Infrastruktura

» Litografia

Urządzenie do litografii laserowej DWL 66FS firmy Heidelberg Instruments

  • Wykonywanie masek fotolitograficznych oraz predefiniowanie wzorów litograficznych na docelowych podłożach
  • Maksymalny rozmiar podłoży 225mm × 225mm
  • Grubości do 6 mm

Urządzenie do nanostemplowania Eitre3 firmy Obducat

  • Strukturyzacja szerokiej gamy materiałów, począwszy od polimerów, poprzez metale, półprzewodniki aż po szkło
  • Wytwarzanie na podłożach do 3 cali wzorów o wymiarze krytycznym 20 nm, dla takich elementów jak bramki o niestandardowym kształcie w tranzystorach, kryształy fotoniczne, różnego rodzaju elementy dyfrakcyjne
  • Strukturyzowanie podłoży dla epitaksji półprzewodników silnie niedopasowanych sieciowo

Urządzenie MJB3 firmy Süss MicroTec Lithography

  • Centrowanie i naświetlanie wzorów o wymiarze krytycznym >0.6 µm
  • Maksymalna średnica podłoża - 3 cale
  • Grubość podłoża - do 4.5 mm.

Wyposażenie gniazda fotolitografii uzupełniają

  • wirówki z płytami grzejnymi do obróbki emulsji
  • fotolitograficznych: 100CB i Cee 200CB firmy Brewer
  • płyty grzejne, suszarki
  • urządzenie do usuwania emulsji w plazmie tlenowej
  • mikroskopy optyczne z kamerami CCD
  • urządzenie do mycia masek fotolitograficznych.

» wróć

» Osadzanie cienkich warstw

Reaktor Gamma 1000C firmy Surrey-Nano Systems

  • Wytwarzanie wieloskładnikowych struktur cienkowarstwowych techniką wysokopróżniowego, nierównowagowego rozpylania magnetronowego (PVD-MS)
  • Rozpylanie materiałów zarówno dielektrycznych jak i przewodzących z pojedynczego targetu lub jednocześnie z 2 lub 3 targetów w atmosferze Ar, O2 lub N2
  • Podłoża o średnicy do 6 cali z opcjonalnym podgrzewaniem do temperatury 1000°C

Reaktor Plasmalab 80 Plus Oxford Instruments

  • Nakładanie techniką plazmowego osadzania z fazy gazowej (PECVD) warstw SiO2 i SixNy oraz wielowarstwowych struktur typu SiO2/SixNy
  • Zmienne grubości warstw i różne składy SixNy.

Reaktor Z-400 Leybold-Heraeus

  • Próżniowe osadzanie cienkich warstw metalicznych i dielektrycznych metodą magnetronowego rozpylania katodowego w modach DC lub RF, standardowo w atmosferze Ar, N2, lub O2
  • Średnica podłoża do 2 cali

Uniwersalny system L-560 Leybold-Heraeus

  • Osadzanie próżniowe cienkich warstw metalicznych i dielektrycznych metodą magnetronowego rozpylania katodowego w modzie RF
  • Osadzanie z czterotyglowego działa elektronowego

Urządzenie do osadzania warstw techniką ALD TFS-200-190 firmy Beneq

  • Wytwarzanie supercienkich warstw SiO2, Al2O3, HfO2, ZrO2, AlN, TaN, Si3N4, ZnO oraz ich kombinacji
  • Tryby pracy: termiczny i wspomagany plazmą (PEALD, plazma typu CCP, 300 W)
  • Regulacja temperatury podłoża w zakresie 25 ÷ 500°C
  • Maksymalna średnica podłoża - 8 cali

» wróć

» Procesy termiczne

Piec do wygrzewania impulsowego SHS 100 Mattson Thermal Products

  • Procesy termiczne w zakresie temperatur od 450°C do 1200°C, w atmosferze obojętnych i reaktywnych gazów procesowych 6N: Ar, N2, O2, N2O
  • Konwencjonalne piece rurowe umożliwiające wygrzewania w temperaturze do 1050°C w atmosferze Ar lub O2.

» wróć

» Trawienia plazmowe

Dwukomorowe urządzenie do trawienia plazmowego PlasmaLab System 100 ICP180 firmy Oxford Instruments

  • Kształtowanie wzorów w związkach półprzewodnikowych, metalach, w cienkich warstwach tlenków przewodzących oraz azotków i tlenków dielektrycznych
  • Praca zarówno w trybie ICP w agresywnych plazmach chlorowych jak i RIE w mniej agresywnych plazmach freonowych
  • Komora ICP: źródło RF 3 kW; gęstość plazmy 5×1011 cm-2; średnica elektrody 205 mm; możliwość grzania trawionego podłoża do 400oC lub chłodzenia do temperatury LN2; stosowane reagenty 5N: plazmy chlorowe (BCl3, Cl2), metan, wodór, tlen, argon.
  • Komora RIE: Źródło RF o mocy 300 W; gęstość plazmy 1-5x109 cm-2; trawienia płytek o średnicy do 4 cali; możliwość pracy elektrody w zakresie temperatur 0÷70oC; stosowane reagenty 5N: freony (CF4 i CHF3), fluorek siarki, metan, wodór, tlen, argon.

» wróć

Infra­struk­turę Zakładu sta­no­wią trzy pod­sta­wowe ele­menty:
Z03_infrastruktura

  • Kom­pletna linia tech­no­lo­giczna umoż­li­wia­jąca pro­wa­dze­nie badań inno­wa­cyj­nych oraz wyko­na­nie peł­nej sekwen­cji ope­ra­cji wytwa­rza­nia demon­stra­to­rów i pro­to­ty­pów przy­rzą­dów i sys­te­mów mikro­elek­tro­nicz­nych umiej­sco­wiona w pomiesz­cze­niach czy­stej tech­no­lo­gii o powierzchni ponad 600 m2 z wydzie­lo­nymi obsza­rami o kla­sie czy­sto­ści ISO5, ISO6 i ISO7. Składa się na nią pięć gniazd tech­no­lo­gicz­nych:
    — osa­dza­nie cien­kich warstw pół­prze­wod­ni­ków, metali oraz die­lek­try­ków o niskiej bądź wyso­kiej sta­łej die­lek­trycz­nej (ALD, PECVD, roz­py­la­nie kato­dowe, osa­dza­nie z działa elek­tro­no­wego)
    — lito­gra­fia (foto­li­to­gra­fia DUV, lito­gra­fia lase­rowa, nano­stem­plo­wa­nie)
    — tra­wie­nia pla­zmowe RIE/ICP
    — implan­ta­cja jonów
    — pro­cesy ter­miczne (RTA i wygrze­wa­nie kon­wen­cjo­nalne)
  • Labo­ra­to­rium pomia­rowe prze­zna­czone do cha­rak­te­ry­za­cji wła­ści­wo­ści struk­tu­ral­nych, optycz­nych, che­micz­nych i elek­trycz­nych mate­ria­łów i przy­rzą­dów meto­dami XRD, AFM, SEM, spek­tro­sko­pii RBS i RBSC, pomiary cha­rak­te­ry­styk I-V i C-V oraz pomiary wol­ta­me­tryczne
  • Część biu­rowa i socjalna