Infrastruktura

» CVD

Reaktor APCVD Pacific Western 2000 do płytek Si 2 do 4 cali

Osadzanie SiO2, Xox<1200 nm

Reaktor APCVD Pacific Western 5000 do płytek Si 2 do 4 cali

Osadzanie SiO2, PSG, BSG i BPSG: Xox<1200nm; XPSG, <3000nm U/I>2 om (test dyf.); XBSG<1200nm, U/I>8om (test dyf); XBPSG <1200nm, U/I>0,7 - 1,5om (test dyf)

Urządzenie z 2 reaktorami LPCVD i z 1 rurą do dyfuzji ASM do płytek Si 2-4 cali

Reaktor do osadzania Si3N4: XSi3N4<200 nm. Reaktor do osadzania a-Si i poli-Si: Xpoli-Si<2µm; Xa-Si<500 nm. Rura do dyfuzji As Ns<1×1020cm-3; xj<20 µm

Urządzenie z 2 reaktorami LPCVD i z 1 rurą do dyfuzji ASM do płytek Si 2-4 cali

Reaktor do osadzania Si domieszkowanego As: XADS<100nm. Rura do dyfuzji B: Ns<2×1020cm-3, xj<30µm. Reaktor do osadzania domieszkowanego B: XBDS<200nm

» wróć

» Fotolitografia

Automatyczne urządzenie do centrowania i naświetlania płytek

od 3 do 4 cali

Automatyczne urządzenie do centrowania i naświetlania płytek

od 3 do 4 cali; CD 3 µm

Automatyczne urządzenie do centrowania i naświetlania płytek

od 3 do 4 cali

CONVAC (ST-146) - Wirówka do rozwirowywania emulsji

do 6 cali

Eaton 6000

Wysokociśnieniowe urządzenie do mycia płytek maksymalny rozmiar 6 cali

EATON track (resist spin-on coating & developing)

Automatyczne dwutorowe urządzenie do nanoszenia emulsji przez rozwirowywanie (+ suszenie gorąca-zimna płyta). Automatyczne dwutorowe urządzenie do wywoływania i suszenia fotorezystu (natrysk + gorąca-zimna płyta) po jednym torze. Płytki od 3 do 6 cali

EATON track model 6000

dwutorowe urządzenie do nanoszenia emulsji przez rozwirowywanie (+ suszenie gorąca-zimna płyta). Płytki od 3 do 6 cali

EATON track model 6000

Automatyczne dwutorowe urządzenie do wywoływania i suszenia fotorezystu (natrysk + gorąca-zimna płyta). Płytki od 3 do 6 cali

GCA WS 8500 - automatyczne urządzenie do krokowego naświetlania i centrowania wzoru

Płytka 100 mm; CD 0,9 µm

Urządzenie do centrowania i naświetlania płytek KARL SUSS MJB-55

do 4 cali; CD 3 µm

Urządzenie do dwustronnego centrowania i naświetlania płytek

do 3 cali

Urządzenie do naświetlania i centrowania

Płytki do 4 cali; CD 3 µm

Wysokociśnieniowa myjka do masek chromowych ULTRATECH (model 605)

4 x 4 do 5 x 5 cali

» wróć

» Implantacja

Niskoprądowy implanator jonów Balzers MPB202

Implantacja niskoprądowa jonów B+, P+ Zakres dawek: 1e11 /cm2 - 1e14 /cm2; Zakres energii 18 – 160 keV; rozmiar płytek: 76 i 100 mm

Średnioprądowy implantator jonów VARIAN CF-3000

Implantacja średnioprądowa jonów B+, BF2+, Ar+, P+ Zakres dawek: 1e12 /cm2 - 1e16 /cm2; Zakres energii 15 – 190 keV, rozmiar płytek 100 mm

» wróć

» Maski

DWL 200

Przy konfiguracji dokładnej minimalny wymiar wynosi 0,8µm, głębia ostrości 1,7 µm, maksymalny wymiar płyty 200x200x5mm, typowy czas naświetlania 2,3h; precyzja centrowania 275nm w obu osiach

