Publikacje

» 2016

  • P13108: P. Borowicz, P. Janus, P. Grabiec, R. Dobrowolski: “Temperature Distribution in Scanning Thermal Microscopy Tip Investigated with Micro-Raman Spectroscopy”, Microelectronic Engineering, vol.154, (2016).
  • P13126: A. Kuchuk, P. Borowicz, M. Wzorek, M. Borysiewicz, R. Ratajczak, K. Gołaszewska-Malec, E. Kamińska, V.P. Kladko, A. Piotrowska: “Ni-Based Ohmic Contacts to n-Type 4H-SiC: The Formation Mechanism and Thermal Stability”, Advances in Condensed Matter Physics, vol.2016, (2016).
  • P13177: K. Piskorski, M.W. Niemiec, L. Borowicz, H.M. Przewłocki: “Kompleksowa charakteryzacja nowoczesnych struktur nanoelektronicznych przy użyciu Uniwersalnego Systemu Pomiarów Fotoelektrycznych”, Elektronika, vol.LVII, nr.8, (2016).

» wróć

» 2015

  • P13024: P. Borowicz, P. Janus, P. Grabiec, R. Dobrowolski: “Temperature Distribution in Scanning Thermal Microscopy Tip Investigated with Micro-Raman Spectroscopy”, (2015).
  • P13030: K. Król, M. Sochacki, M. Turek, J. Żuk, P. Borowicz, D. Teklińska, P. Konarski, M. Miśnik, A. Domanowska, A. Michalewicz, J. Szmidt: “Influence of Phosphorus Implantation on Electrical Properties of Al/SiO2/4H-SiC MOS Structure”, (2015).

» wróć

» 2014

  • P12757: E. Papis-Polakowska, J. Kaniewski, J. Szade, W. Rzodkiewicz, A. Jasik, J. Jureńczyk, Z. Orman, A. Wawro: “Passivation Studies of GaSb-Based Superlattice Structures”, Thin Solid Films, vol.567, (2014).
  • P12799: A. Taube, M. Kozubal, J. Kaczmarski, M. Juchniewicz, A. Barcz, J. Dyczewski, R. Jakieła, E. Dynowska, M. Borysiewicz, P. Prystawko, J. Jasiński, P. Borowicz, E. Kamińska, A. Piotrowska: “High Resistivity Isolation for AlGaN/GaN HEMT Using Al Double-Implantation”, (2014).
  • P12892: Ł. Gluba, O. Yastrubchak, G. Sęk, W. Rudno-Rudziński, J. Sadowski, M. Kulik, W. Rzodkiewicz, M. Rawski, T. Andrearczyk, J. Misiewicz, T. Wosiński, J. Żuk: “On the Nature of the Mn-Related States in the Band Structure of (Ga,Mn)As Alloys via Probing the E1 and E1+D1 Optical Transitions”, Applied Physics Letters, vol.105, (2014).

» wróć

» 2013

  • P12537: P. Borowicz, B. Nickel: “The Kinetics of Joined Action of Triplet-Triplet Annihilation and First Order Decay of Molecules in T1 State in the Case of Nondominant First-Order Process: The Kinetic Model in the Case of Spatially Periodic Excitation”, Journal of Spectroscopy, vol.2013, (2013).
  • P12639: K. Król, M. Sochacki, M. Turek, J. Żuk, H.M. Przewłocki, T. Gutt, P. Borowicz, M. Guziewicz, J. Szuber, M. Kwoka, P. Kościelniak, J. Szmidt: “Influence of Nitrogen Implantation on Electrical Properties of Al/SiO2/4H-SiC MOS Structure”, Materials Science Forum, vol.740-742, (2013).
  • P12642: P. Borowicz, A. Kuchuk, Z. Adamus, M. Borysiewicz, M. Ekielski, E. Kamińska, A. Piotrowska, M. Latek: “Structure of Carbonic Layer in Ohmic Contacts: Comparison of Silicon Carbide/Carbon and Carbon/Silicide Interfaces”, ISRN Physical Chemistry, vol.2013, (2013).
  • P12643: A. Kuchuk, V.P. Kladko, Z. Adamus, M. Wzorek, M. Borysiewicz, P. Borowicz, A. Barcz, K. Gołaszewska-Malec, A. Piotrowska: “Influence of Carbon Layer on the Properties of Ni-Based Ohmic Contact to n-Type 4H-SiC”, ISRN Electronics, vol.2013, (2013).
  • P12648: M. Kulik, W. Rzodkiewicz, Ł. Gluba, A.P. Kobzev: “Dielectric Function of Native Oxide on Ion-Implanted GaAs”, Acta Physica Polonica A, vol.123, nr.5, (2013).
  • P12649: W. Rzodkiewicz, M. Kulik, A. Panas, A.P. Kobzev: “Nuclear and Optical Analyses of MOS Devices”, Acta Physica Polonica A, vol.123, nr.5, (2013).
  • P12698: P. Borowicz, A. Taube, W. Rzodkiewicz, M. Latek, S. Gierałtowska: “Raman Spectra of High-k Dielectric Layers Investigated with Micro-Raman Spectroscopy Comparison with Silicon Dioxide”, The Scientific World Journal, vol.2013, (2013).
  • P12730: H.M. Przewłocki, T. Gutt, K. Piskorski, P. Borowicz, M. Bakowski: “Properties of Al-SiO2-SiC(3C) Structures with Thermally Grown and PECVD Deposited SiO2 Layers”, (2013).
  • P12768: P. Klata, M. Guziewicz, W. Rzodkiewicz, R. Kruszka, J. Domagała, M. Juchniewicz, W. Słysz: “Charakteryzacja ultracienkich warstw NbN i Nb(Ti)N”, (2013).
  • P12769: P. Borowicz, A. Kuchuk, Z. Adamus, M. Borysiewicz, M. Ekielski, E. Kamińska, A. Piotrowska, M. Latek: “Structural Changes and Migration of Carbon in Nickel-Based Ohmic Contacts on Silicon Carbide. Application of Visible and Deep-Ultraviolet Raman Spectroscopy”, (2013).

