| nr projektu |
tytuł |
kierownik projektu |
| 8 T11B 060 16 | Analiza i pomiar emisji elektromagnetycznej z układów scalonych
| Prof. dr hab. inż. Jerzy KOŁODZIEJSKI |
| 8 T11B 062 12 | Analiza mechanizmu konkurencji między modami przestrzennymi w półprzewodnikowym laserze szerokokontaktowym
| Dr inż. Michał SZYMAŃSKI |
| 3 T11B 008 29 | Analiza procesów termicznych na powierzchni zwierciadeł laserów półprzewodnikowych
| Prof. dr hab. Maciej BUGAJSKI |
| 4 T11B 037 23 | Analiza wzmacniacza w obszarze czynnym lasera półprzewodnikowego z pojedynczą lub wielokrotną studnią kwantową
| Dr inż. Michał SZYMAŃSKI |
| 8 T11B 045 12 | Badania heterostruktur niedopasowanych ze związków półprzewodnikowych III-V
| Mgr inż. Witold RZODKIEWICZ |
| 7 T11B 051 20 | Badania kinetyki nanoszenia oraz własności mechanicznych i trybologicznych super sieci ceramicznych pod kątem zastosowania ich w mikroinżynierii krzemowej
| Mgr inż. Hanna WRZESIŃSKA |
| 8 S501 025 07 | Badania krzemowych fotodiod lawinowych pracujących w trybie liczenia pojedynczych fotonów
| Mgr inż. Iwona WĘGRZECKA |
| 7 S201 023 06 | Badania mechanizmów tworzenia kontaktów omowych do wysokooporowego CdTe
| Dr inż. Eliana KAMIŃSKA |
| 8 T11B 037 13 | Badania nad krzemowymi fotodiodami lawinowymi do zastosowania w scyntylacyjnych detektorach promieniowania jądrowego
| Mgr inż. Iwona WĘGRZECKA |
| N515 44 26 33 | Badania nad rozwojem nadprzewodnikowych detektorów NbN w celu opracowania nowej rodziny detektorów kwantowych do zastosowań w komunikacji kwantowej, informatyce kwantowej, radioastronomii i medycynie.
| Dr inż. Wojciech SŁYSZ |
| 8 S501 037 04 | Badania nad strukturą przestrzenną modów generowanych w półprzewodnikowych laserach szeroko-kontaktowych z modulowaną dobrocią rezonatora
| Prof. dr hab. inż. Bohdan MROZIEWICZ |
| 3 T11B 028 30 | Badania nad technologią wytwarzania krawędziowych laserów półprzewodnikowych na pasmo 980 nm i wpływem defektów w strukturach epitaksjalnych na uzysk i końcowe parametry przyrządów
| Dr hab. Kazimierz REGIŃSKI |
| 8 T11B 018 18 | Badania naprężeń mechanicznych w strukturach MOS metodą elipsometrii spektroskopowej
| Mgr inż. Witold RZODKIEWICZ |
| 8 8026 92 03 | Badania oddziaływań fizykochemicznych w omowych kontaktach metal/półprzewodnik III-V
| Prof. dr hab. inż. Anna PIOTROWSKA |
| 8 T11B 043 13 | Badania procesu wytwarzania złożonych, trójwymiarowych struktur mikro-mechanicznych, na przykładzie zintegrowanej struktury mikrosondy do mikroskopii sił atomowych i lateralnych AFM/LFM
| Dr inż. Piotr GRABIEC |
| 3 T11B 087 28 | Badania przestrzennych rozkładów naprężeń w strukturach MOS metodami optycznymi: za pomocą interferometrii optycznej i optycznej spektroskopii ramanowskiej
| Dr inż. Lech BOROWICZ |
| 8 T11B 001 14 | Badania zagadnień technologii i konstrukcji elektrostatycznego mikrosilnika krzemowego
| Dr inż. Piotr DUMANIA |
| 8 T11B 008 17 | Badanie adsorpcyjnych właściwości porowatego krzemu z zastosowaniem piezorezystywnych dźwigni pomiarowych
