O nas

Z11_pomiary_small

Bada­nia pro­wa­dzone w zakła­dzie kon­cen­trują się na opra­co­wa­niu nowych metod cha­rak­te­ry­za­cji nano­struk­tur pół­prze­wod­ni­ko­wych i na zaawan­so­wa­nych pomia­rach tych struk­tur pocho­dzą­cych z wła­snych labo­ra­to­riów tech­no­lo­gicz­nych, a także z przo­du­ją­cych zagra­nicz­nych cen­trów ( z USA, Japo­nii, Nie­miec, Fran­cji, Wiel­kiej Bry­ta­nii I Szwe­cji). Opra­co­wu­jemy pod­stawy teo­re­tyczne (modele fizyczne) dla ory­gi­nal­nych metod przy pomocy któ­rych cha­rak­te­ry­zu­jemy nano­struk­tury.
Waż­nym obsza­rem aktyw­no­ści jest bada­nie nie­za­wod­no­ści przy­rzą­dów pół­prze­wod­ni­ko­wych i opra­co­wa­nie struk­tur testo­wych umoż­li­wia­ją­cych pro­gno­zo­wa­nie praw­do­po­do­bień­stwa uszko­dzeń przy­rzą­dów. Obec­nie badane są mikro­fa­lowe przy­rządy HEMT z GaN/AlGaN, foto­de­tek­tory z GaN/AlGaN, przy­rządy zbu­do­wane na pod­ło­żach z super­sie­ciami (lasery QCL i foto­de­tek­tory pod­czer­wieni).
Roz­wi­nięto trzy pod­sta­wowe grupy cha­rak­te­ry­za­cji struk­tur: elek­tryczne, foto­elek­tryczne i optyczne.
Metody elek­tryczne są uży­wane do bada­nia cha­rak­te­ry­styk C(V),I(V), G(V) z dużą roz­dziel­czo­ścią i czu­ło­ścią, ponadto uży­wane jest metoda admi­tan­cyjna spek­tro­sko­pii w.cz.
Metody foto­elek­tryczne uży­wane są przede wszyst­kim do okre­śle­nia para­me­trów struk­tury pasmo­wej przy­rzą­dów, w tym napię­cia pła­skich pasm, róż­nicy poten­cja­łów kon­tak­to­wych, wiel­ko­ści prze­rwy zabro­nio­nej, para­me­trów puła­pek ładunku, a także prze­strzenne roz­kłady tych para­me­trów.
Metody optyczne są oparte o wie­lo­spek­tralną elip­so­me­trię, inter­fe­ro­me­trię, reflek­to­me­trię i spek­tro­sko­pię rama­now­ską. Te metody mię­dzy innymi są uży­wane do okre­śle­nia gru­bo­ści warstw hetro­struk­tury pół­prze­wod­ni­ko­wej, składu che­micz­nego warstw, domiesz­ko­wa­nia i tem­pe­ra­tury przy­rzą­dów znaj­du­ją­cych się pod obcią­że­niem elek­trycz­nym, a także mecha­nicz­nych naprę­żeń w hetero struk­tu­rach i przy­rzą­dach pół­prze­wod­ni­ko­wych.
Wszyst­kie metody cha­rak­te­ry­za­cji są pro­wa­dzone kom­plek­sowo i budo­wana jest baza wie­dzy na temat mecha­ni­zmów uszko­dzeń przy­rzą­dów pół­prze­wod­ni­ko­wych i błę­dów pro­cesu tech­no­lo­gicz­nego.