» wróć

» 2012

  • P12112: E. Papis-Polakowska, J. Kaniewski, J. Szade, W. Rzodkiewicz, A. Jasik, K. Regiński, A. Wawro: “Study of Interfaces Chemistry in Type-II GaSb/InAs Superlattice Structures”, Thin Solid Films, vol.522, (2012).
  • P12113: E. Papis-Polakowska, J. Kaniewski, J. Szade, W. Rzodkiewicz, A. Jasik, K. Regiński, A. Wawro: “Study of Interfaces Chemistry in Type II GaSb/InAs Superlattices Structures”, Physics Procedia, vol.32, (2012).
  • P12276: T. Gutt, T. Małachowski, H.M. Przewłocki, O. Engstrom, M. Bakowski, R. Esteve: “The Influence of Gate Material, SiO2 Fabrication Method and Gate Edge Effect on Interface Trap Density in 3C-SiC MOS Capacitors”, Materials Science Forum, vol.711, (2012).
  • P12344: T. Gutt, T. Małachowski, H.M. Przewłocki, O. Engstrom, R. Esteve, M. Bakowski: “Investigation of Gate Edge Effect on Interface Trap Density in 3C-SiC MOS Capacitors”, Materials Science and Engineering B, vol.177, (2012).
  • P12366: E. Papis-Polakowska, J. Kaniewski, J. Szade, W. Rzodkiewicz, A. Jasik, K. Regiński, A. Wawro: “Study of Interfaces Chemistry in Type-II GaSb/InAs Superlattice Structures”, Thin Solid Films, vol.522, (2012).
  • P12392: M. Guziewicz, W. Słysz, M. Borysiewicz, R. Kruszka, Z. Sidor, M. Juchniewicz, K. Gołaszewska-Malec, J. Domagała, W. Rzodkiewicz, J. Ratajczak, J. Bar, M. Węgrzecki, R. Sobolewski: “Technology of Ultrathin NbN and NbTiN Films for Superconducting Photodetectors”, Acta Physica Polonica A, vol.120, nr.6-A, (2012).
  • P12422: P. Borowicz, T. Gutt, T. Małachowski, M. Latek: “Visible and Deep Ultraviolet Study of SiC/SiO2 Interface”, Materials Science Forum, vol.711, (2012).
  • P12476: T. Gutt, K. Piskorski, H.M. Przewłocki, P. Borowicz: “Badania właściwości struktur MOS na SiC dla wybranych rozwiązań technologiczno-konstrukcyjnych”, (2012).
  • P12481: P. Borowicz, B. Nickel: “The Kinetics of Joined Action of Triplet-Triplet Annihilation and First-Order Decay of Molecules in the T1 State in the Case of Nondominant First-Order Process”, ISRN Spectroscopy, vol.2012, (2012).
  • P12484: P. Borowicz, Z. Adamus, M. Ekielski, A. Piotrowska, A. Kuchuk, M. Borysiewicz, E. Kamińska, M. Latek: “Badania strukturalne warstw węglowych w kontaktach omowych - porównanie widm ramanowskich obserwowanych od strony warstwy krzemkowej oraz podłoża z węglika krzemu”, (2012).
  • P12509: P. Borowicz, Z. Adamus, M. Ekielski, A. Piotrowska, A. Kuchuk, M. Borysiewicz, E. Kamińska, M. Latek: “Badania strukturalne warstw węglowych w kontaktach omowych - porównanie widm ramanowskich obserwowanych od strony warstwy krzemkowej oraz podłoża z węglika krzemu”, Elektronika, vol.LIII, nr.9, (2012).
  • P12510: T. Gutt, K. Piskorski, H.M. Przewłocki, P. Borowicz: “Badania właściwości struktur MOS na SiC dla wybranych rozwiązań techniczno-konstrukcyjnych”, Elektronika, vol.LIII, nr.9, (2012).
  • P12516: P. Borowicz, M. Latek, W. Rzodkiewicz, A. Łaszcz, A. Czerwiński, J. Ratajczak: “Deep-Ultraviolet Raman Investigation of Silicon Oxide: Thin Film on Silicon Substrate Versus Bulk Material”, Advances in Natural Sciences: Nanoscience and Nanotechnology, vol.3, (2012).
  • P12521: P. Borowicz, A. Kuchuk, Z. Adamus, M. Borysiewicz, M. Ekielski, E. Kamińska, A. Piotrowska, M. Latek: “Visible and Deep-Ultraviolet Raman Spectroscopy as a Tool for Investigation of Structural Changes and Redistribution of Carbon in Ni-Based Ohmic Contacts on Silicon Carbide”, ISRN Nanomaterials, vol.2012, (2012).