| Dr inż. Krzysztof DOMAŃSKI |
| 8 0118 91 01 | Badanie kontaktowej różnicy potencjałów i parametrów ładunkowych struktur MOS
| Dr hab. inż. Henryk PRZEWŁOCKI |
| 8 T11B 009 11 | Badanie laserów półprzewodnikowych metodami mikroskopii elektronowej
| Prof. dr hab. inż. Jerzy KĄTCKI |
| 3 T11B 031 28 | Badanie mechanizmów degradacji zwierciadeł w laserach półprzewodnikowych dużej mocy metodą przestrzennie rozdzielczej spektroskopii termoodbiciowej
| Dr Tomasz OCHALSKI |
| 8 8027 92 03 | Badanie mechanizmów generacji / relaksacji niejednorodnych naprężeń wewnętrznych w monokryształach Cz-Si z wytrąceniami SiOx
| Dr hab. inż. Andrzej MISIUK |
| N515 06 28 33 | Badanie metodami mikroskopii elektronowej zmian zachodzących w strukturach metal - półprzewodnik w wyniku procesów termicznych.
| Prof. dr hab. inż. Jerzy KĄTCKI |
| 3 T11B 030 26 | Badanie piezozjawisk w krzemowych tranzystorach CMOS i ich wykorzystanie w opracowaniu sub-nanoczułych mikromechanicznych sond pomiarowych
| Dr inż. Piotr DUMANIA |
| 4 T11B 008 25 | Badanie procesów degradacyjnych w grubowarstwowych hybrydowych układach elektroniki wielkiej mocy
| Dr inż. Michał CIEŻ |
| 3 P408 004 05 | Badanie propagacji nanosekundowych impulsów cieplnych w strukturach mezoskopowych
| Prof. dr hab. Janina MARCIAK-KOZŁOWSKA |
| 7 T11B 084 20 | Badanie prądu upływności naroży złączy p-n
| Dr hab. inż. Andrzej CZERWIŃSKI |
| 3 T11B 072 29 | Badanie rozkładów przestrzennych lokalnych wysokości barier potencjału na powierzchniach granicznych bramka-dielektryk i półprzewodnik-dielektryk w strukturach MOS
| Mgr inż. Krzysztof PISKORSKI |
| 4 T11B 022 22 | Badanie sprężystych i niesprężystych odkształceń układu Si-SiO2 oraz ich wpływu na elektryczne i optyczne parametry struktur MOS
| Dr hab. inż. Henryk PRZEWŁOCKI |
| 8 T11B 061 16 | Badanie wpływu naprężeń mechanicznych w strukturze MOS na jej parametry elektryczne
| Dr hab. inż. Henryk PRZEWŁOCKI |
| 8 T11B 040 15 | Badanie wpływu naprężeń na właściwości przypowierzchniowej warstwy krzemu stosowanego w technologii przyrządów półprzewodnikowych i układów scalonych
| Dr hab. inż. Wojciech JUNG |
| 8 T11B 048 09 | Badanie wpływu naprężeń na zarodkowanie defektów tlenowych w monokrystalicznym krzemie otrzymanym metodą Czochralskiego
| Dr hab. inż. Andrzej MISIUK |
| N515 003 31/0302 | Badanie właściwości optycznych nanostruktur fotonicznych metodą mikrofotoluminescencji
| Prof. dr hab. Maciej BUGAJSKI |
| 8 T11B 082 10 | Badanie właściwości termodynamicznych arsenku galu
| Dr hab. Adam BARCZ |
| 8 T11B 081 10 | Badanie zjawisk ekskluzji i akumulacji w strukturach półprzewodnikowych ze złączem I-h w aspekcie generacji, modulacji i detekcji promieniowania
| Prof. dr hab. inż. Jerzy PUŁTORAK |
| N515 088 433 | Charakterystyka multikrystalicznego krzemu modyfikowanego procesami geterowania i pasywacji na potrzeby wytwarzania ogniw fotowoltaicznych.
