Projekty zrealizowane
Numer Projektu: 8 T11B 062 12
Analiza mechanizmu konkurencji między modami przestrzennymi w półprzewodnikowym laserze szerokokontaktowym
- Kierownik Projektu
- Dr inż. Michał Szymański
Numer Projektu: 8 T11B 002 16
Analiza mechanizmu powstawania modów bocznych w półprzewodnikowym laserze szeroko kontaktowym z niejednorodnie odbijającym zwierciadłem
- Kierownik Projektu
Numer Projektu: 3 T11B 008 29
Analiza procesów termicznych na powierzchni zwierciadeł laserów półprzewodnikowych
- Kierownik Projektu
- Prof. dr hab. Maciej Bugajski
Numer Projektu: 5249/B/T02/2010/38
Analiza przestrzennego rozkładu natężenia pola w wiązce emitowanej przez kwantowe lasery kaskadowe
- Kierownik Projektu
- Dr hab. Kazimierz Regiński
Numer Projektu: 4 T11B 037 23
Analiza wzmacniacza w obszarze czynnym lasera półprzewodnikowego z pojedynczą lub wielokrotną studnią kwantową
- Kierownik Projektu
- Dr inż. Michał Szymański
Numer Projektu: 7 T11B 051 20
Badania kinetyki nanoszenia oraz własności mechanicznych i trybologicznych super sieci ceramicznych pod kątem zastosowania ich w mikroinżynierii krzemowej
- Kierownik Projektu
- Mgr inż. Hanna Wrzesińska
Numer Projektu: 8 S501 037 04
Badania nad strukturą przestrzenną modów generowanych w półprzewodnikowych laserach szeroko-kontaktowych z modulowaną dobrocią rezonatora
- Kierownik Projektu
- Prof. dr hab. inż. Bohdan Mroziewicz
Numer Projektu: 3 T11B 028 30
Badania nad technologią wytwarzania krawędziowych laserów półprzewodnikowych na pasmo 980 nm i wpływem defektów w strukturach epitaksjalnych na uzysk i końcowe parametry przyrządów
- Kierownik Projektu
- Dr hab. Kazimierz Regiński
Numer Projektu: 3 T11B 031 28
Badanie mechanizmów degradacji zwierciadeł w laserach półprzewodnikowych dużej mocy metodą przestrzennie rozdzielczej spektroskopii termoodbiciowej
- Kierownik Projektu
- Dr Tomasz Ochalski
Numer Projektu: UMO-2015/17/N/ST7/03936
Badanie nad technologią wzrostu struktur laserów kaskadowych InGaAs/AlGaAs/GaAs
- Kierownik Projektu
- Dr inż. Piotr Gutowski
Numer Projektu: UMO-2013/11/B/ST7/04341
Badanie procesów relaksacji naprężeń w warstwach GaSb otrzymanych na podłożach GaAs metodą epitaksji z wiązek molekularnych
- Kierownik Projektu
- Dr hab. inż. Agata Jasik
Numer Projektu: UMO-2014/15/N/ST7/04742
Badanie warunków i konwersji częstotliwości w dwubarwnych przełączalnych laserach półprzewodnikowych z pionową wnęką rezonansową o emisji powierzchniowej
- Kierownik Projektu
- Dr inż. Artur Broda
Numer Projektu: N515 003 31/0302
Badanie właściwości optycznych nanostruktur fotonicznych metodą mikrofotoluminescencji
- Kierownik Projektu
- Prof. dr hab. Maciej Bugajski
Numer Projektu: 7 T11B 029 21
Detektory podczerwieni z In(GaAl)As zintegrowane z mikrooptyką refrakcyjną
- Kierownik Projektu
- Dr hab. Janusz Kaniewski
Numer Projektu: 4 T11B 015 25
Detektory podczerwieni z optyczną wnęką rezonansową na pasmo 1,55 mikrometra
- Kierownik Projektu
- Dr hab. Janusz Kaniewski
Numer Projektu: 3 T11B 041 30
Dynamika procesów optyczno-termicznych w laserach półprzewodnikowych
- Kierownik Projektu
- Prof. dr hab. inż. Bohdan Mroziewicz
Numer Projektu: PBZ-MIN-009/T11/2003
Elementy i moduły optoelektroniczne do zastosowań w medycynie, przemyśle, ochronie środowiska i technice wojskowej (Zad. 4.2, Zad. 6.3)
- Kierownik Projektu
- Prof. dr hab. Maciej Bugajski
Numer Projektu: PBS1/B3/2/2012
