i w ekstremalnych warunkach ”, (2005).

» return

» 2004

  • P10394: M. Szelezniak, G. Deptuch, W. Dulinski, W. Jung, W. Kucewicz: “C-V and C-T Measurement and Data Analysis System in the Labview Environment”, (2004).
  • P10613: A.V. Antonov, V.I. Gavrilenko, E.V. Demidov, S.V. Morozov, A.A. Dubinov, J. Lusakowski, W. Knap, N. Dyakonova, E. Kaminska, A. Piotrowska, K. Golaszewska-Malec, M.S. Shur: “Electron Transport and Terahertz Radiation Detection in Submicrometer-sized GaAs/AlGaAs Field-effect Transistors with Two-dimensional Electron Gas”, Physics of the Solid State, vol.46, nr.1, (2004).
  • P10622: J. Dennemerck, T. Bottcher, S. Figge, S. Einfield, R. Kroeger, D. Hommel, E. Kaminska, W. Wiatroszak, A. Piotrowska: “Role of Sub-contact Layers in the Optimization of Low-resistivity Contacts to p-type GaN”, Physica Status Solidi C, vol.1, nr.10, (2004).
  • P10637: G. Grabecki, J. Wrobel, T. Dietl, E. Papis, E. Kaminska, A. Piotrowska, A. Ratuszna, G. Springholz, G. Bauer: “Ballistic Transport in PbTe-based Nanostructures”, Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures, vol.20, nr.3-4, (2004).
  • P10638: G. Grabecki, J. Wrobel, K. Fronc, M. Aleszkiewicz, E. Guziewicz, E. Papis, E. Kaminska, A. Piotrowska, H. Shtrikman, T. Dietl: “Unidirectional Transmission of Electrons in a Magnetic Field Gradient”, Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures, vol.21, nr.2-4, (2004).
  • P10649: J. Jaroszynski, T. Andrearczyk, G. Karczewski, J. Wrobel, T. Wojtowicz, E. Papis, E. Kaminska, A. Piotrowska, D. Popovic, T. Dietl: “Quantum Hall Ferromagnetism in II-VI Based Alloys”, Physica Status Solidi B - Basic Solid State Physics, vol.241, nr.3, (2004).
  • P10650: J. Jaroszynski, T. Andrearczyk, J. Wrobel, G. Karczewski, T. Wojtowicz, E. Papis, E. Kaminska, A. Piotrowska, D. Popovic, T. Dietl: “Quantum Hall Ferromagnet in Magnetically-doped Quantum Wells”, Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures, vol.22, nr.1-3, (2004).
  • P10651: W. Jung, M. Kaniewska, A. Misiuk, C.A. Londos: “Study of the Defects in Oxygen Implanted Silicon Subjected to Neutron Irradiation and High Pressure Annealing”, Journal of Applied Physics, vol.27, nr.1-3, (2004).
  • P10652: W. Jung, A. Misiuk, J. Ratajczak: “Electrical Properties of Sponge-like Buried Layers Formed by High Pressure Annealing of Hydrogen and Helium Co-implanted Silicon”, (2004).
