|
Wyznaczenie elementów elektrycznego schematu zastępczego próbki z charakterystyk częstotliwościowych impedancji metodą IS |  | CEL USŁUGI:
Badanie struktury warstw dielektrycznych/półprzewodzących przez ocenę wpływu tej struktury na właściwości dielektryczne i przewodzące warstw.
OPIS USŁUGI:
Pomiary próbek dostarczonych przez zamawiającego wykonywane są na specjalistycznym stanowisku SBSNG (Agilent 4294A). Pomiar wykonywany jest na wielofunkcyjnym mierniku impedancji Agilent 4294A w konfiguracji dwukońcówkowej (ostrze-stolik). Stosowana tu metoda spektroskopii impedancyjnej polega na pomiarze impedancji obiektu (systemu, struktury) w funkcji częstości sygnału pomiarowego oraz jej analizie, poprzez ustalenie elementów elektrycznego schematu zastępczego, w celu określenia właściwości obiektu. Jest ona stosowana m.in. do badania elektrycznych własności materiałów, w których zachodzą powiązane ze sobą procesy, charakteryzujące się różnymi stałymi czasowymi. Analiza zależności impedancji takich struktur od częstości sygnału pomiarowego umożliwia identyfikację i wyizolowanie wpływu procesów, które wywołując przepływ prądu elektrycznego z charakterystyczną stałą czasową lub w sposób ciągły, powodują powstawanie dodatkowych elementów konduktancyjnych lub pojemnościowych w zastępczym schemacie elektrycznym. Należy podkreślić, że identyfikacja zjawisk fizycznych odpowiedzialnych za takie a nie inne elementy schematu zastępczego jest głównym celem zastosowania tej metody.
Pomiar impedancji odbywa się w zakresie częstości f=40Hz...4MHz w stacji pomiarowej (lub do 100MHz w specjalnej komórce pomiarowej). Możliwe jest dodatkowe polaryzowanie próbki napięciem zewnętrznym w zakresie –40...+40V.
FORMA PRZEKAZANIA WYNIKU:
Raport zawierający zmierzone zależności oraz obliczone parametry wraz z krótką charakterystyką próbek opracowana przez specjalistę. Dodatkowo zapis danych pomiarowych w formacie tekstowym na nośniku magnetycznym.
WARUNKI TECHNICZNE (OGRANICZENIA)
Próbka powinna zawierać badane warstwy dielektryczne/półprzewodzące umieszczone między przewodzącymi okładkami o dającej się ustalić geometrii komórki pomiarowej. Okładki te powinny umożliwiać kontakt przez dotyk igły pomiarowej.
Oferuje: Zakład Charakteryzacji Struktur Nanoelektronicznych |
|
