Usługi w obszarze technologii

⇚ powrót

Wytwarzanie heterostruktur AIII-BV

Oferujemy usługi w zakresie projektowania i wytwarzania heterostruktur półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych na podłożach GaAs, GaSb oraz InP

Zapewniamy współpracę przy modelowaniu, optymalizacji projektowanych przyrządów optolektronicznych. Reaktory MBE 32p i Compact 21T firmy Riber pozwalają na wzrost heterostruktur półprzewodników z grupy AIII-BV odpowiednio na bazie arsenków i antymonków (MBE 32P) oraz arsenków i fosforków (Compact 21T).

Standardowo osadzanie epitaksjalne odbywa się na podłożach 2-calowych.

Do kontroli jakości wykonania heterostruktur (grubość warstw, skład chemiczny, własności optyczne itp.) stosowane są następujące metody nieniszczące:
  • spektroskopia optyczna (fotoluminescencja, fotoodbicie, techniki modulacyjne);

  • spektroskopia rentgenowska


Na życzenie klienta do kontroli wybranych próbki mogą być użyte metody niszczące:
  • spektroskopia masowa jonów wtórnych (SIMS);

  • mikroskopia elektronowa.


WYNIK: Płytki z zamówionymi heterostrukturami. Możliwe jest także wykonanie gotowego przyrządu o zadanej topografii.

KONTAKT: Jan Muszalski muszal@ite.waw.pl