  • P10653: E. Kaminska, K. Golaszewska-Malec, A. Piotrowska, R. Kruszka, A. Kuchuk, E. Papis, R. Szeloch, P. Janus, T. Gotszalk, A. Barcz, A. Wawro: “Study of Long-term Stability of Ohmic Contacts to GaN”, Physica Status Solidi C, vol.1, nr.2, (2004).
  • P10654: E. Kaminska, A. Piotrowska, J. kossut, R. Butkute, W. Dobrowolski, K. Golaszewska-Malec, A. Barcz, R. Jakiela, E. Dynowska, E. Przezdziecka, D. Wawer: “P-type in ZnO:N by Codoping with Cr”, (2004).
  • P10655: E. Kaminska, A. Piotrowska, K. Golaszewska-Malec, R. Kruszka, A. Kuchuk, J. Szade, A. Winiarski, J. Jasinski, Z. Liliental-Weber: “ZnO-GaN Tunnel Junction for Transparent Ohmic Contacts to P-GaN”, Journal of Alloys and Compounds, vol.371, nr.1-2, (2004).
  • P10657: M. Kaniewska, W. Jung, I.V. Antonova: “Unusual Properties of C-T Characteristics of Hydrogen Implanted and Annealed Si”, European Physical Journal - Appl. Phys., vol.27, nr.1-3, (2004).
  • P10659: D.V. Korbutyak, V.P. Kladko, S.G. Krylyuk, P. Litovchenko, A. Shalimov, A. Kuchuk: “Influence of Layer Deformation on Thermal Quenching of Exciton Photoluminescence in Short-period GaAs/AlAs Superlattices”, Semiconductor Science and Technology, vol.19, (2004).
  • P10664: A. Kuchuk, E. Kaminska, A. Piotrowska, K. Golaszewska-Malec, E. Dynowska, O.S. Lytvyn, L. Nowicki, R. Ratajczak: “Amorphous Ta-Si-N Diffusion Barriers on GaAs”, Thin Solid Films, vol.459, nr.1-2, (2004).
  • P10665: A. Kuchuk, J. Ciosek, A. Piotrowska, E. Kaminska, A. Wawro, O.S. Lytvyn, L. Nowicki, R. Ratajczak: “Barrier Properties of Ta-Si-N Films in Ag-and Au-containing Metallization”, Vacuum, vol.74, nr.2, (2004).
  • P10666: A. Kuchuk, A. Piotrowska, K. Golaszewska-Malec, R. Jakiela, O.S. Lytvyn, V.P. Kladko, A.A. Korchovyi, N.V. Osadcha: “The Study of Thermal Stability of Ta-Si Films on the GaAs Substrate”, Physics and Chemistry of Solid State (ukr), vol.5, nr.1, (2004).
  • P10667: A. Kuchuk, V.P. Kladko, V.F. Machulin, A. Piotrowska, E. Kaminska, K. Golaszewska-Malec, R. Ratajczak, R. Minikayev: “Diffusion Barrier Properties of Reactively Sputtered W-Ti-N Thin Films”, Reviews on Advanced Materials Science, vol.8, nr.1, (2004).
