O nas

Celem prac badawczo-rozwojowych pro­wa­dzo­nych w Zakła­dzie jest struk­tu­ralna, optyczna i elek­tryczna cha­rak­te­ry­za­cja mate­ria­łów i przy­rzą­dów. Główne sto­so­wane tech­niki badaw­cze to:
TEM — trans­mi­syjna mikro­sko­pia elek­tro­nowa (oraz HRTEM — wyso­ko­roz­dziel­cza TEM), SEM — ska­nin­gowa mikro­sko­pia elek­tro­nowa oraz sys­tem do tra­wie­nia zogni­sko­waną wiązką jonów (Focu­sed Ion Beam — FIB), który jest uży­wany nie tylko do pre­pa­ra­tyki pró­bek dla TEM, ale służy też do wielu rodza­jów pro­ce­sów nano-technologicznych: nakła­da­nia metali (Pt, W) i die­lek­try­ków, oraz tra­wie­nia mate­ria­łów, w tym przy­śpie­szo­nego tra­wie­nia die­lek­try­ków i poli­me­rów. W szcze­gól­no­ści moż­liwe jest two­rze­nie zapro­jek­to­wa­nych wzo­rów na róż­nych mate­ria­łach.

Kolejną grupę metod cha­rak­te­ry­za­cji sta­no­wią pomiary roz­kładu foto­wol­ta­icz­nej czu­ło­ści struk­tur złą­czo­wych, efek­tyw­nego czasu życia nośni­ków ładunku metodą mikro­fa­lo­wej detek­cji zaniku foto­prze­wod­nic­twa wywo­ła­nego impul­sem lase­ro­wym, bada­nia ter­mo­wi­zyjne w pod­czer­wieni przy uży­ciu kamery ter­mo­wi­zyj­nej oraz metoda prądu indu­ko­wa­nego wiązką optyczną (OBIC).

Inne uży­wane tech­niki to pomiary bar­dzo małych prą­dów i pojem­no­ści dla przy­rzą­dów pół­prze­wod­ni­ko­wych (szcze­gól­nie metodą diody z bramką), mikro­sko­pii sił ato­mo­wych (AFM) i mikro­sko­pii tune­lo­wej (STM).

Trzy pro­jekty Unii Euro­pej­skiej (GSQ, SODAMOS, METAMOS) oraz inne pro­jekty mię­dzy­na­ro­dowe (ELOGRAPH) i wiele pro­jek­tów kra­jo­wych były i są reali­zo­wane w Zakła­dzie. Wyniki badań zostały opu­bli­ko­wane w set­kach arty­ku­łów w zagra­nicz­nych pismach nauko­wych i mate­ria­łach reno­mo­wa­nych kon­fe­ren­cji mię­dzy­na­ro­do­wych.

Zakład Badań Mate­ria­łów i Struk­tur Pół­prze­wod­ni­ko­wych mie­ści się w budynku V na głów­nym tere­nie ITE w War­sza­wie. Zakład jest także czę­ścią Cen­trum Nano­fo­to­niki w ITE.