Projekty krajowe

Badania mechanizmów tworzenia kontaktów omowych do wysokooporowego CdTe

Kierownik Projektu

Dr hab. inż. Eliana Kamińska

Badania oddziaływań fizykochemicznych w omowych kontaktach metal/półprzewodnik III-V

Kierownik Projektu

Prof. dr hab. inż. Anna Piotrowska

Badania wpływu agregacji barwników i kropek kwantowych na wydajność ogniw fotoelektrochemicznych opartych na nanokoralowym ZnO

Kierownik Projektu

Dr hab. Michał Borysiewicz

Badanie formowania porowatych nanostruktur w cienkich warstwach azotku galu

Kierownik Projektu

Dr hab. Michał Borysiewicz

Charakteryzacja materiałów i struktur na bazie SiC - SIMS, DLTS, I(C)-V

Kierownik Projektu

Prof. dr hab. Adam Barcz

Dyfuzja 3D domieszek w GaN - mechanizm i rola defektów

Kierownik Projektu

Dr Karolina Pągowska

Inżynieria międzypowierzchni SiC/metal i SiC/izolator: procesy wytwarzania, charakteryzacja i zastosowanie w technologii tranzystora MOSFET

Kierownik Projektu

Prof. dr hab. inż. Anna Piotrowska

Mechanizm domieszkowania tlenem cienkich warstw GaN za pomocą rozpylania magnetronowego i analiza formowania kontaktu omowego z wysokodomieszkowaną warstwą podkontaktową n-GaN:O do n-GaN i tranzystorów AlGaN/GaN HEMT

Kierownik Projektu

Mgr inż. Monika Masłyk

Nanostruktury GaN wytwarzane w procesie selektywnego trawienia ICP, których formowanie inicjowane jest obecnością nanopowłoki tytanowej.

Kierownik Projektu

Dr inż. Marek Ekielski

Opracowanie technologii nanostruktur fotonicznych wraz z układami sprzęgającymi optyki zintegrowanej dla zastosowań w technice sensorowej.

Kierownik Projektu

Mgr Krystyna Gołaszewska-Malec

Opracowanie technologii wytwarzania warstw z półprzewodnikowych tlenków metali dla dozymetrii promieniowania gamma i beta w medycynie

Kierownik Projektu

Dr hab. inż. Marek Guziewicz

Półprzewodnikowe detektory bliskiej podczerwieni ze związków na bazie GaSb do zastosowań w spektroskopii chemicznej i medycznej

Kierownik Projektu

Dr inż. Tadeusz Tomasz Piotrowski

Półprzewodnikowe fotoogniwa GaSb/In(Al)GaAsSb do zastosowań w przypadkach termofotowoltaicznych

Kierownik Projektu

Dr inż. Tadeusz Tomasz Piotrowski

Procesy obróbki powierzchni struktur półprzewodnikowych na bazie GaSb i ich zastosowanie w technologii źródeł i detektorów podczerwieni (PROMOTORSKI)

Kierownik Projektu

Prof. dr hab. inż. Anna Piotrowska

Procesy wzrostu w fazie stałej ultracienkich, silnie domieszkowanych warstw półprzewodnikowych a międzypowierzchniowych metal-półprzewodnik III-V i ich wykorzystanie w technologii kontaktów omowych

Kierownik Projektu

Prof. dr hab. inż. Anna Piotrowska

Superkondesatory dla przeźroczystej elektroniki oparte na nanokoralowym ZnO

Kierownik Projektu

Dr hab. Michał Borysiewicz

Tranzystory mikrofalowe HEMT AlGaN/GaN monokrystalicznych podłożach Gan (Pol-HEMT)

Kierownik Projektu

Prof. dr hab. inż. Anna Piotrowska

Tranzystory polowe AlGaN/GaN nowej generacji dla elektroniki dużej mocy i wysokiej częstotliwości

Kierownik Projektu

Dr hab. inż. Eliana Kamińska

Tworzenie stabilnych termicznie kontaktów omowych do przyrządów półprzewodnikowych dużej mocy/wysokiej temperatury

Kierownik Projektu

Prof. dr hab. inż. Anna Piotrowska

Zastosowanie cienkich warstw azotków i borków metali trudno topliwych w technologii kontaktów omowych na bazie złota do związków półprzewodnikowych III-V

Kierownik Projektu

Prof. dr hab. inż. Anna Piotrowska

Zastosowanie implantacji jonów w celu domieszkowania oraz wytworzenia obszarów o wysokiej rezystywności na potrzeby tranzystorów HEMT AlGaN/GaN

Kierownik Projektu

Dr Karolina Pągowska