  • P10673: J. Lusakowski, W. Knap, N. Dyakonova, E. Kaminska, A. Piotrowska, K. Golaszewska-Malec, M.S. Shur, D. Smirnov, V.I. Gavrilenko, A.V. Antonov, S.V. Morozov: “Magnetotransport Characterization of THz Detectors Based on Plasma Oscillations in Submicron Field-effect Transistors”, Physics of the Solid State, vol.46, nr.1, (2004).
  • P10674: J. Lusakowski, W. Knap, N. Dyakonova, E. Kaminska, A. Piotrowska, K. Golaszewska-Malec, M.S. Shur, D. Smirnov, V.I. Gavrilenko, A.V. Antonov, S.V. Morozov: “Magnetotransport Characterization of THz Detectors Based on Plasma Oscillations in Submicron Field-effect Transistors”, Fizika Tverdovo Teła, vol.46, (2004).
  • P10691: A. Mycielski, A. Szadkowski, L. Kowalczyk, B. Witkowska, R. Jakiela, A. Barcz, P. Aleshevych, W. Szuszkiewicz, A. Suchocki, E. Lusakowska, E. Kaminska, W. Dobrowolski: “ZnO and ZnO:Mn Crystals Obtained with the Chemical Vapour Transport Method”, Physica Status Solidi C, vol.1, nr.4, (2004).
  • P10692: A. Mycielski, L. Kowalczyk, A. Szadkowski, B. Chwalisz, A. Wysmolek, R. Stepniewski, J.M. Baranowski, M. Potemski, A. Barcz, B. Witkowska, E. Kaminska: “The Chemical Vapour Transport Growth of ZnO Single Crystals”, Journal of Alloys and Compounds, vol.371, nr.1-2, (2004).
  • P10694: E. Papis, A. Piotrowska, T.T. Piotrowski, K. Golaszewska-Malec, L. Ilka, R. Kruszka, J. Ratajczak, J. Katcki, J. Wrobel, M. Aleszkiewicz, R. Lukasiewicz: “Fabrication of GaSb Microlenses by Photo and E-beam Lithography and Dry Etching”, Solid State Phenomena, vol.99-100, (2004).
  • P10695: M. Piskorski, A. Piotrowska, T.T. Piotrowski, K. Golaszewska-Malec, E. Papis, J. Katcki, J. Ratajczak, A. Barcz, A. Wawro: “LPE Growth and Characterisation of GaInAsSb Quaternary Layers on (100) GaSb Substrates”, Thin Solid Films, vol.459, nr.1-2, (2004).
  • P10726: H. Wrzesinska, L. Ilka, D. Wawer, K. Hejduk, A. Kudla, M. Bugajski, E. Lusakowska: “Investigation of Indium Tin Oxide (ITO) Films for the VCSEL Laser with Dielectric Bragg Reflectors”, Physica Status Solidi C, vol.1, nr.2, (2004).
  • P10756: A.V. Antonov, V.I. Gavrilenko, E.V. Demidov, S.V. Morozov, A.A. Dubinov, J. Lusakowski, W. Knap, N. Dyakonova, E. Kaminska, A. Piotrowska, K. Golaszewska-Malec, M.S. Shur: “Electron Transport and Terahertz Radiation Detection in Submicrometer-sized GaAs/AlGaAs Field-effect Transistors with Two-dimesional Electron Gas (ros.) ”, Fizika Tverdovo Teła, vol.46, (2004).

