» CVD
Reaktor APCVD Pacific Western 2000 do płytek Si 2 do 4 cali
C-10
Osadzanie SiO2, Xox<1200 nm
Reaktor APCVD Pacific Western 5000 do płytek Si 2 do 4 cali
C-9
Osadzanie SiO2, PSG, BSG i BPSG:
Xox<1200nm;
XPSG, <3000nm U/I>2 om
(test dyf.); XBSG<1200nm, U/I>8om (test dyf); XBPSG <1200nm, U/I>0,7 - 1,5om (test dyf)
Urządzenie z 2 reaktorami LPCVD i z 1 rurą do dyfuzji ASM do płytek Si 2-4 cali
C-2
Reaktor do osadzania Si3N4: XSi3N4<200 nm. Reaktor do osadzania a-Si i poli-Si: Xpoli-Si<2µm; Xa-Si<500 nm. Rura do dyfuzji As Ns<1×1020cm-3; xj<20 µm
Urządzenie z 2 reaktorami LPCVD i z 1 rurą do dyfuzji ASM do płytek Si 2-4 cali
C-1
Reaktor do osadzania Si domieszkowanego As: XADS<100nm. Rura do dyfuzji B: Ns<2×1020cm-3, xj<30µm. Reaktor do osadzania domieszkowanego B: XBDS<200nm
» wróć
» Fotolitografia
Automatyczne urządzenie do centrowania i naświetlania płytek
F-3
od 3 do 4 cali
Automatyczne urządzenie do centrowania i naświetlania płytek
F-2
od 3 do 4 cali; CD 3 µm
Automatyczne urządzenie do centrowania i naświetlania płytek
F-1
od 3 do 4 cali
CONVAC (ST-146) - Wirówka do rozwirowywania emulsji
F-10
do 6 cali
Eaton 6000
F-13
Wysokociśnieniowe urządzenie do mycia płytek maksymalny rozmiar 6 cali
EATON track (resist spin-on coating & developing)
F-9
Automatyczne dwutorowe urządzenie do nanoszenia emulsji przez rozwirowywanie (+ suszenie gorąca-zimna płyta). Automatyczne dwutorowe urządzenie do wywoływania i suszenia fotorezystu (natrysk + gorąca-zimna płyta) po jednym torze. Płytki od 3 do 6 cali
EATON track model 6000
F-8
dwutorowe urządzenie do nanoszenia emulsji przez rozwirowywanie (+ suszenie gorąca-zimna płyta). Płytki od 3 do 6 cali
EATON track model 6000
F-7
Automatyczne dwutorowe urządzenie do wywoływania i suszenia fotorezystu (natrysk + gorąca-zimna płyta). Płytki od 3 do 6 cali
GCA WS 8500 - automatyczne urządzenie do krokowego naświetlania i centrowania wzoru
F-19
Płytka 100 mm; CD 0,9 µm
Urządzenie do centrowania i naświetlania płytek KARL SUSS MJB-55
F-5
do 4 cali; CD 3 µm
Urządzenie do dwustronnego centrowania i naświetlania płytek
F-4
do 3 cali
Urządzenie do naświetlania i centrowania
F-20
Płytki do 4 cali; CD 3 µm
Wysokociśnieniowa myjka do masek chromowych ULTRATECH (model 605)
F-11
4 x 4 do 5 x 5 cali
» wróć
» Implantacja
Niskoprądowy implanator jonów Balzers MPB202
I-1
Implantacja niskoprądowa jonów B+, P+ Zakres dawek: 1e11 /cm2 - 1e14 /cm2; Zakres energii 18 – 160 keV; rozmiar płytek: 76 i 100 mm
Średnioprądowy implantator jonów VARIAN CF-3000
I-2
Implantacja średnioprądowa jonów B+, BF2+, Ar+, P+ Zakres dawek: 1e12 /cm2 - 1e16 /cm2; Zakres energii 15 – 190 keV, rozmiar płytek 100 mm
» wróć
» Maski
DWL 200
G-22
Przy konfiguracji dokładnej minimalny wymiar wynosi 0,8µm, głębia ostrości 1,7 µm, maksymalny wymiar płyty 200x200x5mm, typowy czas naświetlania 2,3h; precyzja centrowania 275nm w obu osiach
Przy konfiguracji standardowej minimalny wymiar wynosi 2µm, głębia ostrości 5 µm, maksymalny wymiar płyty 200x200x5mm, typowy czas naświetlania 0,85h; precyzja centrowania 440nm w obu osiach
Przy konfiguracji szybkiej minimalny wymiar wynosi 8µm, głębia ostrości 120 µm, maksymalny wymiar płyty 200x200x5mm, typowy czas naświetlania 0,55h; precyzja centrowania 800nm w obu osiach
Przy konfiguracji standardowej minimalny wymiar wynosi 2µm, głębia ostrości 5 µm, maksymalny wymiar płyty 200x200x5mm, typowy czas naświetlania 0,85h; precyzja centrowania 440nm w obu osiach