» wróć

» 2011

  • P12048: M. Kulik, W. Rzodkiewicz, A. Droździel, K. Pyszniak: “Influence of Ion Beam on Optical Properties of GaAs. Calculation using the Fractional-Derivative-Spectrum Method”, Physica Status Solidi C, vol.8, nr.4, (2011).
  • P12080: M. Sochacki, P. Firek, N. Kwietniewski, J. Szmidt, W. Rzodkiewicz: “Electronic Properties of BaTiO3/4H-SiC Interface”, Materials Science and Engineering B, vol.176, (2011).
  • P12141: A. Taube, S. Gierałtowska, T. Gutt, T. Małachowski, I. Pasternak, T. Wojciechowski, W. Rzodkiewicz, M. Sawicki, A. Piotrowska: “Electronic Properties of Thin HfO2 Films Fabricated by Atomic Layer Deposition on 4H-SiC”, Acta Physica Polonica A, vol.119, nr.5, (2011).
  • P12166: W. Słysz, M. Guziewicz, M. Borysiewicz, J. Domagała, I. Pasternak, K. Hejduk, W. Rzodkiewicz, J. Ratajczak, J. Bar, M. Węgrzecki, P. Grabiec, R. Grodecki, I. Węgrzecka, R. Sobolewski: “Ultrathin NbN Films for Superconducting Single-Photon Detectors”, Acta Physica Polonica A, vol.120, nr.1, (2011).
  • P12190: M. Kulik, J. Żuk, A. Droździel, K. Pyszniak, F.F. Komarov, W. Rzodkiewicz: “RBS-C and Ellipsometric Investigations of Radiation Damage in Hot-Implanted GaAs Layers”, Materials Science and Engineering B, vol.176, (2011).
  • P12207: M. Guziewicz, J. Grochowski, M. Borysiewicz, E. Kamińska, J. Domagała, W. Rzodkiewicz, B. Witkowski, K. Gołaszewska-Malec, R. Kruszka, M. Ekielski, A. Piotrowska: “Electrical and Optical Properties of NiO Films Deposited by Magnetron Sputtering”, Optica Applicata, vol.XLI, nr.2, (2011).
  • P12217: H.M. Przewłocki, T. Gutt, P. Borowicz, K. Piskorski, W. Rzodkiewicz, R. Esteve, M. Bakowski: “Kompleksowa charakteryzacja struktur elektronicznych na podłożach SiC metodami fotoelektrycznymi, elektrycznymi i optycznymi”, (2011).
  • P12249: W. Rzodkiewicz: “Elipsometryczna metoda określania naprężeń mechanicznych w strukturach MOS”, (2011).
  • P12252: P. Borowicz, T. Gutt, T. Małachowski, M. Latek: “Carbonic Inclusions on SiC/SiO2 Interface Investigated with Raman Scattering”, Diamond & Related Materials, vol.20, (2011).
  • P12265: T. Gutt, T. Małachowski, H.M. Przewłocki, O. Engstrom, R. Esteve, M. Bakowski: “Wpływ materiału bramki, metody wytwarzania SiO2 i efektu krawędzi bramki na rozkłady gęstości pułapek powierzchniowych w kondensatorach MOS na 3C-SiC”, (2011).
  • P12267: P. Borowicz, A. Kuchuk, Z. Adamus, M. Borysiewicz, M. Ekielski, E. Kamińska, A. Piotrowska, M. Latek: “Badania strukturalne warstw węglowych w niklowych kontaktach omowych za pomocą widzialnej i nadfioletowej spektroskopii ramanowskiej”, (2011).
  • P12272: M. Kulik, W. Rzodkiewicz, J. Żuk, A.P. Kobzev, M. Mączka: “Optical Spectra of Native Oxide Layers on Al+ Hot Implanted GaAs - SE and RBS/NR Investigations”, (2011).
  • P12273: M. Kulik, W. Rzodkiewicz, Ł. Gluba, J. Żuk, A.P. Kobzev, A. Smolarz, P. Wiczołek, P. Stanicki: “Zastosowanie pochodnych ułamkowych w badaniach własności optycznych półprzewodników”, (2011).
  • P12275: T. Gutt, T. Małachowski, H.M. Przewłocki, O. Engstrom, M. Bakowski, R. Esteve: “Investigation of Gate Edge Effect on Interface Trap Density in 3C-SiC MOS Capacitor”, (2011).
  • P12317: H.M. Przewłocki, T. Gutt, K. Piskorski, W. Rzodkiewicz, P. Borowicz, R. Esteve, M. Bakowski: “Kompleksowa charakteryzacja struktur elektronicznych na podłożach SiC metodami fotoelektrycznymi, elektrycznymi i optycznymi”, Elektronika, vol.LII, nr.9, (2011).
  • P12323: T. Gutt, T. Małachowski, H.M. Przewłocki, O. Engstrom, R. Esteve, M. Bakowski: “Wpływ materiału bramki, metody wytwarzania SiO2 i efektu krawędzi bramki na rozkłady gęstości pułapek powierzchniowych w kondensatorach MOS na 3C-SiC”, Elektronika, vol.LII, nr.9, (2011).
  • P12326: P. Borowicz, A. Kuchuk, Z. Adamus, M. Borysiewicz, M. Ekielski, E. Kamińska, A. Piotrowska, M. Latek: “Badania strukturalne warstw węglowych w niklowych kontaktach omowych za pomocą widzialnej i nadfioletowej spektroskopii ramanowskiej”, Elektronika, vol.LII, nr.9, (2011).
  • P12352: A. Taube, K. Korwin-Mikke, T. Gutt, T. Małachowski, I. Pasternak, M. Wzorek, A. Łaszcz, M. Płuska, W. Rzodkiewicz, A. Piotrowska, S. Gierałtowska, M. Sochacki, R. Mroczyński, E. Dynowska, J. Szmidt: “Wytwarzanie i charakteryzacja cienkich warstw tlenku hafnu dla zastosowań w technologii MOSFET w wegliku krzemu”, Elektronika, vol.LII, nr.9, (2011).
  • P12353: A. Taube, K. Korwin-Mikke, S. Gierałtowska, T. Gutt, T. Małachowski, M. Wzorek, A. Łaszcz, M. Płuska, E. Dynowska, M. Sochacki, R. Mroczyński, I. Pasternak, W. Rzodkiewicz, J. Szmidt, A. Piotrowska: “Wytwarzanie i charakteryzacja cienkich warstw tlenku hafnu dla zastosowań w technologii MOSFET w węgliku krzemu”, (2011).
  • P12410: W. Rzodkiewicz: “Elipsometryczna metoda określania naprężeń mechanicznych w strukturach MOS”, Elektronika, vol.LII, nr.10, (2011).
  • P12411: Ł. Gluba, M. Kulik, W. Rzodkiewicz, J. Żuk, A.P. Kobzev, K. Pyszniak, A. Droździel, M. Turek: “Zastosowanie pochodnych ułamkowych w badaniach optycznych warstw ciała stałego modyfikowanego implantacją jonową”, Elektronika, vol.LII, nr.11, (2011).