| Dr hab. inż. Tadeusz PIOTROWSKI |
| N507 46 34 33 | Charakterystyka właściwości piezoelektrycznych elektroaktywnych polimerów EAP w aspekcie projektowania systemów inteligentnych.
| Dr inż. Ewa KLIMIEC |
| 4368/B/T02/2008/34 | Charakteryzacja materiałów i struktur na bazie SiC - SIMS, DLTS, I(C)-V
| Dr hab. Adam BARCZ |
| N515 361736 | Charakteryzacja struktur kropek kwantowych metodami elektrycznymi
| Dr hab. Maria KANIEWSKA |
| 3 T11B 007 29 | Defekty indukowane wzrostem kropek kwantowych wytwarzanych techniką MBE
| Dr hab. Maria KANIEWSKA |
| 7 T11B 029 21 | Detektory podczerwieni z In(GaAl)As zintegrowane z mikrooptyką refrakcyjną
| Dr hab. Janusz KANIEWSKI |
| 4 T11B 015 25 | Detektory podczerwieni z optyczną wnęką rezonansową na pasmo 1,55 mikrometra
| Dr hab. Janusz KANIEWSKI |
| 8 T11B 002 12 | Dynamika i transport ciepła w nanostrukturach
| Prof. dr hab. Janina MARCIAK-KOZŁOWSKA |
| 3 T11B 041 30 | Dynamika procesów optyczno-termicznych w laserach półprzewodnikowych
| Prof. dr hab. inż. Bohdan MROZIEWICZ |
| 0646/B/T02/2008/35 | Eksperymentalne i teoretyczne badania właściwości fizycznych izolatorów o wysokiej przenikalności elektrycznej w strukturach MOS
| Mgr inż. Witold RZODKIEWICZ |
| N507 43 22 33 | Elektrodowe warstwy ceramiczne o strukturze perowskitu do czujników gazów i tlenkowych ogniw paliwowych.
| Dr inż. Dorota SZWAGIERCZAK |
| 8 T11B 064 19 | Elektronomikroskopowe badania defektów struktury krystalicznej i geometrii obszarów aktywnych typu VCSEL
| Prof. dr hab. inż. Jerzy KĄTCKI |
| 8 T11B 064 14 | Elektronomikroskopowe badania elementów aktywnych przyrządów opartych na heterostrukturach ze związków półprzewodnikowych AIIIBV otrzymywanych metodą MBE
| Prof. dr hab. inż. Jerzy KĄTCKI |
| 8 T11B 064 11 | Elektronomikroskopowe badania heterostruktur związków półprzewodnikowych AIIIBV z In otrzymywanych metodą MBE dla kwantowych przyrządów transportowych i optoelektronicznych najnowszej generacji
| Prof. dr hab. inż. Jerzy KĄTCKI |
| PBZ-MIN-009/T11/2003 | Elementy i moduły optoelektroniczne do zastosowań w medycynie, przemyśle, ochronie środowiska i technice wojskowej (Zad. 4.2, Zad. 6.3)
| Prof. dr hab. Maciej BUGAJSKI |
| 8 T11B 037 11 | Epitaksja z wiązek molekularnych (MBE) struktur z InGaAs niedopasowanych sieciowo do podłoża i ich zastosowanie w detektorach podczerwieni
| Dr hab. Janusz KANIEWSKI |
| 4 T11B 007 25 | Fotoelektryczne badania podstawowych parametrów fizycznych struktur MOS z bramkami o niskiej transmisji optycznej
| Dr inż. Andrzej KUDŁA |
| 8 T11B 024 09 | Fotoelektryczne metody wyznaczania barier potencjału w strukturach MOS
| Prof. dr hab. inż. Andrzej JAKUBOWSKI |
| 4 T11B 066 22 | Heterozłączowy czujnik pola magnetycznego z In0,53Ga0,47As na podłożu InP wytworzony metodą epitaksji z wiązek molekularnych
| Dr Tomasz PRZESŁAWSKI |
| 8 T11B 048 17 | Heterozłączowy detektor podczerwieni z InGaAlAs na podłożu z GaAs wytwarzany metodą epitaksji z wiązek molekularnych
| Dr hab. Janusz KANIEWSKI |
| 8 T11B 031 16 | Identyfikacja współczynników piezorezystywności w krzemowych strukturach mikromechanicznych
| Doc. dr hab. inż. Zenon GNIAZDOWSKI |
| 0523/R/2/T02/07/02 | Innowacyjny system programowanego doświetlania roślin ogrodniczych diodami elektroluminescencyjnymi zasilanymi z automatycznej instalacji fotowoltaicznej.