» return

» 2003

  • P10771: T. Andrearczyk, J. Jaroszynski, J. Wrobel, G. Karczewski, T. Wojtowicz, E. Papis, E. Kaminska, A. Piotrowska, D. Popovic, T. Dietl: “Quantum Hall Ferromagnet in Magnetically-doped Quantum Wells”, Acta Physica Polonica A, vol.104, nr.2, (2003).
  • P10774: I.V. Antonova, A. Misiuk, C.A. Londos, B. Surma, S.A. Smagulova, A. Bukowski, W. Jung, A. Barcz: “Pressure Induced Formation of the Electrically Active Centers in Electron and Neutron Irradiated Silicon”, (2003).
  • P10785: W.H. Chow, D.P. Steenson, T.T. Piotrowski, A. Piotrowska, K. Golaszewska-Malec: “A Fully Integrated Distributed Frequency Tripler for Broadband Harmonic Generation”, (2003).
  • P10791: D. Dobosz, Z.R. Zytkiewicz, E. Papis, E. Kaminska, A. Piotrowska: “Epitaxial Lateral Overgrowth of GaSb layers by Liquid Phase Epitaxy”, Journal of Crystal Growth, vol.253, nr.1-4, (2003).
  • P10792: D. Dobosz, Z.R. Zytkiewicz, T.T. Piotrowski, E. Kaminska, A. Piotrowska, E. Papis: “Application of Tungsten Films for Substrate Masking in Liquid Phase Epitaxy Lateral Overgrowth of GaAs”, Crystal Research and Technology, vol.38, nr.3-5, (2003).
  • P10816: M. Guziewicz, A. Piotrowska, T.T. Piotrowski, K. Golaszewska-Malec, L. Ilka, I. Wojcik, J. Katcki, A. Laszcz, R. Molilinski, J. Nowinski, R. Ratajczak: “AgTe/ZrB2/Au Multilayer Metallization for Improved Ohmic Contacts to n-GaSb”, (2003).
  • P10820: B. Jaroszewicz, T. Budzynski, A. Panas, A. Kociubinski, W. Slysz, W. Jung, R. Jakiela, A. Barcz, P. Grabiec, J. Marczewski: “High Quality p-n Junction Fabrication by Ion Implantation using LPCVD Amorphous Silicon Films”, Vacuum, vol.70, nr.2-3, (2003).
  • P10822: E. Kaminska, A. Piotrowska, K. Golaszewska-Malec, R. Kruszka, A. Kuchuk, J. Szade, A. Winiarski, A. Barcz, J. Jasinski, Z. Liliental-Weber: “Engineering ZnO/GaN Interfaces for Tunneling Ohmic Contacts to GaN”, (2003).
  • P10886: A. Misiuk, W. Jung, B. Surma, A. Kudla, A. Wnuk, G. Gawlik: “Effect of High Temperature-pressure on Silicon Surface Layers in Si:H, He (Si:He) and Si:N”, Physics and Chemistry of Solid State (ukr), vol.4, nr.2, (2003).
  • P10887: A. Misiuk, J. Ratajczak, B. Surma, A.G. Ulyashin, A. Barcz, W. Jung, A. Wnuk: “The Microstructure and Electrical Properties of Hydrogenated Czochralski Silicon Treated at High Temperature-pressure”, Journal of Physics: Condensed Matterials, vol.15, (2003).
  • P10903: A. Piotrowska, E. Kaminska, A. Barcz, K. Golaszewska-Malec, H. Wrzesinska, T.T. Piotrowski, E. Dynowska, R. Jakiela: “Stable Ohmic Contacts on GaAs and GaN Devices for High Temperatures”, (2003).
  • P10909: K. Piskorski, A. Piotrowska, E. Papis, T.T. Piotrowski, K. Golaszewska-Malec, A. Wawro, J. Adamczewska, A. Barcz, R. Jakiela: “Liquid Phase Epitaxy of (100) Oriented GaInAsSb with High Indium Concentration in Liquid Phase”, (2003).
  • P10917: R.T. Rumianowski, R.S. Dygala, W. Jung, W. Bala: “Growth of PbSe Thin Films on Si Substrates by Pulsed Laser Deposition Method”, Journal of Crystal Growth, vol.252, (2003).
  • P10955: H.J. White, G.M. Proudley, K. Panser, E. Baur, M.A. Poisson, D. Lancefield, P. DeMierry, M. Sanches Garcia, E. Kaminska, L. Bradley, B. Corbett, P. Maaskant: “Extended Temperature Range and Data Link Performance of GaN RC-LEDs”, (2003).