» wróć

» 2010

  • P11936: E. Kamińska, A. Piotrowska, I. Pasternak, M. Borysiewicz, M. Ekielski, K. Gołaszewska-Malec, W. Rzodkiewicz, T. Wojciechowski, E. Dynowska, P. Struk, T. Pustelny: “Fabrication, Processing and Characterization of Thin Film ZnO for Integrated Optical Gas Sensors”, (2010).
  • P12012: W. Rzodkiewicz, T. Małachowski: “Control of the Light Power at Different Wavelenghts for Photoelectric Measurements of MOS Structures”, (2010).
  • P12031: T. Małachowski, W. Rzodkiewicz, T. Gutt: “System zarządzania laboratorium jako narzędzie archiwizacji i oceny jakościowej wyników pomiarów”, (2010).
  • P12032: M. Kulik, W. Rzodkiewicz: “Zastosowanie elipsometrii spektralnej w badaniach warstw powierzchniowych ciał stałych”, (2010).
  • P12077: P. Borowicz, T. Gutt, T. Małachowski: “Micro-Raman Study of the Chemical Structure of SiC/SiO2 Interface: Looking for Carbonic Inclusions”, (2010).
  • P12101: P. Borowicz, T. Gutt, T. Małachowski, M. Latek: “Structural Investigation of Silicon Carbide with Micro-Raman Spectroscopy”, Przegląd Elektrotechniczny, vol.86, nr.11, (2010).
  • P12123: T. Małachowski, W. Rzodkiewicz: “System zarządzania laboratorium jako narzędzie archiwizacji i oceny jakościowej wyników pomiarów”, Elektronika, vol.LI, nr.10, (2010).
  • P12135: H.M. Przewłocki, T. Gutt, P. Borowicz, K. Piskorski, W. Rzodkiewicz: “Opracowanie metod charakteryzacji parametrów podłoży SiC i ich powierzchni granicznych z innymi materiałami oraz ich wykorzystanie do badania struktur realizowanych w PBZ”, (2010).
  • P12180: W. Rzodkiewicz, A. Panas: “Spectroscopic Ellipsometry Studies of Elastic and Non-Elastic Strains in Si-SiO2 Systems”, Zeszyty Naukowe Politechniki Poznańskiej - Budowa Maszyn i Zarządzanie Produkcją, vol.14, nr.4, (2010).
  • P12209: P. Borowicz, A. Kuchuk, Z. Adamus, M. Borysiewicz, M. Ekielski, E. Kamińska, A. Piotrowska, M. Latek: “Structural Investigations of Carbonic Layer at the Interface of Ni-Based Ohmic Contact Deposited on Silicon Carbide Substrate”, (2010).

» wróć

» 2009

  • P11670: H. Krzyżanowska, M. Kulik, J. Żuk, W. Rzodkiewicz, A.P. Kobzev, W. Skorupa: “Optical Investigations of Germanium Nanoclusters-rich SiO2 Layers Produced by Ion Beam Synthesis”, Journal of Non-Crystalline Solids, vol.355, nr.24-2, (2009).
  • P11769: N. Kwietniewski, K. Gołaszewska-Malec, T.T. Piotrowski, W. Rzodkiewicz, T. Gutt, M. Sochacki, J. Szmidt, A. Piotrowska: “Oxidation Process of SiC by RTP Technique”, Materials Science Forum, vol.615-617, (2009).
  • P11799: W. Rzodkiewicz, A. Panas: “Application of Spectroscopic Ellipsometry for Investigations of Compaction and Decompaction State in Si-SiO2 Systems”, Journal of Physics: Conference Series, vol.181, (2009).
  • P11805: W. Rzodkiewicz, A. Panas: “Determination of the Analytical Relationship between Refractive Index and Density of SiO2 Layers”, Acta Physica Polonica A, vol.116, (2009).
  • P11818: W. Rzodkiewicz, M. Kulik, E. Papis, A. Szerling: “Optical Analyses of Si and GaAs Semiconductors by Fractional-Derivative-Spectrum Methods”, Acta Physica Polonica A, vol.116, nr.Sup, (2009).
  • P11842: P. Borowicz, T. Gutt, T. Małachowski: “Structural Investigation of Silicon Carbide with Micro-Raman Spectroscopy”, (2009).
  • P11853: K. Wojciechowski, A. Brzozowska, S. Cap, W. Rzodkiewicz, T. Gutberlet: “Adsorption of Azacrown Ethers at Solid-Liquid Interface. Contact Angle and Neutron Reflectivity Study”, Applied Surface Science, vol.256, (2009).
  • P11855: W. Rzodkiewicz, A. Panas: “Spectroscopic Ellipsometry Studies of Elastic and Non-Elastic Strains in Si-SiO2 Systems”, (2009).
  • P11857: W. Rzodkiewicz, T. Małachowski: “The Simple Method of the Light Power Control by the Slit Width at Different Wavelengths for Photoelectric Measurements of MOS Structures”, (2009).
  • P11874: G. Cywiński, R. Kudrawiec, W. Rzodkiewicz, M. Kryśko, E. Litwin-Staszewska, B. Łucznik, J. Misiewicz, C. Skierbiszewski: “Doping-Induced Contrast in the Refractive Index for GaIn/GaN Structures at Telecommunication Wavelengths”, Applied Physics Express, vol.2, nr.11, (2009).
  • P11919: E. Papis, A. Barańska, P. Karbownik, A. Szerling, A. Wójcik-Jedlińska, M. Bugajski, W. Rzodkiewicz, J. Szade, A. Wawro: “(100) GaAs Surface Treatment Prior to Contact Metal Deposition in AlGaAs/GaAs Quantum Cascade Laser Processing”, Optica Applicata, vol.39, nr.4, (2009).
  • P11943: G. Cywiński, R. Kudrawiec, W. Rzodkiewicz, M. Kryśko, E. Litwin-Staszewska, J. Misiewicz, C. Skierbiszewski: “Near IR Refractive Index for GaInN Heavily Doped with Silicon”, Acta Physica Polonica A, vol.116, nr.5, (2009).
  • P11945: L. Borowicz, P. Borowicz, W. Rzodkiewicz: “Analysis of the Experimental Data from MOS Structures in the Case of Large Noise-to-Signal Ratio”, Acta Physica Polonica A, vol.116, nr.Sup, (2009).
  • P11949: W. Rzodkiewicz, M. Kulik, K. Pyszniak, A.P. Kobzev: “The Influence of Ion Impantation on the Optical Parameters - Refraction and Extinction Coefficients of the Oxygen-Enriched Layers Covering GaAs Implanted with Indium Ions”, Acta Physica Polonica A, vol.116, nr.Sup, (2009).
  • P11963: P. Borowicz, L. Borowicz, D. Brzezińska: “Investigation of the Stress in MOS Structures with Micro-Raman Scattering”, Acta Physica Polonica A, vol.116, nr.Sup, (2009).

