» 2022
- Patent: Struktura półprzewodnikowa
M. Ekielski, M. Kamiński, A. Trajnerowicz, A. Taube Nr patentu: PAT.241027
» wróć
» 2021
- Patent: Sposób wytwarzania otworu przelotowego w strukturze półprzewodnikowej
M. Ekielski, M. Kamiński, A. Trajnerowicz, A. Taube Nr patentu: PL.238875
» wróć
» 2019
- Patent: Sposób wytwarzania porowatej warstwy na bazie cynku
M. Masłyk, M. Borysiewicz Nr patentu: PAT.234012
» wróć
» 2018
- Patent: Struktura przezroczystego detektora nadfioletu
oraz sposób wytwarzania struktury przezroczystego detektora nadfioletu
M. Guziewicz, W. Jung, E. Guziewicz, E. Przeździecka, R. Schifano, T. Krajewski Nr patentu: 227759 - Patent: Sposób określania składu chemicznego i koncentracji gazów oraz czujnik do określania składu chemicznego i koncentracji gazów
M. Kaczmarczyk Nr patentu: 227928 - Patent: Sposób wykonania ograniczenia promieniowania w strukturach laserów kaskadowych z falowodem plazmonowym
A. Szerling, K. Kosiel, M. Kozubal, M. Myśliwiec, R. Kruszka Nr patentu: 227929 - Patent: Sposób domieszkowania na typ n nanostrukturalnej warstwy półprzewodnikowej ZnO
M. Borysiewicz, E. Kamińska Nr patentu: 230421 - Patent: Układ do monitorowania poziomu glukozy w organizmie człowieka oraz sposób wykonania elementu czujnikowego tego układu
J. Kaczmarski, M. Borysiewicz Nr patentu: PAT.230109
» wróć
» 2017
- Patent: Sposób wytwarzania przezroczystego tranzystora MESFET
J. Kaczmarski, J. Grochowski, E. Kamińska Nr patentu: 225166 - Patent: Kontakt elektryczny do badania materiałów osadzonych na podłożu izolacyjnym
W. Jung Nr patentu: 225625 - Patent: Sposób wytwarzania przezroczystej amorficznej warstwy półprzewodnika tlenkowego indowo-galowo-cynkowego (IGZO)
o rozwiniętej powierzchni
J. Kaczmarski, J. Grochowski Nr patentu: 226625
» wróć
» 2016
- Patent: Sposób wykonania wzorów trójwymiarowych dla technologii przyrządów półprzewodnikowych
M. Ekielski, Z. Sidor, M. Juchniewicz Nr patentu: 222706 - Patent: Dwumodowa heterostruktura lasera półprzewodnikowego
pompowanego optycznie
J. Muszalski, A. Broda, A. Wójcik-Jedlińska, A. Trajnerowicz Nr patentu: 223466
» wróć
» 2015
- Patent: Sposób wytwarzania tranzystora HEMT
M. Ekielski, Z. Sidor, M. Juchniewicz Nr patentu: 220518
» wróć
» 2014
- Patent: Struktura półprzewodnikowa na bazie ZnO z barierą Schottkyego
E. Kamińska, A. Piotrowska Nr patentu: 218054 - Patent: Sposób wykrywania napromieniowania neutronami krzemu
W. Jung, A. Misiuk, J. Bąk-Misiuk, B. Surma, C.A. Londos Nr patentu: 218404 - Patent: Struktura półprzewodnikowa z reaktywną barierą antykorozyjną oraz sposób wytwarzania bariery antykorozyjnej
E. Kamińska, A. Piotrowska, M. Borysiewicz, I. Pasternak Nr patentu: 219258 - Patent: Target do wytwarzania przezroczystych warstw półprzewodnikowych ZnIrSiO oraz sposób wytwarzania targetu
E. Kamińska, A. Piotrowska Nr patentu: 219259 - Patent: Metalizacja do półprzewodnikowych materiałów termoelektrycznych na bazie PbTe oraz sposób wykonania tej metalizacji
M. Guziewicz, E. Kamińska Nr patentu: 219371 - Patent: Sposób łączenia półprzewodnikowych struktur laserowych z radiatorami odprowadzającymi ciepło
P. Karbownik, A. Szerling, A. Wójcik-Jedlińska, K. Kosiel, A. Barańska, E. Pruszyńska-Karbownik, A. Trajnerowicz Nr patentu: 219409 - Patent: Nanokrystaliczna warstwa ZnIrSiO oraz sposób wytwarzania tej warstwy