» return

» 2002

  • P10821: J. Jaroszynski, T. Andrearczyk, G. Karczewski, J. Wrobel, T. Wojtowicz, E. Papis, E. Kaminska, A. Piotrowska, D. Popovic, T. Dietl: “Ising Quantum Hall Ferromagnet in Magnetically Doped Quantum Wells”, Physical Review Letters, vol.89, nr.26, (2002).
  • P10982: G. Karczewski, J. Wrobel, T. Wojtowicz, T. Dietl, E. Papis, E. Kaminska, A. Piotrowska: “Effects of Spin Polarization on Electron Transport in Modulation-doped Cd/1-x/Mnx/Te/Cd/1-y/Mgy/Te:I Heterostructures ”, Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures, vol.1-4, (2002).
  • P11001: Y. Deng, W. Knap, S. Rumyantsev, R. Gaska, A. Khan, V. Ryzhii, E. Kaminska, A. Piotrowska, E. Lusakowska, M.S. Shur: “ Subterahertz Detection by High Electron Mobility Transistors at Large Forward Gate Bias ”, (2002).
  • P11011: G. Grabecki, J. Wrobel, T. Dietl, E. Papis, E. Kaminska, A. Piotrowska, G. Springholz, G. Bauer: “ Spin Alignment of Electrons in PbTe/(PbEu)T Nanostructures ”, Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures, vol.13, nr.2-4, (2002).
  • P11021: J. Jaroszynski, J. Wrobel, G. Karczewski, T. Wojtowicz, T. Dietl, E. Kaminska, E. Papis, A. Piotrowska, D.K. Maude, P. Linden van der, J.C. Portal: “ Conductance Noise and Irreversibility in Diluted Magnetic Semiconductor ”, (2002).
  • P11023: E. Kaminska, A. Piotrowska, K. Golaszewska-Malec, M. Guziewicz, R. Kruszka, A. Kudla, T. Ochalski, A. Barcz, T. Dietl, F. Matsukura, M. Sawicki, A. Wawro: “ Transparent ZnO-Based Ohmic Contact to p-GaN ”, (2002).
  • P11043: A. Kudla, E. Papis, R. Kruszka, E. Kaminska, J. Szade, A. Winiarski, A. Wawro: “ Determination of the Optical Properties of GaSb and GaN Surface ”, (2002).
  • P11089: A. Piotrowska, E. Kaminska, K. Golaszewska-Malec, M. Gorska, M. Guziewicz, K. Hejduk, R. Kruszka, T.T. Piotrowski, M. Piskorski, E. Papis, H. Wrzesinska, W. Weselik: “ Department of Semiconductor Processing for Photonics ”, Prace ITE, nr.8-12, (2002).
  • P11090: T.T. Piotrowski, A. Piotrowska, E. Kaminska, M. Piskorski, E. Papis, K. Golaszewska-Malec, M. Guziewicz: “ Elementy optoelektroniczne średniej podczerwieni ze związków półprzewodnikowych na bazie GaSb. ”, (2002).
  • P11164: E. Kaminska, A. Piotrowska, K. Golaszewska-Malec, A. Barcz, R. Kruszka, T. Ochalski, J. Jasinski, Z. Liliental-Weber: “ Electrical Properties and Microstructure of Transparent ZnO Contacts to GaN ”, Physica Status Solidi C, nr.1, (2002).