| Prof. dr hab. inż. Stanisław NOWAK |
| 8 0121 91 01 | Inżynieria defektów w półprzewodnikach A III BIV
| Prof. dr hab. Maciej BUGAJSKI |
| 3 T11B 042 30 | Inżynieria międzypowierzchni SiC/metal i SiC/izolator: procesy wytwarzania, charakteryzacja i zastosowanie w technologii tranzystora MOSFET
| Prof. dr hab. inż. Anna PIOTROWSKA |
| 7 T08A 060 21 | Kinetyka transportu tlenu w układzie SiO2 - krzem FZ
| Dr hab. Adam BARCZ |
| 0 T00A 018 29 | Krzemowe źródło promieniowania podczerwonego jako element generatora obrazów
| Prof. dr hab. inż. Jerzy PUŁTORAK |
| 8 T11B 008 14 | Kształtowanie rozkładów naprężeń w membranach krzemowych przyrządów mikromechanicznych
| Mgr inż. Paweł KOWALSKI |
| 3 T11B 063 30 | Kwantowe lasery kaskadowe z (In)(Al)(Ga)As: projektowanie i technologia epitaksji MBE heterostruktur modułów obszarów aktywnych
| Dr Kamil KOSIEL |
| 8 T11B 011 09 | Kwantowe struktury półprzewodnikowe dla celów optoelektroniki wytwarzane metodą epitaksji z wiązek molekularnych
| Prof. dr hab. Maciej BUGAJSKI |
| 8 T11B 039 10 | Laser półprzewodnikowy z poziomą wnęką optyczną emitujący powierzchniowo
| Prof. dr hab. inż. Bohdan MROZIEWICZ |
| 7 T11B 021 21 | Lasery dużej mocy i linijki laserowe z InGaAlAs/GaAs na pasmo 780-810nm
| Dr inż. Mariusz ZBROSZCZYK |
| 8 T11B 027 11 | Lasery półprzewodnikowe z kwantowym obszarem czynnym (QWL) i rozseparowanym ograniczeniem optycznym i elektrycznym wytwarzane metodą epitaksji z wiązek molekularnych (MBE)
| Prof. dr hab. Maciej BUGAJSKI |
| 8 T11B 049 12 | Lokalizacja defektów w złączach p-n materiałów typowych oraz nowej generacji metodą pomiarów elektrycznych i badań strukturalnych
| Dr hab. inż. Andrzej CZERWIŃSKI |
| 4 T08D 039 22 | Materiały dielektryczne o niskiej temperaturze spiekania oparte na relaksorze Pb(Fe2/3W1/3)O3 przeznaczone do grubowarstwowych kondensatorów
| Dr inż. Dorota SZWAGIERCZAK |
| 8 T11B 022 11 | Małosygnałowy model pojemności tranzystora MOS SOI
| Prof. dr hab. inż. Andrzej JAKUBOWSKI |
| 3 T11B 036 30 | Metody oceny odporności układów scalonych na zaburzenia elektromagnetyczne
| Prof. dr hab. inż. Jerzy KOŁODZIEJSKI |
| 8 T10C 024 17 | Mikrosonda do pomiaru temperatury aktywnych komórek roślinnych
| Dr inż. Michał ZABOROWSKI |
| PBZ 19-15 | Mikrosystemy do kompleksowej analizy mediów wieloskładnikowych
| Mgr inż. Jan KOSZUR |
| 8 T11B 020 18 | Mikrownęki półprzewodnikowe: technologia, właściwości fizyczne i zastosowania w optoelektronice
