⇚ powrót
Wykonanie grubowarstwowych elementów przewodzących i rezystywnych oraz układów hybrydowych na płaskich i cylindrycznych podłożach Al2O3 i na AlN oraz obudów ceramicznych
- elektronicznych układów hybrydowych,
- elementów rezystywnych i przewodzących,
- grzejników w dwóch zakresach temperaturowych do 400°C i do 850°C na podłożach płaskich i cylindrycznych z Al2O3 i AlN oraz na podłożach stalowych emaliowanych,
- wielowarstwowych obudów ceramicznych do przyrządów półprzewodnikowych.
Dysponujemy kompletną linią technologiczną obejmującą: projektowanie układów, projektowanie i wykonanie sit, nadruk i wypał warstw, pomiary kontrolne. Naszą technologię polecamy do nietypowych rozwiązań konstrukcyjnych i wyrobów małoseryjnych. Posiadamy duże możliwości dostosowania do wymagań klienta gabarytów, parametrów elektrycznych i mechanicznych naszych wyrobów.
Podstawowe parametry struktur grubowarstwowych
- zakres rezystancji 0.1Ω do 1 TΩ,
- tolerancja rezystancji ±10%, ±5%, ±1%,
- TWR – standardowo +/-50ppm/K,
- rozdzielczość dla ścieżek przewodzących: 150 µm,
- możliwość wytwarzania struktur wielowarstwowych,