» return

» 2001

  • P11009: E.M. Goldys, M. Godlewski, E. Kaminska, A. Piotrowska, K.S. Butcher: “ Spatial Fluctuations and Localisation Effects in Optical Characteristics of p-doped GaN Films ”, Physica Status Solidi B - Basic Solid State Physics, vol.228, nr.2, (2001).
  • P11124: J.F. Kolodziejski, K. Kosnowski, J. Marciak-Kozlowska, A. Misiuk, T. Piotrowski, J. Pultorak, S. Sikorski, A. Szczesny: “ Department of Fundamental Problems of Electronics ”, Prace ITE, nr.8-12, (2001).
  • P11215: M. Guziewicz, K. Golaszewska-Malec, T.T. Piotrowski, J. Ratajczak, A. Piotrowska: “Litografia struktur III-V z użyciem plazmy BCl3 o podwyższonej gęstości.”, Elektronika, nr.8-9, (2001).
  • P11217: E. Kaminska, A. Piotrowska, A. Barcz, D. Bour, M. Zielinski, J. Jasinski: “Formation of Ohmic Contacts to MOCVD Grown p-GaN by Controlled Activation of Mg”, Materials Science and Engineering B, vol.82, (2001).
  • P11218: E. Kaminska, A. Piotrowska, A. Barcz, K. Reginski, P. Dluzewski, E. Dynowska: “Study of Zn-related Structural Transformations at Zn/Ni/p-GaAs Interfaces Relative to the Formation of an Ohmic Contact”, Materials Science in Semiconductor Processing, vol.4, (2001).
  • P11222: S. Kolesnik, V. Vlasko-Vlasov, U. Welp, G.W. Crabtree, T.T. Piotrowski, J. Wrobel, A. Klimov, P. Przyslupski, T. Skoskiewicz, D. Dabrowski: “Flux Pinning by Anisotropic Arrays of Antidots in Superconducting Thin Films”, Physica C: Superconductivity and Its Applications, vol.341-348, nr.2, (2001).
  • P11232: E. Litwin-Staszewska, T. Suski, K. Piotrzkowski, I. Grzegory, M. Bockowski, J.L. Robert, L. Konczewicz, D. Wasik, E. Kaminska, D. Cote, B. Clerjaud: “Temperature Dependence of Electrical Properties of Gallium-nitride Bulk Single Crystals Doped with Mg and Their Evolution with Annealing”, Journal of Applied Physics, vol.89, nr.12, (2001).
  • P11250: E. Papis, A. Kudla, T.T. Piotrowski, K. Golaszewska-Malec, E. Kaminska, A. Piotrowska: “Ellipsometric Investigations of (100) GaSb Surfaces under Chemical Etching and Sulfide Treatment”, Materials Science in Semiconductor Processing, vol.4, (2001).
  • P11251: E. Papis, A. Piotrowska, T.T. Piotrowski, E. Kaminska, K. Golaszewska-Malec, P. Pankowski, J. Szade, A. Winiarski: “ Obróbka powierzchni (100) GaSb w związkach zawierających siarkę”, Elektronika, nr.8-9, (2001).
  • P11252: P. Perlin, P. Wisniewski, C. Skierbiszewski, T. Suski, E. Kaminska, S.G. Subramanya, E.R. Weber, D.E. Mars, W. Walukiewicz: “Interband Optical Absorption in Free Standing Layer of Ga0.96In0.04As0.99N0.01”, Applied Physics Letters, vol.76, nr.10, (2001).
  • P11254: T.T. Piotrowski, A. Piotrowska, E. Kaminska, M. Piskorski, E. Papis, K. Golaszewska-Malec, J. Katcki, J. Adamczewska, A. Wawro, J. Piotrowski, Z. Orman, J. Pawluczyk, Z. Nowak, J. Ratajczak: “Design and Fabrication of GaSb/InGaAsSb/AlGaAsSb Mid-infrared Photodetectors.”, Opto-Electronics Review, vol.9, nr.2, (2001).
  • P11255: T.T. Piotrowski, A. Piotrowska, E. Kaminska, Z. Szopniewski, S. Kolesnik, J. Wrobel, P. Gierlowski, S.J. Lewandowski: “ Electron Beam Lithography and Reactive Ion Etching of Nanometer Size Features in Niobium Films”, Materials Science and Engineering C, vol.C15, nr.1-2, (2001).
  • P11256: M. Piskorski, E. Papis, K. Golaszewska-Malec, T.T. Piotrowski, A. Piotrowska, A. Barcz, M. Zielinski, J. Adamczewska, M. Sawicki: “Wzrost epitaksjalny i właściwości warstw poczwórnych na bazie GaSb”, Elektronika, nr.8-9, (2001).
  • P11263: S. Sikorski, T. Piotrowski, W. Jung: “Thermo-photo-voltaic Phenomena in an Inhomogeneous Semiconductor”, Materials Science in Semiconductor Processing, vol.4, (2001).
  • P11264: S. Sikorski, W. Jung: “Non-ideal Schottky Barrier model for Impedance Measurements of Materials Properties”, Materials Science in Semiconductor Processing, vol.4, nr.1-3, (2001).