| Dr hab. Jan MUSZALSKI |
| 8 T11B 040 17 | Modele małosygnałowe tranzystorów MOS SOI
| Dr inż. Daniel TOMASZEWSKI |
| 8 T11B 070 19 | Modelowanie numeryczne laserów półprzewodnikowych
| Prof. dr hab. Maciej BUGAJSKI |
| 8 T11B 011 13 | Modelowanie numeryczne niestacjonarnego transportu nośników ładunku w submikronowych strukturach półprzewodnikowych
| Dr inż. Andrzej USZYŃSKI |
| 8 T11B 046 09 | Modelowanie szybkich procesów termicznych (RTP) wywołanych impulsami laserowymi w niejednorodnych nanostrukturach
| Prof. dr hab. Janina MARCIAK-KOZŁOWSKA |
| 8 T11B 023 11 | Morfologia metalizacji na bazie Al. I próby jej modyfikacji
| Dr hab. Adam BARCZ |
| 8 T11B 019 18 | Opracowanie elektronomikroskopowych technik badania uszkodzeń w laserach półprzewodnikowych
| Dr inż. Jacek RATAJCZAK |
| N515 022 31/0908 | Opracowanie fotoelektrycznych, elektrycznych i optycznych metod badania nowych generacji struktur MOS
| Dr hab. inż. Henryk PRZEWŁOCKI |
| N515 06 47 33 | Opracowanie i charakterystyka tranzystorów w technologii opartej na nanodrutach krzemowych.
| Dr inż. Michał ZABOROWSKI |
| PBZ/28-208-4.3.2/2007/WAT | Opracowanie i optymalizacja demonstratora technologii wykrywania skażeń biologicznych wykorzystujących metodę cieczowej cytometrii przepływowej.
| Dr inż. Piotr GRABIEC |
| 6 T112003C/06241 | Opracowanie i uruchomienie produkcji rodziny regulatorów ładowania dla potrzeb autonomicznych systemów fotowoltaicznych
| Dr inż. Wojciech GRZESIAK |
| 9/ES/G007/T02/2007 | Opracowanie metod charakteryzacji parametrów podłoży SiC i ich powierzchni granicznych z innymi materiałami oraz ich wykorzystanie do badania struktur realizowanych w PBZ
| Dr hab. inż. Henryk PRZEWŁOCKI |
| 3 T11B 052 27 | Opracowanie metody badania własności fizycznych krzemu o wysokiej rezystywności dla diagnostyki operacji technologicznych przyrządów półprzewodnikowych
| Dr hab. inż. Wojciech JUNG |
| 8 8016 91 02 | Opracowanie metody oceny geometrii i doskonałości struktury krystalicznej heterostruktur stosowanych w optoelektronice na przykładzie heterostruktur (AlGa)As i (InGa)(AsP) metodami mikroskopii elektronowej
| Prof. dr hab. inż. Jerzy KĄTCKI |
| 4 T10C 012 25 | Opracowanie miniaturowej sondy do badań komórek roślinnych
| Dr inż. Michał ZABOROWSKI |
| N515 4423 33 | Opracowanie past do wytwarzania warstwowych struktur elektroluminescencyjnych.