Przy konfiguracji standardowej minimalny wymiar wynosi 2µm, głębia ostrości 5 µm, maksymalny wymiar płyty 200x200x5mm, typowy czas naświetlania 0,85h; precyzja centrowania 440nm w obu osiach

Przy konfiguracji szybkiej minimalny wymiar wynosi 8µm, głębia ostrości 120 µm, maksymalny wymiar płyty 200x200x5mm, typowy czas naświetlania 0,55h; precyzja centrowania 800nm w obu osiach

ELEKTROMASK – urządzenie do naświetlania wzoru lub powielania wzoru na maskach

do 5 cali

LEITZ MVG – 7x7 urządzenie do porównywania masek

od 3 x 3 do 6 x 6 cali

Stanowisko do wywoływania płyt fotograficznych

do 5 cali

System pomiarowy Leitz MPV-CD02

Płytki do 6 cali, dokładność pomiaru do 2nm

TAMARACK (seria142) - Kopiarka stykowa do masek

3 x 3 do 5 x 5 cali

ULTRATECH (model 605) - wysokociśnieniowa myjka do masek chromowych

4 do 5 cali

Urządzenie do laserowej korekty masek chromowych QUATRONIX (model 840)

od 3 do 5 cali

Wirówka do nakładania emulsji Convac ST 146

Do 4 cali

» wróć

» Obróbka cieplna (processing)

Piec dyfuzyjny

Rura 10 – niestandardowe procesy termiczne 600-1200°C 02, N2, H2;
Rura 11 - wtapianie 400-500°C N2;
Rura 12 - wtapianie 400-500°C H2

Piec dyfuzyjny – Rura 7, 8 i 9 Temp= 600-1200°C

Rura 7 – SiC rura do wygrzewania wysokotemperaturowego O2, N2, H2, Trans-LC;
Rura – 8 utlenianie poimplantacyjne O2, N2, H2;
Rura 9 – przedłużona rura z dodatkową strefą chłodzenia, suche utlenianie, O2, N2

Piec dyfuzyjny - Rura 1, 2 i 3 Temp= 600-1150°C

Rura 1 – utlenianie O2, N2 Trans-LC;
Rura 2 – utlenianie O2, N2, H2, Trans-LC;
Rura 3 – utlenianie O2, N2, H2, HCL

Piec dyfuzyjny - Rura 4, 5 i 6 (Temp= 600-1200°C)

Rura 4 – dyfuzja boru, O2, N2, H2;
Rura 5 – dyfuzja fosforu, O2, N2, H2;
Rura 6 – domieszkowanie z POCl3, O2, N2, POCl3 T=920-1050°C, U/I=0,1 – 20 Om

Stanowisko do mycia

Mycie zanurzeniowe

Stanowisko do trawienia mokrego

Trawienie tlenku

Urządzenie do mycia natryskowego FSI TITAN

RCA, CARO, HF mycie płytek 3 do 6 cali

» wróć

» PVD

Napylarka Balzers BA510

Au i stopy Au - 0,01 - 0,5µm,
Ag - 0,01 - 0,2µm,
Cr - 0,01 - 0,2µm,
Ti - 0,01 - 0,2µm,
SiO - 0,1 - 0,5µm

Napylarka Balzers BAK 550

Osadzanie cienkich warstw:
Al - 0,2 - 2 µm

Urządzenie do napylania magnetronowego Leybold Z650

Osadzanie cienkich warstw:
Al, Al:Si:Cu 0,1 - 2 µm,
Ti - 0,05 - 0,5 µm

» wróć

» Pomiary

Charakterograf Tektronix 576

Zgrubny pomiar charakterystyk I-V przyrządów półprzewodnikowych

Klatka ekranizująca

Klatka ekranująca do precyzyjnych pomiarów struktur testowych CMOS i detektorowych; redukuje szumy/zakłócenia oraz zapewnia warunki pomiaru bez dostępu światła

MAP, PROC_ISFETs, MAP_DIO_IV, MOSTXX

Aplikacje do kwalifikacji i charakteryzacji przyrządów półprzewodnikowych MOS, złączy p-n, przyrządów typu ISFET

Miernik impedancji Keithley 3322 LCZ

Pomiary indukcyjności L (0.1nH..19.999kH), pojemności C (0.001pF..199.99mF), konduktancji G (0.001uS..199.99S), impedancji Z, współczynnika dobroci Q(0.0001..19999), współczynnika strat D (0.0001..19999) i in.; sygnał pomiarowy: 11 częstotliwości: 100Hz..100kHz; amplituda: 50mV, 1V.