Emitery i detektory podczerwieni nowej generacji do zastosowań w urządzeniach do detekcji śladowych ilości zanieczyszczeń gazowych (EDEN)
- Kierownik Projektu
- Prof. dr hab. Maciej Bugajski
Numer Projektu: 8 T11B 056 08
Emitująca powierzchniowo dioda laserowa z pionowym rezonatorem (VCSEL) Zwiększenie sprawności energetycznej poprzez optymalizację konstrukcji i technologii z zastosowaniem wielostopniowej techniki MBE/LPE
- Kierownik Projektu
Numer Projektu: 8 T11B 037 11
Epitaksja z wiązek molekularnych (MBE) struktur z InGaAs niedopasowanych sieciowo do podłoża i ich zastosowanie w detektorach podczerwieni
- Kierownik Projektu
- Dr hab. Janusz Kaniewski
Numer Projektu: 8 T11B 031 09
Galwanomagnetyczne metody charakteryzacji właściwości fizycznych materiałów półprzewodnikowych stosowanych w przyrządach mikrofalowych
- Kierownik Projektu
Numer Projektu: 4 T11B 066 22
Heterozłączowy czujnik pola magnetycznego z In0,53Ga0,47As na podłożu InP wytworzony metodą epitaksji z wiązek molekularnych
- Kierownik Projektu
- Dr Tomasz Przsławski
Numer Projektu: 8 T11B 048 17
Heterozłączowy detektor podczerwieni z InGaAlAs na podłożu z GaAs wytwarzany metodą epitaksji z wiązek molekularnych
- Kierownik Projektu
- Dr hab. Janusz Kaniewski
Numer Projektu: DOB-BIO8/01/01/2016
Hybrydowe łącze otwartej przestrzeni.
- Kierownik Projektu
- Dr inż. Kamil Pierściński
Numer Projektu: 8 0121 91 01
Inżynieria defektów w półprzewodnikach A III BIV
- Kierownik Projektu
- Prof. dr hab. Maciej Bugajski
Numer Projektu: Lider/34/70/L-3/11/NCBR/2
Jednomodowe lasery kaskadowe do zastosowań w spektroskopii molekularnej
- Kierownik Projektu
- Dr hab. inż. Anna Szerling
Numer Projektu: 3 T11B 063 30
Kwantowe lasery kaskadowe z (In)(Al)(Ga)As: projektowanie i technologia epitaksji MBE heterostruktur modułów obszarów aktywnych
- Kierownik Projektu
- Dr hab. Kamil Kosiel
Numer Projektu: 8 T11B 011 09
Kwantowe struktury półprzewodnikowe dla celów optoelektroniki wytwarzane metodą epitaksji z wiązek molekularnych
- Kierownik Projektu
- Prof. dr hab. Maciej Bugajski
Numer Projektu: 8 T11B 039 10
Laser półprzewodnikowy z poziomą wnęką optyczną emitujący powierzchniowo
- Kierownik Projektu
- Prof. dr hab. inż. Bohdan Mroziewicz
Numer Projektu: DOB1-6/1/PS/2014
Laserowe systemy broni skierowanej, laserowe systemy broni nieśmiercionośnej.
- Kierownik Projektu
- Prof. dr hab. Maciej Bugajski
Numer Projektu: 7 T11B 021 21
Lasery dużej mocy i linijki laserowe z InGaAlAs/GaAs na pasmo 780-810nm
- Kierownik Projektu
- Dr inż. Mariusz Zbroszczyk
Numer Projektu: 8 T11B 027 11
Lasery półprzewodnikowe z kwantowym obszarem czynnym (QWL) i rozseparowanym ograniczeniem optycznym i elektrycznym wytwarzane metodą epitaksji z wiązek molekularnych (MBE)
- Kierownik Projektu
- Prof. dr hab. Maciej Bugajski
Numer Projektu: UMO-2015/17/B/ST7/04015
Mechanizmy degradacji kwantowych laserów kaskadowych: analiza, identyfikacja oraz zrozumienie ich podstaw fizycznych
- Kierownik Projektu
- Prof. dr hab. Maciej Bugajski
Numer Projektu: 8 T11B 020 18
Mikrownęki półprzewodnikowe: technologia, właściwości fizyczne i zastosowania w optoelektronice
- Kierownik Projektu
- Prof. dr hab. Jan Muszalski
Numer Projektu: 8 T11B 070 19
Modelowanie numeryczne laserów półprzewodnikowych
- Kierownik Projektu
- Prof. dr hab. Maciej Bugajski
Numer Projektu: 8 T11B 049 09
Modelowanie rezystancji kontaktu omowego wyznaczanej metodami TLM i KELVINA uwzględniające wertykalną i lateralną penetrację metalizacji w heterostrukturze AlGaAs/GaAs i w kontaktach krzemowych