| Dr inż. Michał CIEŻ |
| 8 T11B 030 11 | Opracowanie podstaw nowej generacji fotoelektrycznych metod badania struktur MOS
| Dr hab. inż. Henryk PRZEWŁOCKI |
| 8 T11B 017 13 | Opracowanie spektroskopowego systemu oświetlenia struktur MOS dla badań fotoelektrycznych w zakresie ultrafioletu
| Dr inż. Andrzej KUDŁA |
| 8 T11B 001 12 | Opracowanie szybkiej metody projektowania układów ASIC klasy mikrokontrolerów
| Dr inż. Krystyna SIEKIERSKA |
| 4 T11B 038 25 | Opracowanie techniki cyfrowej autokalibracji charakterystyk częstotliwościowych w zastosowaniu do układu scalonego transceivera do krótkozasięgowej komunikacji bezprzewodowej
| Mgr inż. Ewa KURJATA-PFITZNER |
| 8 T11B 036 14 | Opracowanie techniki projektowania scalonych niskoszumnych, mikromocowych wzmacniaczy impulsów ładunkowych dla cyfrowo-analogowych systemów VLSI
| Dr inż. Włodzimierz PODMIOTKO |
| N515 025 32/1887 | Opracowanie technologii nanostruktur fotonicznych wraz z układami sprzęgającymi optyki zintegrowanej dla zastosowań w technice sensorowej.
| Mgr Krystyna GOŁASZEWSKA-MALEC |
| PBZ 05/T11/98 | Opracowanie technologii wysoko sprawnych monokrystalicznych krzemowych ogniw fotowoltaicznych w technologii mikroelektronicznej
| Mgr inż. Maciej WĘGRZECKI |
| 0663/B/T02/2008/35 | Opracowanie technologii wytwarzania warstw z półprzewodnikowych tlenków metali dla dozymetrii promieniowania gamma i beta w medycynie
| Dr inż. Marek GUZIEWICZ |
| N515 079337 | Opracowanie układu elektronicznego do elektromodulacji nerwu błędnego ze sprężeniem zwrotnym i jego zastosowanie do badań nad otyłością i nadciśnieniem tętniczym u zwierząt doświadczalnych
| Mgr inż. Krzysztof ZARASKA |
| N515 44 22 33 | Opracowanie zintegrowanego systemu do analiz biochemicznych.
| Mgr inż. Jan KOSZUR |
| 8 T11B 016 18 | Optymalizacja metod wprowadzania promieniowania ultrafioletowego do struktur MOS z bramkami o niskiej transmisji
| Dr inż. Andrzej KUDŁA |
| N N507 347335 | Otrzymywanie i charakterystyka materiałów ceramicznych wykazujących właściwości multiferroiczne
| Dr inż. Agata STOCH |
| N507 037 31/0906 | Otrzymywanie, charakterystyka i zastosowanie bezołowiowych dielektryków ceramicznych do kondensatorów o wysokiej pojemności
| Dr Jan KULAWIK |
| 3 T11B 007 26 | Piezoelektryczny napęd struktur MEMS
| Mgr inż. Paweł KOWALSKI |
| 8 T11B 053 14 | Pojemnościowo - piezorezystywny, krzemowy czujnik przyspieszenia
| Dr hab. inż. Jan ŁYSKO |
| 8 T10C 020 14 | Półprzewodnikowe detektory bliskiej podczerwieni ze związków na bazie GaSb do zastosowań w spektroskopii chemicznej i medycznej
| Dr inż. Tadeusz Tomasz PIOTROWSKI |
| 3 T11B 009 26 | Półprzewodnikowe fotoogniwa GaSb/In(Al)GaAsSb do zastosowań w przypadkach termofotowoltaicznych
| Dr inż. Tadeusz Tomasz PIOTROWSKI |
| 3 T11B 016 26 | Półprzewodnikowy czujnik mikroprzepływów
| Dr hab. inż. Jan ŁYSKO |
| 8 S501 043 06 | Procedura określenia koncentracji domieszek w przypowierzchniowych obszarach krzemu w strukturach MOS
| Prof. dr hab. inż. Andrzej KOBUS |
| 4 T11B 039 22 | Procesy obróbki powierzchni struktur półprzewodnikowych na bazie GaSb i ich zastosowanie w technologii źródeł i detektorów podczerwieni (PROMOTORSKI)
