O nas

Nasze prace badaw­cze mają na celu wpro­wa­dza­nie inno­wa­cyj­nych roz­wią­zań tech­no­lo­gicz­nych do pro­ce­sów wytwa­rza­nia nowych przy­rzą­dów i pod­ze­spo­łów z pół­prze­wod­ni­ków sze­ro­ko­przer­wo­wych. Obsza­rem tych badań są przede wszyst­kim pół­prze­wod­niki azot­kowe i tlen­kowe.

Azotki:

Azo­tek galu jest pół­prze­wod­ni­kiem, który dzięki swoim wyjąt­ko­wym wła­ści­wo­ściom zmie­nia obli­cze elek­tro­niki wyso­kich czę­sto­tli­wo­ści i dużych mocy. Nasze prace skon­cen­tro­wane są na pro­ce­sach wytwa­rza­nia tran­zy­sto­rów GaN HEMT: badamy zależ­no­ści pomię­dzy wła­ści­wo­ściami struk­tu­ral­nymi i trans­por­to­wymi struk­tur 2DEG, mecha­ni­zmy for­mo­wa­nia kon­tak­tów omo­wych i pro­stu­ją­cych metal/GaN, nano­struk­tu­ry­za­cję, izo­la­cję i domiesz­ko­wa­nie na dro­dze implan­ta­cji jonów oraz sta­bil­ność ter­miczną przy­rzą­dów. Wie­dzę tę wyko­rzy­stu­jemy w pro­ce­sach inte­gra­cji struk­tur oraz wytwa­rza­nia przy­rzą­dów i ukła­dów MMIC a także sys­te­mów dla elek­tro­niki wyso­kiej czę­sto­tli­wo­ści, wyso­kiej mocy i sen­so­ryki.

Tlenki:

Przed­mio­tem naszych prac są wła­ści­wo­ści cien­kich warstw, nano­struk­tur oraz mię­dzy­po­wierzchni metal/półprzewodnik pół­prze­wod­ni­ków tlen­ko­wych o struk­tu­rze kry­sta­licz­nej i amor­ficz­nej oraz prze­zro­czy­stych tlen­ków prze­wo­dzą­cych, takich jak ZnO, In-Ga-Zn-O, SnO_x i (Ru,Ir)-Si-O. Na bazie tych mate­ria­łów opra­co­wu­jemy przy­rządy m.in. dla ela­stycz­nej elek­tro­niki prze­zro­czy­stej, ukła­dów poboru i maga­zy­no­wa­nia ener­gii oraz czuj­ni­ków che­micz­nych i fizycz­nych, a także auto­no­micz­nych sys­te­mów lab-on-a-chip, znaj­du­ją­cych zasto­so­wa­nie w gwał­tow­nie roz­wi­ja­ją­cej się kon­cep­cji Inter­netu Przed­mio­tów (ang. Inter­net of Things, IoT).

Jeste­śmy zespo­łem elek­tro­ni­ków, fizy­ków, che­mi­ków i mate­ria­ło­znaw­ców dys­po­nu­ją­cym wie­dzą i labo­ra­to­riami umoż­li­wia­ją­cymi pro­wa­dze­nie prac R&D na naj­wyż­szym pozio­mie.