Półautomatyczny prober Elect-2002

Prober półautomatyczny skonstruowany na bazie probera Electroglas 1034; ładowanie płytek ręczne; stolik: średnica 4'', rozdzielczość przesuwu 5µm; wyposażony w uchwyt kart pomiarowych.

Probery

Probery: Wentworth MP-950, Signatone S-1007X-6, Signatone S-250-6M, Karl Suss

System pomiarowy Keithley 93 I-V

Pomiary charakterystyk I-V; zestaw składa się z dwóch źródeł SMU 236 (wymuszenie napięcia: maks.zakres 110V, min.krok 100µV, pomiar napięcia: min.rozdzielczość 100µV; wymuszenie prądu: maks.zakres 100mA, min.krok 100fA, pomiar prądu: min.rozdzielczość 100fA), jednego źródła SMU 237 (wymuszenie napięcia: maks.zakres 1100V, min.krok 100µV, pomiar napięcia: min.rozdzielczość 100µV; wymuszenie prądu: maks.zakres 100mA, min.krok 100fA, pomiar prądu: min.rozdzielczość 100fA), przyrządu sterującego wyzwalaniem 2361, matrycy komutacyjnej 707A z kartą 7072 (8x12) oraz oprogramowania pomiarowego METRICS v.3.5.1

Zestaw pomiarowy do charakteryzacji struktur MEMS

Określanie i analiza wpływu naprężęń mechanicznych na działanie struktur MEMS; może wpółpracować z kartami akwizycji danych NI i Keithley; precyzyjny piezoaktuator o zakresie przesuwu 90µm i rozdzielczości 2nm; sterowany za pomocą aplikacji LabView.

» wróć

» Trawienie mokre

Mokre trawienie aluminium. Trawienie tlenku CVD (PVX)

Wanna z regulacją temperatury, wirówka

Mokre trawienie azotku krzemu. Mokre usuwanie emulsji światłoczułej

Wanna z regulacją temperatury

Trawienie KOH/TMAH

Dwa reaktory do trawień w wysokich temperaturach

Trawienie mokre polikrzemu, mokre usuwanie emulsji światłoczułej.

Wanna do trawienia polikrzemu. Wanna do mokrego usuwania emulsji światłoczułej.

Trawienie niestandardowe


Trawienie tlenku krzemu

Wanna do trawień w roztworze zimnym i gorącym

» wróć

» Trawienie suche (plazmowe)

Reaktor plazmowy ICP: Adixen AMS 100 I-Speeder

Głębokie trawienie krzemu, tylko podłoża 4’’

Reaktor plazmowy typu RIE ALCATEL - GIR 260

Trawienie Si3N4 oraz polikrzemu. System "z kasety do kasety", 2 komory jednopłytkowe, płytki 4-calowe

Reaktor plazmowy typu RIE ALCATEL - GIR 260

Trawienie SiO2, PSG oraz BOSG. System "z kasety do kasety", dwie komory jednopłytkowe, płytki 4-calowe

Reaktor plazmowy typu RIE PLASMAlab 800 Oxford Plasma Technology

Trawienie Si3N4, Si, poly-Si, SiO2, PSG, BPSG, Al., AlSiCu, komora 3-płytkowa (4 cale) lub 5 płytkowa (3 cale)

Reaktor tunelowy Oxford Plasma Technology PRS-801

Usuwanie fotorezystu z powierzchni płytek 2, 3 i 4-calowych

» wróć