- Kierownik Projektu
Numer Projektu: 2 P03B 173 09
Modelowanie transportu nośników w półprzewodnikowych laserach z pionową wnęką rezonansową o emisji powierzchniowej, przy uwzględnieniu nierównomiernego rozkładu temperatury wewnątrz struktury
- Kierownik Projektu
Numer Projektu: UMO-2014/15/B/ST7/05258
Monolityczne lasery o emisji powierzchniowej na bazie GaN i GaAs
- Kierownik Projektu
- Dr inż. Anna Wójcik-Jedlińska
Numer Projektu: UMO-2017/25/B/ST7/00437
Nowa konstrukcja półprzewodnikowego lasera dyskowego dla emisji w średniej podczerwieni
- Kierownik Projektu
- Prof. dr hab. Jan Muszalski
Numer Projektu: Lider/019/317/L-5/13/NCBR
Nowatorskie konstrukcje wnęki rezonansowej kwantowego lasera kaskadowego
- Kierownik Projektu
- Dr Maciej Sakowicz
Numer Projektu: 3 0200 91 01
Nowe metody charakteryzacji materiałów stosowanych w przyrządach mikroskopowych
- Kierownik Projektu
Numer Projektu: 0053/R/T00/2010/12
Opracowanie laserów kaskadowych do zastosowań w układach wykrywania śladowych ilości substancji gazowych
- Kierownik Projektu
- Prof. dr hab. Maciej Bugajski
Numer Projektu: N515 360636
Opracowanie technologii wytwarzania heterostruktur dla laserów DW-VECSEL z AlGaAs/GaAs/InGaAs
- Kierownik Projektu
- Dr hab. inż. Agata Jasik
Numer Projektu: UMO-2015/19/N/ST7/01203
Polaryzacja promieniowania emitowanego przez kwantowe lasery kaskadowe
- Kierownik Projektu
- Dr inż. Emilia Pruszyńska-Karbownik
Numer Projektu: UMO-2013/09/D/ST7/03966
Pomiar, analiza i kontrola zjawisk fizycznych w laserach kaskadowych o dwóch optycznie sprzężonych wnękach.
- Kierownik Projektu
- Dr inż. Kamil Pierściński
Numer Projektu: NR02 0023 06/2009
Półprzewodnikowe lasery dyskowe dla zastosowań teleinformatycznych.
- Kierownik Projektu
- Prof. dr hab. Jan Muszalski
Numer Projektu: 3 T11B 016 26
Półprzewodnikowy czujnik mikroprzepływów
- Kierownik Projektu
- Dr hab. inż. Jan Łysko
Numer Projektu: N515 013 32/0847
Spektroskopia optyczna struktur laserów kaskadowych.
- Kierownik Projektu
- Prof. dr hab. Maciej Bugajski
Numer Projektu: UMO-2012/07/D/ST7/02568
Symulacja, pomiar i kontrola rozkładu promieniowania w polu dalekim ze źródła THz
- Kierownik Projektu
- Dr Maciej Sakowicz
Numer Projektu: 8 T11B 007 12
Technologia MBE otrzymywania warstw wysokooporowego GaAs i jej zastosowanie w laserach półprzewodnikowych
- Kierownik Projektu
Numer Projektu: N515 416034
Termografia odbiciowa laserów półprzewodnikowych i linijek laserów dużej mocy.
- Kierownik Projektu
- Dr inż. Dorota Pierścińska
Numer Projektu: 4 T11B 051 22
Wąskopasmowe lasery SCHSQW z InGaAs/GaAs na pasmo (lambda)=980nm
- Kierownik Projektu
- Mgr inż. Paweł Sajewicz
Numer Projektu: NR02 0025 06/2009
Zaawansowana fotodioda lawinowa InGaAs/InAlAs/InP monolitycznie zintegrowana z mikrooptyką refrakcyjna.
- Kierownik Projektu
- Dr hab. Janusz Kaniewski
Numer Projektu: 3 T11B 062 30
Zaawansowana fotodioda lawinowa InGaAs/InAlAs/InP zintegrowana z monolityczną mikrosoczewką
- Kierownik Projektu
- Dr hab. Janusz Kaniewski
Numer Projektu: PBZ-MNiSW-02/I/2007
Zaawansowane technologie dla półprzewodnikowej optoelektroniki podczerwieni.
- Kierownik Projektu
- Prof. dr hab. Maciej Bugajski
Numer Projektu: 3 T11B 045 27
Zastosowanie technik spektroskopowych z wykorzystaniem analizy furierowskiej do badań rezonatorów krawędziowych laserów półprzewodnikowych
- Kierownik Projektu
- Prof. dr hab. Jan Muszalski