» wróć

» 2008

  • P11172: W. Rzodkiewicz, L. Borowicz: “Optical Investigations of MOS Structures in the Vicinity of Metal Gate”, (2008).
  • P11180: M. Kulik, W. Rzodkiewicz, J. Żuk, F.F. Komarov: “Badanie wpływu dawki implantowanego indu na funkcję stałej dielektrycznej w implantowanych warstwach GaAs metodą elipsometrii spektralnej”, Przegląd Elektrotechniczny, nr.3, (2008).
  • P11578: L. Borowicz, W. Rzodkiewicz, P. Borowicz, M. Kulik: “Badania właściwości fizycznych warstwy SiO2 pod bramką aluminiową”, Elektronika, nr.11, (2008).
  • P11600: M. Kulik, J. Żuk, W. Rzodkiewicz, K. Pyszniak, A. Droździel, W. Turek, S. Prucnal, M. Sochacki, J. Szmidt: “Badania optyczne politypów 6H-SiC oraz 15R-SiC poddanych wielokrotnej implantacji jonami glinu w podwyższonej temperaturze”, Elektronika, nr.7-8, (2008).
  • P11638: B. Czajka, L. Wachowski, M. Pietrowski, A. Łapiński, W. Rzodkiewicz: “Surface Modification of Iron Power as a Component of High Caloric Mixture”, Central European Journal of Energetic Materials, vol.5, nr.3-4, (2008).
  • P11662: M. Borysiewicz, E. Kamińska, A. Piotrowska, N. Kwietniewski, I. Pasternak, R. Kruszka, M. Guziewicz, W. Rzodkiewicz, M.-A. di Forte-Poisson, S. Delage, H. Lahreche, E. Dynowska: “Surface Passivation of AlGaN/GaN Heterostructures Using ZnO-based Dielectrics and its Application to HEMTs”, (2008).
  • P11690: W. Rzodkiewicz, M. Kulik: “Spectroscopic Ellipsometry Studies of Optical Parameters Changes of Indium-implanted and Annealed GaAs Substrates”, (2008).
  • P11825: J. Zynek, K. Hejduk, K. Klima, M. Możdżonek, A. Stonert, A. Turos, W. Rzodkiewicz: “Azotek krzemu stosowany w technologii planarnych fotodiod wykonanych na bazie InP”, Materiały Elektroniczne, vol.36, nr.4, (2008).

» wróć

» 2007

  • P10070: E. Papis, A. Piotrowska, E. Kamińska, K. Gołaszewska-Malec, R. Kruszka, T.T. Piotrowski, W. Rzodkiewicz, J. Szade, A. Winiarski, A. Wawro: “Sulphur Passivation of GaSb, InGaAsSb and AlGaAsSb Surfaces”, Physica Status Solidi C, vol.4, nr.4, (2007).
  • P10080: W. Rzodkiewicz, L. Borowicz, K. Piskorski: “Application of Ellipsometric and Interference Methods in MOS Structures Investigations”, Institute of Physics: Conference Series, vol.61, (2007).
  • P10081: W. Rzodkiewicz, A. Panas: “Ellipsometric and Raman Spectroscopy Studies of Compaction and Decompaction of Si-SiO2 Systems”, Journal of Telecommunications and Information Technology, nr.3, (2007).
  • P10415: L. Więcław-Solny, A. Kudła, J. Mrowiec-Białoń, A.B. Jarzębski: “Ellipsometric Study of Porosity Distribution in Hybrid Silica-based Sol-gel Films”, Studies in Surface Science and Catalysis, nr.160, (2007).
  • P10736: L. Borowicz, P. Borowicz, W. Rzodkiewicz, K. Piskorski: “Pomiary naprężeń w strukturach MOS metodą interferencyjną i za pomocą elipsometrii spektroskopowej”, Pomiary Automatyka Kontrola, vol.9, nr.53, (2007).

» wróć

» 2006

  • P10151: W. Rzodkiewicz, P. Borowicz, L. Borowicz, A. Kudła: “Investigations of the Local Values of SiO2 Thickness and Refractive Index in the Vicinity of the Gate in MOS Structures”, (2006).