Przy konfiguracji szybkiej minimalny wymiar wynosi 8µm, głębia ostrości 120 µm, maksymalny wymiar płyty 200x200x5mm, typowy czas naświetlania 0,55h; precyzja centrowania 800nm w obu osiach
ELEKTROMASK – urządzenie do naświetlania wzoru lub powielania wzoru na maskach
G-1
do 5 cali
LEITZ MVG – 7x7 urządzenie do porównywania masek
G-3
od 3 x 3 do 6 x 6 cali
Stanowisko do wywoływania płyt fotograficznych
G-7
do 5 cali
System pomiarowy Leitz MPV-CD02
G-13
Płytki do 6 cali, dokładność pomiaru do 2nm
TAMARACK (seria142) - Kopiarka stykowa do masek
G-2
3 x 3 do 5 x 5 cali
ULTRATECH (model 605) - wysokociśnieniowa myjka do masek chromowych
G-12
4 do 5 cali
Urządzenie do laserowej korekty masek chromowych QUATRONIX (model 840)
G-17
od 3 do 5 cali
Wirówka do nakładania emulsji Convac ST 146
G-11
Do 4 cali
» wróć
» Obróbka cieplna (processing)
Piec dyfuzyjny
T-4
Rura 10 – niestandardowe procesy termiczne 600-1200°C 02, N2, H2;
Rura 11 - wtapianie 400-500°C N2;
Rura 12 - wtapianie 400-500°C H2
Rura 11 - wtapianie 400-500°C N2;
Rura 12 - wtapianie 400-500°C H2
Piec dyfuzyjny – Rura 7, 8 i 9 Temp= 600-1200°C
T-3
Rura 7 – SiC rura do wygrzewania wysokotemperaturowego O2, N2, H2, Trans-LC;
Rura – 8 utlenianie poimplantacyjne O2, N2, H2;
Rura 9 – przedłużona rura z dodatkową strefą chłodzenia, suche utlenianie, O2, N2
Rura – 8 utlenianie poimplantacyjne O2, N2, H2;
Rura 9 – przedłużona rura z dodatkową strefą chłodzenia, suche utlenianie, O2, N2
Piec dyfuzyjny - Rura 1, 2 i 3 Temp= 600-1150°C
T-1
Rura 1 – utlenianie O2, N2 Trans-LC;
Rura 2 – utlenianie O2, N2, H2, Trans-LC;
Rura 3 – utlenianie O2, N2, H2, HCL
Rura 2 – utlenianie O2, N2, H2, Trans-LC;
Rura 3 – utlenianie O2, N2, H2, HCL
Piec dyfuzyjny - Rura 4, 5 i 6 (Temp= 600-1200°C)
T-2
Rura 4 – dyfuzja boru, O2, N2, H2;
Rura 5 – dyfuzja fosforu, O2, N2, H2;
Rura 6 – domieszkowanie z POCl3, O2, N2, POCl3 T=920-1050°C, U/I=0,1 – 20 Om
Rura 5 – dyfuzja fosforu, O2, N2, H2;
Rura 6 – domieszkowanie z POCl3, O2, N2, POCl3 T=920-1050°C, U/I=0,1 – 20 Om
Stanowisko do mycia
T-12
Mycie zanurzeniowe
Stanowisko do trawienia mokrego
T-13
Trawienie tlenku
Urządzenie do mycia natryskowego FSI TITAN
T-11
RCA, CARO, HF mycie płytek 3 do 6 cali
» wróć
» PVD
Napylarka Balzers BA510
M-4
Au i stopy Au - 0,01 - 0,5µm,
Ag - 0,01 - 0,2µm,
Cr - 0,01 - 0,2µm,
Ti - 0,01 - 0,2µm,
SiO - 0,1 - 0,5µm
Ag - 0,01 - 0,2µm,
Cr - 0,01 - 0,2µm,
Ti - 0,01 - 0,2µm,
SiO - 0,1 - 0,5µm
Napylarka Balzers BAK 550
M-3
Osadzanie cienkich warstw:
Al - 0,2 - 2 µm
Al - 0,2 - 2 µm
Urządzenie do napylania magnetronowego Leybold Z650
M-1
Osadzanie cienkich warstw:
Al, Al:Si:Cu 0,1 - 2 µm,
Ti - 0,05 - 0,5 µm
Al, Al:Si:Cu 0,1 - 2 µm,
Ti - 0,05 - 0,5 µm
» wróć
» Pomiary
Charakterograf Tektronix 576
D-3
Zgrubny pomiar charakterystyk I-V przyrządów półprzewodnikowych
Klatka ekranizująca
D-7
Klatka ekranująca do precyzyjnych pomiarów struktur testowych CMOS i detektorowych; redukuje szumy/zakłócenia oraz zapewnia warunki pomiaru bez dostępu światła
MAP, PROC_ISFETs, MAP_DIO_IV, MOSTXX
D-8
Aplikacje do kwalifikacji i charakteryzacji przyrządów półprzewodnikowych MOS, złączy p-n, przyrządów typu ISFET
Miernik impedancji Keithley 3322 LCZ
D-2
Pomiary indukcyjności L (0.1nH..19.999kH), pojemności C (0.001pF..199.99mF), konduktancji G (0.001uS..199.99S), impedancji Z, współczynnika dobroci Q(0.0001..19999), współczynnika strat D (0.0001..19999) i in.; sygnał pomiarowy: 11 częstotliwości: 100Hz..100kHz; amplituda: 50mV, 1V.
