⇚ powrót
Oferujemy usługi w zakresie projektowania i wytwarzania heterostruktur półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych na podłożach GaAs, GaSb oraz InP
Zapewniamy współpracę przy modelowaniu, optymalizacji projektowanych przyrządów optolektronicznych. Reaktory MBE 32p i Compact 21T firmy Riber pozwalają na wzrost heterostruktur półprzewodników z grupy AIII-BV odpowiednio na bazie arsenków i antymonków (MBE 32P) oraz arsenków i fosforków (Compact 21T).
Standardowo osadzanie epitaksjalne odbywa się na podłożach 2-calowych.
Do kontroli jakości wykonania heterostruktur (grubość warstw, skład chemiczny, własności optyczne itp.) stosowane są następujące metody nieniszczące:
Na życzenie klienta do kontroli wybranych próbki mogą być użyte metody niszczące:
WYNIK: Płytki z zamówionymi heterostrukturami. Możliwe jest także wykonanie gotowego przyrządu o zadanej topografii.
KONTAKT: Jan Muszalski muszal@ite.waw.pl
Wytwarzanie heterostruktur AIII-BV
Zapewniamy współpracę przy modelowaniu, optymalizacji projektowanych przyrządów optolektronicznych. Reaktory MBE 32p i Compact 21T firmy Riber pozwalają na wzrost heterostruktur półprzewodników z grupy AIII-BV odpowiednio na bazie arsenków i antymonków (MBE 32P) oraz arsenków i fosforków (Compact 21T).
Standardowo osadzanie epitaksjalne odbywa się na podłożach 2-calowych.
Do kontroli jakości wykonania heterostruktur (grubość warstw, skład chemiczny, własności optyczne itp.) stosowane są następujące metody nieniszczące:
- spektroskopia optyczna (fotoluminescencja, fotoodbicie, techniki modulacyjne);
- spektroskopia rentgenowska
Na życzenie klienta do kontroli wybranych próbki mogą być użyte metody niszczące:
- spektroskopia masowa jonów wtórnych (SIMS);
- mikroskopia elektronowa.
WYNIK: Płytki z zamówionymi heterostrukturami. Możliwe jest także wykonanie gotowego przyrządu o zadanej topografii.
KONTAKT: Jan Muszalski muszal@ite.waw.pl