» wróć

» 2005

  • P10157: K. Hejduk, K. Pierściński, W. Rzodkiewicz, J. Muszalski, J. Kaniewski: “Dielectric Coatings for Infrared Detectors”, Optica Applicata, vol.35, nr.3, (2005).
  • P10162: B. Jaroszewicz, K. Domański, D. Tomaszewski, P. Janus, A. Kudła, B. Latecki, A. Kociubiński, M. Nikodem, J. Kątcki, M. Wzorek, J. Marczewski, P. Grabiec: “Application of ION Implantation for Mono-si Piezoresistors Manufacturing in Silicon MEMS Technology”, Vacuum, vol.78, nr.2-4, (2005).
  • P10191: A. Kudła, L. Borowicz: “Pomiary właściwości optycznych cienkich warstw metalicznych w strukturach MOS z wykorzystaniem mikroskopu interferyncyjnego i elipsometru spektroskopowego”, (2005).
  • P10192: A. Kudła, K. Piskorski, H.M. Przewłocki, L. Borowicz, D. Brzezińska: “Fotoelektryczne badania podstawowych parametrów fizycznych struktur MOS z bramkami o niskiej transmisji optycznej”, (2005).
  • P10294: O. Yastrubchak, J. Domagała, T. Wosiński, A. Kudła, K. Regiński: “Anisotropic Strain Relaxation in Lattice-mismatched III-V Epitaxial Layers”, Physica Status Solidi C, vol.2, nr.6, (2005).
  • P10295: W. Rzodkiewicz, A. Kudła, A. Misiuk, B. Surma, J. Bąk-Misiuk: “Structural Characterisation of Self-implanted Si after HT-HP Treatment”, Materials Science and Engineering B, vol.124-125, (2005).
  • P10297: W. Rzodkiewicz, L. Borowicz: “Application of Interferences Methods for Determination of Curvature Radius in MOS Structures”, Optica Applicata, vol.35, nr.3, (2005).
  • P10477: M. Sochacki, R. Łukasiewicz, W. Rzodkiewicz, A. Werbowy, J. Szmidt: “Silicon Dioxide and Silicon Nitride as a Passivation and Edge Termination for 4H-SiC Schottky Diodes”, Diamond & Related Materials, vol.14, (2005).
  • P10528: T. Bieniek, R.B. Beck, A. Jakubowski, A. Kudła: “Formation of Ultrathin Oxide Layers by Low Temperature Oxidation in RF Plasma”, Elektronika, nr.2-3, (2005).
  • P10529: M. Leśko, H.M. Przewłocki: “Investigation of the Influence of Temperature on Electrical Parameters of MOS Devices”, Elektronika, nr.2-3, (2005).
  • P10539: T. Bieniek, R.B. Beck, A. Jakubowski, A. Kudła: “Ultra-shallow Nitrogen Plasma Implantation for Ultra-thin Silicon Oxynitridde (SiOxNy) Layer Formation”, Journal of Telecommunications and Information Technology, vol.1, (2005).
  • P10554: T. Bieniek, R.B. Beck, A. Jakubowski, A. Kudła: “Analiza skutków ultrapłytkiej implantacji jonów azotu w plazmie w. cz. 13.56 MHz”, Elektronika, nr.2-3, (2005).
  • P10566: E. Kamińska, A. Piotrowska, K. Gołaszewska-Malec, R. Łukasiewicz, A. Szczęsny, E. Kowalczyk, P. Jagodziński, M. Guziewicz, A. Kudła, A. Barcz, R. Jakieła: “Thermally Stable Transparent Ru-Si-O Schottky Contacts for n-type GaN and AlGaN”, (2005).
  • P10579: A. Piotrowska, E. Papis, K. Gołaszewska-Malec, R. Łukasiewicz, E. Kamińska, T.T. Piotrowski, R. Kruszka, A. Kudła, J. Rutkowski, J. Szade, A. Winiarski, A. Wawro: “Improved Performance of GaSb-Based MIR Photodetectors through Electrochemical Passivation in Sulphur Containing Solutions”, (2005).
  • P10580: K. Piskorski, A. Kudła, W. Rzodkiewicz, H.M. Przewłocki: “Comparison of the Barrier Height Measurements by the Powell Method with the φMS Measurement Results”, Journal of Telecommunications and Information Technology, nr.1, (2005).
  • P10582: H.M. Przewłocki, A. Kudła, D. Brzezińska, H.Z. Massoud: “Variability of the Local fMS Values Over the Gate Area of MOS Devices ”, Journal of Telecommunications and Information Technology, nr.1, (2005).
  • P10584: W. Rzodkiewicz, A. Kudła, M. Sawicki, H.M. Przewłocki: “Effects of Stress Annealing on the Electrical and the Optical Properties of MOS Devices ”, Journal of Telecommunications and Information Technology, nr.1, (2005).
  • P10593: A. Kudła, H.M. Przewłocki, D. Brzezińska, L. Borowicz: “Photoelectrical Measurements of the Local Values of the Effective Contact Potential Difference in the MOS Structure ”, Journal of Telecommunications and Information Technology, nr.1, (2005).
  • P10594: L. Więcław-Solny, A.B. Jarzębski, J. Mrowiec-Białoń, W. Turek, Z. Ujma, A. Kudła, M. Gibad, J. Żak: “Fabrication of Nafion-and Heteropoly Acid-containing thin Catalytic Films without Failure”, Applied Catalysis A: General, vol.285, (2005).
  • P10596: T. Bieniek, R.B. Beck, A. Jakubowski, A. Kudła: “Wytwarzanie uktarcienkich warstw SiO2 za pomocą niskotemperaturowego utleniania w plaźmie w.cz.”, (2005).
  • P10597: T. Bieniek, R.B. Beck, A. Jakubowski, A. Kudła: “Analiza skutków ultrapłtkiej implantacji jonów azotu w plaźmie w.cz. (13.56 MHz) ”, (2005).
  • P10601: M. Leśko, H.M. Przewłocki: “Badanie wpływu temperatury na parametry elektryczne struktur MOS ”, (2005).
  • P10603: K. Piskorski, A. Kudła, H.M. Przewłocki: “Ocena dokładności metod określania wysokości barier potencjału w strukturach MOS ”, (2005).
  • P10605: W. Rzodkiewicz, A. Kudła, J. Ratajczak, K. Piskorski, A.G. Ulyashin: “Badanie właściwości optycznych i mikrostrukturalnych wodorowego Cz-Si poddanego obróbce HT-HP ”, (2005).
  • P10607: M. Sochacki, R. Łukasiewicz, J. Szmidt, W. Rzodkiewicz, M. Leśko, M. Wiatroszak: “Warstwy termicznego SiO2 i Si3N4 na węgliku krzemu (4H-SiC) dla przyrządów mocy MS i MIS ”, (2005).