» return

» 2000

  • P11278: T. Figielski, T. Wosinski, A. Morawski, A. Makosa, Z. Tkaczyk, J. Wrobel, E. Kaminska, E. Papis, A. Piotrowska: “ Voltage-controlled Interference of Ballistic Electrons in an Open Quantum Dot”, Physica B, vol.280, (2000).
  • P11285: E. Papis, M. Piskorski, A. Piotrowska, E. Kaminska, T.T. Piotrowski, K. Golaszewska-Malec, W. Jung, A. Kudla, J. Katcki, J. Adamczewska: “Sulfide Treatment of GaSb Surface: Influence on the LPE Growth of GaAsSb/AlGaAsSb Heterostructures.”, Vacuum, vol.57, nr.2, (2000).
  • P11286: A. Piotrowska, E. Kaminska, T.T. Piotrowski, M. Guziewicz, K. Golaszewska-Malec, E. Papis, J. Wrobel, L. Perchuc: “ Application of CCl2F2 - and CCl4 - based Plasmas for RIE of GaSb and Related Materials.”, Vacuum, vol.56, nr.1, (2000).
  • P11288: T. Piotrowski, W. Jung: “ Characterization of Silicon Wafer Bonding by Observation in Transmitted Infrared Radiation from an Extended Source.”, Thin Solid Films, vol.367, (2000).
  • P11307: J. Jaroszynski, G. Karczewski, T. Andrearczyk, T. Wojtowicz, J. Wrobel, E. Papis, E. Kaminska, A. Piotrowska, T. Dietl: “ Quantum Hall Effect in the Highly Spin-polarized Electron System”, Physica B, vol.280, nr.1-4, (2000).
  • P11308: J. Jaroszynski, G. Karczewski, J. Wrobel, T. Andrearczyk, A. Strychaczuk, T. Wojtowicz, G. Grabecki, E. Papis, E. Kaminska, A. Piotrowska, T. Dietl: “ Temperature and Size Scaling of the QHE Resistance: the Case of Large Spin Splitting”, Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures, vol.6, nr.1, (2000).
  • P11314: T. Piotrowski, W. Jung: “ Influence of Intrinsic Stresses on Crystallographic Defects Distribution in Cz-Si Wafers”, Materials Science and Engineering A, vol.288, nr.2, (2000).
  • P11317: E. Kaminska, A. Piotrowska, A. Barcz, D. Bour, M. Zielinski, J. Jasinski: “ Formation of Ohmic Contacts to MOCVD Grown p-GaN by Controlled”, Materials Science and Engineering B, vol.56, (2000).

» return

» 1999

  • P11334: G. Grabecki, J. Wrobel, T. Dietl, E. Papis, E. Kaminska, A. Piotrowska, G. Springholz, M. Pinczolits, G. Bauer: “Quantum Ballistic Transport in Constructions of n-PbTe”, Physical Review B, vol.60, nr.8, (1999).
  • P11336: M. Guziewicz, A. Piotrowska, E. Kaminska, K. Golaszewska-Malec, A. Turos, E. Mizera, A. Winiarski, J. Szade: “Characteristics of Sputter-deposited TiN, ZrB2 and W2B Diffusion Barriers for Advanced Metallizations to GaAs”, Solid-State Electronics, vol.43, nr.6, (1999).
  • P11338: B. Jaroszewicz, D. Tomaszewski, W. Slysz, P. Grabiec, W. Jung: “Application of Simulation Tools for Design of Large Area Silicon Photodetector Technology”, Nukleonika, vol.44, nr.2, (1999).
  • P11364: T. Piotrowski, W. Jung: “Correlation Between Intrinsic Stress Distribution and Crystallographic Defects Density Profile in Czochralski Silicon After CMOS Processing”, Solid State Phenomena, vol.69-70, (1999).

» return

» 1998

  • P11354: S. Mackowski, N.T. Khoi, A. Golnik, P. Kossacki, J.A. Gaj, E. Kaminska, A. Piotrowska, G. Karczewski, T. Wojtowicz, J. kossut: “Influence of Capping on Manganese Diffusion in CdTe/CdMnTe Quantum Well Structures”, Solid State Communications, vol.107, nr.6, (1998).
  • P11393: J. Jaroszynski, T. Dietl, J. Wrobel, G. Karczewski, T. Wojtowicz, G. Grabecki, M. Sawicki, E. Papis, E. Kaminska, A. Piotrowska: “Probing Spin Dynamics by Conductance Fluctuations and Noise in Mesoscopic Spin-glass”, Physica B, vol.249-251, nr.1-4, (1998).
  • P11394: E. Kaminska, A. Piotrowska, J. Jasinski, J.A. Kozubowski, A. Barcz, K. Golaszewska-Malec, M.D. Bremser, R.F. Davis: “Interfacial Microstructure of Ni/Si-Based Ohmic Contacts to GaN”, Acta Physica Polonica A, vol.94, nr.3, (1998).
  • P11409: A. Rys, T.T. Piotrowski, R. Sobczynski: “Light Emitting Diode Arrays for Consumer and Medical Applications”, Materials Science and Engineering B, vol.51, nr.1, (1998).

» return


Skip to content