Półautomatyczny prober Elect-2002
D-4
Prober półautomatyczny skonstruowany na bazie probera Electroglas 1034; ładowanie płytek ręczne; stolik: średnica 4'', rozdzielczość przesuwu 5µm; wyposażony w uchwyt kart pomiarowych.
Probery
D-6
Probery: Wentworth MP-950, Signatone S-1007X-6, Signatone S-250-6M, Karl Suss
System pomiarowy Keithley 93 I-V
D-1
Pomiary charakterystyk I-V; zestaw składa się z dwóch źródeł SMU 236 (wymuszenie napięcia: maks.zakres 110V, min.krok 100µV, pomiar napięcia: min.rozdzielczość 100µV; wymuszenie prądu: maks.zakres 100mA, min.krok 100fA, pomiar prądu: min.rozdzielczość 100fA), jednego źródła SMU 237 (wymuszenie napięcia: maks.zakres 1100V, min.krok 100µV, pomiar napięcia: min.rozdzielczość 100µV; wymuszenie prądu: maks.zakres 100mA, min.krok 100fA, pomiar prądu: min.rozdzielczość 100fA), przyrządu sterującego wyzwalaniem 2361, matrycy komutacyjnej 707A z kartą 7072 (8x12) oraz oprogramowania pomiarowego METRICS v.3.5.1
Zestaw pomiarowy do charakteryzacji struktur MEMS
D-5
Określanie i analiza wpływu naprężęń mechanicznych na działanie struktur MEMS; może wpółpracować z kartami akwizycji danych NI i Keithley; precyzyjny piezoaktuator o zakresie przesuwu 90µm i rozdzielczości 2nm; sterowany za pomocą aplikacji LabView.
» wróć
» Trawienie mokre
Mokre trawienie aluminium. Trawienie tlenku CVD (PVX)
E-4
Wanna z regulacją temperatury, wirówka
Mokre trawienie azotku krzemu. Mokre usuwanie emulsji światłoczułej
E-5
Wanna z regulacją temperatury
Trawienie KOH/TMAH
E-11
Dwa reaktory do trawień w wysokich temperaturach
Trawienie mokre polikrzemu, mokre usuwanie emulsji światłoczułej.
E-3
Wanna do trawienia polikrzemu. Wanna do mokrego usuwania emulsji światłoczułej.
Trawienie niestandardowe
E-12
Trawienie tlenku krzemu
E-1
Wanna do trawień w roztworze zimnym i gorącym
» wróć
» Trawienie suche (plazmowe)
Reaktor plazmowy ICP: Adixen AMS 100 I-Speeder
P-6
Głębokie trawienie krzemu, tylko podłoża 4’’
Reaktor plazmowy typu RIE ALCATEL - GIR 260
P-2
Trawienie Si3N4 oraz polikrzemu. System "z kasety do kasety", 2 komory jednopłytkowe, płytki 4-calowe
Reaktor plazmowy typu RIE ALCATEL - GIR 260
P-1
Trawienie SiO2, PSG oraz BOSG. System "z kasety do kasety", dwie komory jednopłytkowe, płytki 4-calowe
Reaktor plazmowy typu RIE PLASMAlab 800 Oxford Plasma Technology
P-3
Trawienie Si3N4, Si, poly-Si, SiO2, PSG, BPSG, Al., AlSiCu, komora 3-płytkowa (4 cale) lub 5 płytkowa (3 cale)
Reaktor tunelowy Oxford Plasma Technology PRS-801
P-4
Usuwanie fotorezystu z powierzchni płytek 2, 3 i 4-calowych
» wróć