» wróć

» 2004

  • P10361: M. Leśko, H.M. Przewłocki: “Badanie zmian napięcia wyprostowanych pasm VFB struktur MOS w funkcji temperatury”, (2004).
  • P10410: A. Kudła, L. Borowicz, H.M. Przewłocki: “A Photoelectric Method to Determine Lateral Distribution of the Effective Contact Potential Difference in MOS Structures”, (2004).
  • P10411: L. Więcław-Solny, A.B. Jarzębski, A. Kudła, J. Markowiec-Białoń: “Cienkie hybrydowe powłoki w właściwościach kwasowych otrzymywane metodą ZOL-ŻEL”, Inżynieria Chemiczna i Procesowa, vol.25, (2004).
  • P10445: B. Surma, A. Misiuk, A. Wnuk, A. Bukowski, W. Rzodkiewicz: “Photoluminescence Studies of Defects Created in Nitrogen-doped Silicon During Annealing under Enhanced Pressure”, Materials Science in Semiconductor Processing, vol.7, nr.4-6, (2004).
  • P10459: K. Piskorski, A. Kudła, H.M. Przewłocki: “Porównanie różnych metod pomiarów wysokości barier potencjału w strukturach MOS”, (2004).
  • P10465: H.M. Przewłocki, A. Kudła, D. Brzezińska, H.Z. Massoud: “Distribution of the Contact-potential Difference Local Values Over the Gate Area of MOS Structures”, Microelectronic Engineering, vol.72, nr.1-4, (2004).
  • P10467: W. Rzodkiewicz, A. Kudła, A. Misiuk, B. Surma, J. Bąk-Misiuk, J. Hartwig, J. Ratajczak: “The Structures Prepared by Implantation of Silicon with Nitrogen and Annealing under High Hydrostatic Pressure”, Materials Science in Semiconductor Processing, vol.7, nr.4-6, (2004).
  • P10476: W. Rzodkiewicz, H.M. Przewłocki: “Określanie naprężeń mechanicznych w strukturach SiO2-Si metodami elipsometrii spektroskopowej”, (2004).
  • P10619: T. Bieniek, R.B. Beck, A. Jakubowski, A. Kudła: “Wytwarzanie ultracienkich warstw SiO2 za pomocą niskotemperaturowego utleniania w plazmie w. cz.”, Elektronika, nr.10, (2004).
  • P10668: A. Kudła, H.M. Przewłocki, L. Borowicz, D. Brzezińska, W. Rzodkiewicz: “Photoelectrical Measurements of the Local Value of the Contact Potential Difference in the Metal-insulator Semiconductor (MIS) Structures”, Thin Solid Films, vol.450, nr.1, (2004).
  • P10669: A. Kudła: “Application of the Genetic Algorithms in Spectroscopic Ellipsometry”, Thin Solid Films, vol.455-456, (2004).
  • P10705: M. Sochacki, R. Łukasiewicz, J. Szmidt, W. Rzodkiewicz, M. Leśko, M. Wiatroszak: “Warstwy termicznego SiO2 i Si3N4 na węgliku krzemu (4H-SiC) do przyrządów mocy MS i MIS”, Elektronika, nr.10, (2004).
  • P10726: H. Wrzesińska, L. Ilka, D. Wawer, K. Hejduk, A. Kudła, M. Bugajski, E. Łusakowska: “Investigation of Indium Tin Oxide (ITO) Films for the VCSEL Laser with Dielectric Bragg Reflectors”, Physica Status Solidi C, vol.1, nr.2, (2004).

» wróć

» 2003

  • P10782: R.B. Beck, M. Giedz, A. Wojtkiewicz, A. Kudła, A. Jakubowski: “PECVD Formation of Ultrathin Silicon Nitride layers for CMOS technology”, Vacuum, vol.70, nr.2-3, (2003).
  • P10848: A. Kudła, H.M. Przewłocki, D. Brzezińska, L. Borowicz: “Photoelectrical Measurements of the Local Values of the Effective Contact Potential Difference in the MOS Structure”, (2003).
  • P10849: A. Kudła: “Application of the Genetic Algorithms in Spectroscopic Ellipsometry”, (2003).
  • P10850: A. Kudła, H.M. Przewłocki, W. Rzodkiewicz, Z. Sawicki: “Application of Spectroscopic Ellipsometry to Determine mechanical Stress in SiO2 on Si Substrates”, (2003).
  • P10851: A. Kudła, E. Papis, W. Rzodkiewicz, A. Wawro, J. Szade, A. Winiarski: “Influence of Solvent in Sulphur Solution on Optical Properties of GaSb Surface”, (2003).
  • P10886: A. Misiuk, W. Jung, B. Surma, A. Kudła, A. Wnuk, G. Gawlik: “Effect of High Temperature-pressure on Silicon Surface Layers in Si:H, He (Si:He) and Si:N”, Physics and Chemistry of Solid State (ukr), vol.4, nr.2, (2003).
  • P10907: K. Piskorski, A. Kudła, H.M. Przewłocki: “Ocena dokładności fotoelektrycznej metody Powella pomiaru wysokości barier w strukturach MOS”, (2003).
  • P10908: K. Piskorski, A. Kudła, W. Rzodkiewicz, H.M. Przewłocki: “Comparison of the Barrier Height Measurements by the Powell Method with the Photoelectric Effective Contact Potential Difference Measurements Results”, (2003).
  • P10910: S. Porębski, P. Machalica, J. Zając, L. Borowicz, A. Kudła, H.M. Przewłocki: “Universal System for Photoelectric Characterization of Semiconductor Structures”, IEE Proceedings - SCI. Measur. and Technology, vol.150, nr.4, (2003).
  • P10912: H.M. Przewłocki, A. Kudła, D. Brzezińska, H.Z. Massoud: “Variability of the Local ФMS values Over the Gate Area of MOS Devices”, (2003).
  • P10913: H.M. Przewłocki, A. Kudła, D. Brzezińska, H.Z. Massoud: “Distribution of the ФMS Factor Local Values Over the Gate Area of MOS Structures”, (2003).
  • P10914: H.M. Przewłocki, A. Kudła, D. Brzezińska, H.Z. Massoud: “Distribution of the ФMS factor Local Values Over the Gate Area of MOS Structures”, (2003).
  • P10920: W. Rzodkiewicz, H.M. Przewłocki: “Effect on the Index of Refraction of SiO2 Layers in MOS Devices”, (2003).
  • P10921: W. Rzodkiewicz, A. Kudła, D. Brzezińska, M. Sawicki, H.M. Przewłocki: “Wpływ wygrzewania w atmosferze azotu na parametry elektryczne i optyczne struktur MOS”, (2003).
  • P10922: W. Rzodkiewicz, A. Kudła, M. Sawicki, H.M. Przewłocki: “The Effects of Stress Annealing on the Electrical and the Optical Properties of MOS Devices”, (2003).
  • P10923: W. Rzodkiewicz, A. Kudła, A. Misiuk, J. Ratajczak, K. Piskorski, A.G. Ulyashin: “Microstructure and Optical Properties of Hydrogenated Cz-silicon Treated at High Temperature-pressure”, (2003).
  • P10937: J. Szmidt, M. Gazicki-Lipman, H. Szymanowski, R. Mazurczyk, A. Werbowy, A. Kudła: “Electrophysical Properties of Thin Germanium/carbon layers Produced on Silicon using Organometallic Radio Frequency Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition Process”, Thin Solid Films, vol.441, (2003).
  • P10965: O. Yastrubchak, J. Bąk-Misiuk, E. Łusakowska, J. Kaniewski, T. Wosiński, A. Shalimov, K. Regiński, A. Kudła: “Strain Release in InGaAs/InxAl1-xAs/InP Heterostructures”, Physica B, vol.340-342, (2003).
  • P11974: H.M. Przewłocki, A. Kudła, D. Brzezińska, L. Borowicz, Z. Sawicki, H.Z. Massoud: “The Lateral Distribution of the Effective Contact Potential Difference over the Gate Area of MOS Structures”, Electron Technology - Internet Journal, vol.35, nr.6, (2003).