| Prof. dr hab. inż. Anna PIOTROWSKA |
| 8 T11B 037 14 | Procesy wzrostu w fazie stałej ultracienkich, silnie domieszkowanych warstw półprzewodnikowych a międzypowierzchniowych metal-półprzewodnik III-V i ich wykorzystanie w technologii kontaktów omowych
| Prof. dr hab. inż. Anna PIOTROWSKA |
| PBZ-MIN-012/T11/02 | Projekty badawcze przygotowane i realizowane przez osoby po doktoracie (POL-POSTDOC) Badanie procesów trawienia plazmowego krzemu dla potrzeb mikroinżynierii i nano-fotoniki krzemowej
| Dr inż. Dariusz SZMIGIEL |
| 8 T11B 047 17 | Propagacja i tunelowanie fal termicznych w elektronicznych strukturach kwantowych
| Prof. dr hab. Janina MARCIAK-KOZŁOWSKA |
| N515 013 32/0847 | Spektroskopia optyczna struktur laserów kaskadowych.
| Prof. dr hab. Maciej BUGAJSKI |
| 8 S501 026 05 | Stabilizacja metalizacji Al Za pomocą implantacji jonów
| Dr inż. Michał ZABOROWSKI |
| 8 T11B 048 16 | Synteza behawiaralna w projektowaniu cyfrowych układów scalonych
| Dr inż. Krystyna SIEKIERSKA |
| PW-004/08/2005/3/UW-2005 | Technologie i metody zmniejszania uciążliwości ekologicznej przemysłowych procesów wytwarzania oraz eksploatacji maszyn i urządzeń technicznych. Zaprojektowanie i realizacja automatycznej stacji do wykrywania i bezprzewodowej transmisjii danych o rozlanyc
| Dr inż. Michał CIEŻ |
| 8 T11B 005 16 | Teoretyczne i doświadczalne określenie brzegowego prądu dyfuzyjnego współczesnych złącz p-n
| Dr hab. inż. Andrzej CZERWIŃSKI |
| 7 T11B 024 21 | Termodynamiczne własności molekularnych nanostruktur elektronicznych
| Prof. dr hab. Janina MARCIAK-KOZŁOWSKA |
| N515 416034 | Termografia odbiciowa laserów półprzewodnikowych i linijek laserów dużej mocy.
| Dr inż. Dorota PIERŚCIŃSKA |
| 8 T11B 040 10 | Termooptyczna metoda wizualizacji rozkładu koncentracji nośników swobodnych i koncentracji domieszki nieaktywnej elektrycznie
| Prof. dr hab. Stanisław SIKORSKI |
| 3 T11B 008 26 | Tranzystory polowe AlGaN/GaN nowej generacji dla elektroniki dużej mocy i wysokiej częstotliwości
| Dr inż. Eliana KAMIŃSKA |
| 7 T11B 009 20 | Tworzenie stabilnych termicznie kontaktów omowych do przyrządów półprzewodnikowych dużej mocy/wysokiej temperatury
| Prof. dr hab. inż. Anna PIOTROWSKA |
| 3 T11B 051 27 | Wpływ konstrukcji i częstotliwości taktowania cyfrowych układów scalonych na generację zaburzeń elektromagnetycznych
| Dr Juliusz SZCZĘSNY |
| 8 T11B 027 16 | Wpływ zjawisk termoelektrycznych na transport nośników nadmiarowych w półprzewodnikach niejednorodnych
| Prof. dr hab. Stanisław SIKORSKI |
| 7 T11B 016 21 | Wybrane właściwości materiałów i struktur półprzewodnikowych trawionych wiązką jonów argonu
| Dr hab. Maria KANIEWSKA |
| 8 T11B 035 11 | Wyznaczanie generacyjnego czasu życia nośników mniejszościowych w krzemie na podstawie charakterystyk elektrycznych diody z bramką
| Prof. dr hab. inż. Andrzej JAKUBOWSKI |
| 4156/B/T02/2008/34 | Wyznaczenie rozkładu domieszek i swobodnych nośników w półprzewodnikowych strukturach niskowymiarowych oraz w materiałach i strukturach objętościowych.
