Infrastruktura

Charakteryzacja jakości międzypowierzchni półprzewodnik-izolator lub powierzchni półprzewodnika na podstawie analizy charakterystyki C(V) kondensatora MOS lub diody Schottky’ego.

Charakteryzacja specyficznych cech powierzchni granicznej półprzewodnik-izolator lub powierzchni półprzewodnika na podstawie analizy wyników pomiarów charakterystyk I(V) oraz C(V,f,T) kondensatora MOS, diody Schottky’ego i innych struktur półprzewodnikowych.

Charakteryzacja jakości międzypowierzchni półprzewodnik-izolator poprzez wyznaczenie rozkładów energetycznych gęstości pułapek powierzchniowych Dit(ET), stałych czasowych t(ET), przekrojów czynnych na wychwyt σ(ET) oraz fluktuacji potencjału powierzchniowego w obszarze bramki σφ(ET) na podstawie analizy charakterystyk C(V) oraz Gp/ω(ω).

Pomiary parametrów elektrycznych struktur przy wykorzystaniu metod elektrycznych i fotoelektrycznych (również przy wykorzystaniu modulowanej wiązki światła).

Realizacja szerokiej gamy pomiarów elektrycznych i fotoelektrycznych wg opracowanych autorskich metod pomiarowych. Pozwala na pomiar wielu parametrów elektrycznych struktur i określenie ich schematów pasmowych.

Pomiary jakości powierzchni granicznych w strukturze MOS poprzez wyznaczenie ich podstawowych parametrów elektrycznych i fizycznych przy pomocy pobudzenia światłem.

Badania optyczne stanu powierzchni materiałów oraz grubości poszczególnych warstw struktur wielowarstwowych

Określanie grubości i właściwości optycznych struktur wielowarstwowych. Badanie przejść elektronowych we wszystkich typach warstw półprzewodnikowych i dielektrycznych. Wyznaczanie szerokości przerwy zabronionej dielektryków high-k.

Pomiary spektroskopowe transmisji i odbicia w nadfiolecie, świetle widzialnym i bliskiej podczerwieni (UV-VIS-NIR) zarówno w roztworze jak i ciele stałym.

Analiza rozkładu i przemieszczenia linii widma Ramana prowadząca m.in. do wyznaczenia rozkładów naprężeń mechanicznych w badanych próbkach oraz identyfikacji niektórych cząstek chemicznych występujących w poszczególnych warstwach struktury.