» wróć

» 2002

  • P10987: L. Borowicz, A. Kudła, P. Machalica, H. Niemec: “Sources of Ultraviolet Light and Systems for its Shaping for Photoelectrical Investigation of Semiconductor Structures ”, Opto-Electronics Review, vol.10, nr.2, (2002).
  • P11023: E. Kamińska, A. Piotrowska, K. Gołaszewska-Malec, M. Guziewicz, R. Kruszka, A. Kudła, T. Ochalski, A. Barcz, T. Dietl, F. Matsukura, M. Sawicki, A. Wawro: “ Transparent ZnO-Based Ohmic Contact to p-GaN ”, (2002).
  • P11041: A. Kudła, A. Misiuk, A. Panas, J. Bąk-Misiuk: “ Electrical and Structural Properties of Oxygen-Containing Silicon Annealed at 670-720 K under High Stress ”, Advanced Engineering Materials, vol.8, nr.4, (2002).
  • P11042: A. Kudła, W. Rzodkiewicz, E. Papis: “ Investigation of Insulator-semiconductor and Metal-insulator- semiconductor Structures with Spectroscopic Ellipsometry ”, (2002).
  • P11043: A. Kudła, E. Papis, R. Kruszka, E. Kamińska, J. Szade, A. Winiarski, A. Wawro: “ Determination of the Optical Properties of GaSb and GaN Surface ”, (2002).
  • P11093: S. Porębski, P. Machalica, J. Zając, L. Borowicz, B. Młynarski, M. Niemiec, J. Wójcik, G. Zaremba, J. Kern, H.M. Przewłocki, A. Kudła, B. Głuchowski: “ Wielozadaniowy system pomiarów fotoelektrycznych WSBF - Mistrz Techniki Warszawa 2001 ”, (2002).
  • P11098: H.M. Przewłocki, A. Kudła, D. Brzezińska, D. Lis, W. Rzodkiewicz, M. Syryjczyk, Z. Sawicki: “ Department of the MOS System Studies ”, Prace ITE, nr.8-12, (2002).
  • P11099: H.M. Przewłocki, A. Kudła, W. Rzodkiewicz, Z. Sawicki: “ Application of Spectroscopic Ellipsometry to Determine Mechanical Stress in SiO2 on Si Substrates ”, (2002).
  • P11154: P. Machalica, S. Porębski, J. Zając, L. Borowicz, A. Kudła, H.M. Przewłocki: “ Photoelectronic Measurement Methods and the Universal Measurement System for Precise Parameter Determination of Semiconductor Structures. ”, Electron Technology - Internet Journal, vol.34, nr.3, (2002).

» wróć

» 2001

  • P11216: B. Jaroszewicz, W. Słysz, M. Węgrzecki, K. Domański, R. Grodecki, G. Gawlik, H. Wrzesińska, M. Górska, A. Kudła, P. Grabiec: “Investigation of Ion Implantation for Fabrication of p-n Junctions with Modified Silicon Surface for Photovoltaic Devices”, Vacuum, vol.63, (2001).
  • P11250: E. Papis, A. Kudła, T.T. Piotrowski, K. Gołaszewska-Malec, E. Kamińska, A. Piotrowska: “Ellipsometric Investigations of (100) GaSb Surfaces under Chemical Etching and Sulfide Treatment”, Materials Science in Semiconductor Processing, vol.4, (2001).

» wróć

» 2000

  • P11284: A. Misiuk, A. Iller, L. Rebohle, M. Łukaszewicz, A. Kudła: “ Photoluminescence from Pressure-annealed Silicon Dioxide and Nitride Films”, Microelectronics Reliability, vol.40, (2000).
  • P11285: E. Papis, M. Piskorski, A. Piotrowska, E. Kamińska, T.T. Piotrowski, K. Gołaszewska-Malec, W. Jung, A. Kudła, J. Kątcki, J. Adamczewska: “Sulfide Treatment of GaSb Surface: Influence on the LPE Growth of GaAsSb/AlGaAsSb Heterostructures.”, Vacuum, vol.57, nr.2, (2000).

» wróć