Projekty zrealizowane
Numer Projektu: 7 S201 023 06
Badania mechanizmów tworzenia kontaktów omowych do wysokooporowego CdTe
- Kierownik Projektu
- Dr hab. inż. Eliana Kamińska
Numer Projektu: 8 8026 92 03
Badania oddziaływań fizykochemicznych w omowych kontaktach metal/półprzewodnik III-V
- Kierownik Projektu
- Prof. dr hab. inż. Anna Piotrowska
Numer Projektu: 0038/JP2/2015/73
Badania wpływu agregacji barwników i kropek kwantowych na wydajność ogniw fotoelektrochemicznych opartych na nanokoralowym ZnO
- Kierownik Projektu
- Dr hab. Michał Borysiewicz
Numer Projektu: DEC-2018/02/X/ST5/03660
Badanie formowania porowatych nanostruktur w cienkich warstwach azotku galu
- Kierownik Projektu
- Dr hab. Michał Borysiewicz
Numer Projektu: 4368/B/T02/2008/34
Charakteryzacja materiałów i struktur na bazie SiC - SIMS, DLTS, I(C)-V
- Kierownik Projektu
- Prof. dr hab. Adam Barcz
Numer Projektu: UMO-2019/33/B/ST5/02756
Dyfuzja 3D domieszek w GaN - mechanizm i rola defektów
- Kierownik Projektu
- Dr Karolina Pągowska
Numer Projektu: 3 T11B 042 30
Inżynieria międzypowierzchni SiC/metal i SiC/izolator: procesy wytwarzania, charakteryzacja i zastosowanie w technologii tranzystora MOSFET
- Kierownik Projektu
- Prof. dr hab. inż. Anna Piotrowska
Numer Projektu: UMO-2018/31/N/ST7/03624
Mechanizm domieszkowania tlenem cienkich warstw GaN za pomocą rozpylania magnetronowego i analiza formowania kontaktu omowego z wysokodomieszkowaną warstwą podkontaktową n-GaN:O do n-GaN i tranzystorów AlGaN/GaN HEMT
- Kierownik Projektu
- Mgr inż. Monika Masłyk
Numer Projektu: UMO-2013/11/N/ST7/02801
Nanostruktury GaN wytwarzane w procesie selektywnego trawienia ICP, których formowanie inicjowane jest obecnością nanopowłoki tytanowej.
- Kierownik Projektu
- Dr inż. Marek Ekielski
Numer Projektu: N515 025 32/1887
Opracowanie technologii nanostruktur fotonicznych wraz z układami sprzęgającymi optyki zintegrowanej dla zastosowań w technice sensorowej.
- Kierownik Projektu
- Mgr Krystyna Gołaszewska-Malec
Numer Projektu: 0663/B/T02/2008/35
Opracowanie technologii wytwarzania warstw z półprzewodnikowych tlenków metali dla dozymetrii promieniowania gamma i beta w medycynie
- Kierownik Projektu
- Dr hab. inż. Marek Guziewicz
Numer Projektu: 8 T10C 020 14
Półprzewodnikowe detektory bliskiej podczerwieni ze związków na bazie GaSb do zastosowań w spektroskopii chemicznej i medycznej
- Kierownik Projektu
- Dr inż. Tadeusz Tomasz Piotrowski
Numer Projektu: 3 T11B 009 26
Półprzewodnikowe fotoogniwa GaSb/In(Al)GaAsSb do zastosowań w przypadkach termofotowoltaicznych
- Kierownik Projektu
- Dr inż. Tadeusz Tomasz Piotrowski
Numer Projektu: 4 T11B 039 22
Procesy obróbki powierzchni struktur półprzewodnikowych na bazie GaSb i ich zastosowanie w technologii źródeł i detektorów podczerwieni (PROMOTORSKI)
- Kierownik Projektu
- Prof. dr hab. inż. Anna Piotrowska
Numer Projektu: 8 T11B 037 14
Procesy wzrostu w fazie stałej ultracienkich, silnie domieszkowanych warstw półprzewodnikowych a międzypowierzchniowych metal-półprzewodnik III-V i ich wykorzystanie w technologii kontaktów omowych
- Kierownik Projektu
- Prof. dr hab. inż. Anna Piotrowska
Numer Projektu: Lider/030/615/L-5/13/NCBR
Superkondesatory dla przeźroczystej elektroniki oparte na nanokoralowym ZnO
- Kierownik Projektu
- Dr hab. Michał Borysiewicz
Numer Projektu: PBS1/A3/9/2012
Tranzystory mikrofalowe HEMT AlGaN/GaN monokrystalicznych podłożach Gan (Pol-HEMT)
- Kierownik Projektu
- Prof. dr hab. inż. Anna Piotrowska
Numer Projektu: 3 T11B 008 26
Tranzystory polowe AlGaN/GaN nowej generacji dla elektroniki dużej mocy i wysokiej częstotliwości
- Kierownik Projektu
- Dr hab. inż. Eliana Kamińska
Numer Projektu: 7 T11B 009 20
Tworzenie stabilnych termicznie kontaktów omowych do przyrządów półprzewodnikowych dużej mocy/wysokiej temperatury
- Kierownik Projektu
- Prof. dr hab. inż. Anna Piotrowska
Numer Projektu: 8 T11B 052 11
Zastosowanie cienkich warstw azotków i borków metali trudno topliwych w technologii kontaktów omowych na bazie złota do związków półprzewodnikowych III-V
- Kierownik Projektu
- Prof. dr hab. inż. Anna Piotrowska
Numer Projektu: UMO-2015/19/D/ST7/02736
Zastosowanie implantacji jonów w celu domieszkowania oraz wytworzenia obszarów o wysokiej rezystywności na potrzeby tranzystorów HEMT AlGaN/GaN
- Kierownik Projektu
- Dr Karolina Pągowska