| Dr hab. inż. Wojciech JUNG |
| 4 T11B 051 22 | Wąskopasmowe lasery SCHSQW z InGaAs/GaAs na pasmo (lambda)=980nm
| Mgr inż. Paweł SAJEWICZ |
| 3 T11B 062 30 | Zaawansowana fotodioda lawinowa InGaAs/InAlAs/InP zintegrowana z monolityczną mikrosoczewką
| Dr hab. Janusz KANIEWSKI |
| PBZ-MNiSW-02/I/2007 | Zaawansowane technologie dla półprzewodnikowej optoelektroniki podczerwieni.
| Prof. dr hab. Maciej BUGAJSKI |
| 0155/R/T00/2009/09 | Zaprojektowanie i wykonanie detektora promieniowania sub_TH-z działającego w oparciu o krzemowy tranzystor MOS
| Dr hab. inż. Jacek MARCZEWSKI |
| 8 T11B 052 11 | Zastosowanie cienkich warstw azotków i borków metali trudno topliwych w technologii kontaktów omowych na bazie złota do związków półprzewodnikowych III-V
| Prof. dr hab. inż. Anna PIOTROWSKA |
| 8 S501 049 04 | Zastosowanie iniekcji i ekskluzji dziurowo-elektronowej plazmy w półprzewodnikach dla określania jej, czasu życia i rekombinacji powierzchniowej z wykorzystaniem detekcji promieniowania termicznego
| Prof. dr hab. Stanisław SIKORSKI |
| N515 004 31/0303 | Zastosowanie metody spektroskopii impedancyjnej do pomiarów właściwości struktur półprzewodnikowych nowej generacji
| Dr inż. Tomasz GUTT |
| 3 T11B 045 27 | Zastosowanie technik spektroskopowych z wykorzystaniem analizy furierowskiej do badań rezonatorów krawędziowych laserów półprzewodnikowych
| Dr hab. Jan MUSZALSKI |
| 4 T08A 034 23 | Zbadanie mikrostruktury krzemu implantowanego wodorem Si:H, oraz helem Si:H, po wygrzaniu w warunkach wysokiego ciśnienia hydrostatycznego
| Dr hab. inż. Andrzej MISIUK |
| 7 T08A 057 17 | Zbadanie mikrostruktury krzemu wygrzewanego pod wysokiego ciśnieniem.
| Dr hab. inż. Andrzej MISIUK |
| 8 T11B 072 19 | Zbadanie wpływu jednorodnych naprężeń (wygrzewania pod zwiększonym ciśnieniem argonu) na strukturę i inne właściwości krzemu implantowanego tlenem, Si:O
| Dr hab. inż. Andrzej MISIUK |
| 8 T11B 024 11 | Zbadanie wpływu jednorodnych naprężeń na generację aglomeratów tlenowych w Cz-Si wykazujących aktywność elektryczną (donory termiczne i nowe donory)
| Dr hab. inż. Andrzej MISIUK |
| 8 T11B 009 13 | Zbadanie wpływu jednorodnych naprężeń wprowadzanych przez ciśnienie hydrostatyczne atmosfery gazowej przy wygrzewaniu Cz-Si na jego fotoluminescencję oraz fotoluminescencję otrzymanego z Cz-Si porowatego krzemu
| Dr hab. inż. Andrzej MISIUK |
| 3 T10C 026 27 | Zintegrowana mikrosystemowa Sonda krzemowa do badań własciwosci mechanicznych powierzchni w skali nanometrowej
| Dr inż. Paweł JANUS |