E. Kamińska, A. Piotrowska, J. Grochowski Nr patentu: 219948
» wróć
» 2013
- Patent: Sposób wytwarzania półprzewodnikowej warstwy tlenku cynku
E. Kamińska, A. Piotrowska, J. Kossut Nr patentu: 215571 - Patent: Sposób wytwarzania wąskich ścieżek krzemowych
M. Zaborowski, P. Grabiec, A. Panas, K. Skwara, D. Szmigiel Nr patentu: 215875 - Patent: Źródło modulowanego promieniowania podczerwonego oraz matryca źródeł promieniowania podczerwonego
R. Grodecki, W. Jung, T. Piotrowski, J. Pułtorak, S. Sikorski, M. Węgrzecki Nr patentu: 216729 - Patent: Sposób wykrywania napromieniowania krzemu elektronami
J. Bąk-Misiuk, J. Felba, W. Jung, I.E. Megeła, A. Misiuk, M. Prujszczyk, B. Surma Nr patentu: 216858
» wróć
» 2012
- Patent: Przezroczysty kontakt omowy i sposób wytwarzania przezroczystego kontaktu omowego
K. Gołaszewska-Malec, E. Kamińska, A. Piotrowska, R. Kruszka Nr patentu: 213852 - Patent: Sposób pasywacji powierzchni tranzystorów polowych
E. Kamińska, A. Piotrowska Nr patentu: 214047 - Patent: Układ detekcji siły w półprzewodnikowych strukturach mikromechanicznych
P. Grabiec, J. Łysko, P. Dumania, T. Budzyński, D. Szmigiel, M. Grzywacki, K. Skwara, R. Dobrowolski Nr patentu: 214048 - Patent: Sposób wytwarzania wielowarstwowej struktury półprzewodnikowej
E. Papis-Polakowska, A. Piotrowska, E. Kamińska Nr patentu: 214049 - Patent: Sposób wytwarzania detektora na podłożu GaSb
E. Papis-Polakowska, A. Piotrowska, E. Kamińska, R. Kruszka Nr patentu: 214050
» wróć
» 2011
- Patent: Sposób wytwarzania warstwy typu n w płytce krzemowej typu p
W. Jung, A. Misiuk, I.V. Antonova Nr patentu: 210683 - Patent: Sposób otrzymywania półprzewodnikowej warstwy tlenku cynku typu p
E. Kamińska, A. Piotrowska, I. Pasternak Nr patentu: 210944
» wróć
» 2009
- Patent: Sonda do badania własności fizycznych materiałów półprzewodnikowych
W. Jung Nr patentu: 201930
» wróć
» 2008
- Patent: Sposób wytwarzania przezroczystej warstwy przewodzącej typu p w przyrządach półprzewodnikowych
E. Kamińska, A. Piotrowska Nr patentu: 200058 - Patent: Urządzenie do mocowania linijek z półprzewodnikowymi strukturami laserowymi
I. Wójcik Nr patentu: 200074 - Patent: Sposób wytwarzania optoelektronicznej wielowarstwowej struktury półprzewodnikowej
M. Piskorski Nr patentu: 200077
» wróć
» 2007
- Patent: Sposób wytwarzania wielowarstwowej struktury półprzewodnikowej
M. Piskorski Nr patentu: 198374
» wróć
» 2006
- Patent: Sposób nakładania na podłoże półprzewodnikowe warstw elektrycznie przewodzących z szścioborku lantanu
I. Wójcik Nr patentu: 193656 - Patent: Sposób wytwarzania kontaktów omowych
E. Kamińska, A. Piotrowska Nr patentu: 194171
» wróć
» 2004
- Patent: Sposób wytwarzania warstwy typu p w płytce krzemowej typu n.
W. Jung, I.V. Antonova, A. Misiuk Nr patentu: 187386
» wróć
» 2001
- Patent: Sposób wytwarzania kontaktów omowych w przrządzie półprzewodnikowym
E. Kamińska, A. Piotrowska Nr patentu: 182367 - Patent: Sposób wytwarzania kontaktu omowego w źródłach promieniowania z półprzewodników AIII BV
A. Piotrowska, E. Kamińska Nr patentu: 182430
» wróć
» 2000
- Patent: Sposób łączenia struktur półprzewodnikowych z obwodami drukowanymi dużej i średniej mocy
A. Szczęsny Nr patentu: 180957
» wróć
» 1999
- Patent: Sposób przyspieszonej zmiany rezystywności monokrystalicznego krzemu otrzymanego metodą Czochralskiego
W. Jung, A. Misiuk Nr patentu: 176441
» wróć