⇚ powrót
Oferta zaawansowanych usług badawczych
Metody fotoelektryczne stosuje się w celu określania barier potencjału na powierzchniach granicznych pomiędzy różnymi materiałami i określania innych podstawowych właściwości elektrycznych struktur nanoelektronicznych. Pozwala to ocenić położenie poziomów energetycznych i wartości potencjałów charakterystycznych, umożliwiając określenie pełnego schematu pasmowego badanej struktury. W badaniach tego typu stosuje się zarówno standardowe metody fotoelektryczne, a także pakiet metod opracowanych w ITE, które pozwalają m.in. na bardzo dokładne określenie wartości efektywnej kontaktowej różnicy potencjałów w systemach MIS. Metody te są także wykorzystywane do mapowania rozkładów parametrów w pewnych obszarach, np. do oceny rozkładu wysokości bariery potencjału na powierzchni bramki.
Elipsometria
Właściwości optyczne różnych materiałów (najczęściej półprzewodników I dielektryków) i struktur nanoelektronicznych określamy metodami elipsometrii spektroskopowej w zakresie próżniowego UV. Określamy charakterystyki spektralne zespolonego współczynnika załamania N(λ) i zespolonej funkcji dielektrycznej ε(λ), gdzie N=n+ik, a ε=ε1+iε2. Określamy także grubości warstw tworzących nanostrukturę. W tym celu stosujemy dwa elipsometry spektroskopowe:
- Próżniowy elipsometr spektroskopowy z modulacją fazy (UVISEL VUV) firmy Horiba Jobin Yvon S.A.S., pracujący w zakresie długości fali światła λ=(142-880) nm, przy stałym kącie padania światła α=70°
- Elipsometr spektroskopowy VASE firmy J.A. Woollam Co. Inc., o zmiennym kącie padania światła α=(15-85)° pracujący w zakresie długości fal światła λ=(250-1700) nm
Kontakt:
H.M. Przewłocki, hmp@ite.waw.pl
K. Piskorski, kpisk@ite.waw.pl
Oferta zaawansowanych usług badawczych
Kompleksowa analiza optyczna i fotoelektryczna próbek
Metody fotoelektryczne stosuje się w celu określania barier potencjału na powierzchniach granicznych pomiędzy różnymi materiałami i określania innych podstawowych właściwości elektrycznych struktur nanoelektronicznych. Pozwala to ocenić położenie poziomów energetycznych i wartości potencjałów charakterystycznych, umożliwiając określenie pełnego schematu pasmowego badanej struktury. W badaniach tego typu stosuje się zarówno standardowe metody fotoelektryczne, a także pakiet metod opracowanych w ITE, które pozwalają m.in. na bardzo dokładne określenie wartości efektywnej kontaktowej różnicy potencjałów w systemach MIS. Metody te są także wykorzystywane do mapowania rozkładów parametrów w pewnych obszarach, np. do oceny rozkładu wysokości bariery potencjału na powierzchni bramki.
Elipsometria
Właściwości optyczne różnych materiałów (najczęściej półprzewodników I dielektryków) i struktur nanoelektronicznych określamy metodami elipsometrii spektroskopowej w zakresie próżniowego UV. Określamy charakterystyki spektralne zespolonego współczynnika załamania N(λ) i zespolonej funkcji dielektrycznej ε(λ), gdzie N=n+ik, a ε=ε1+iε2. Określamy także grubości warstw tworzących nanostrukturę. W tym celu stosujemy dwa elipsometry spektroskopowe:
- Próżniowy elipsometr spektroskopowy z modulacją fazy (UVISEL VUV) firmy Horiba Jobin Yvon S.A.S., pracujący w zakresie długości fali światła λ=(142-880) nm, przy stałym kącie padania światła α=70°
- Elipsometr spektroskopowy VASE firmy J.A. Woollam Co. Inc., o zmiennym kącie padania światła α=(15-85)° pracujący w zakresie długości fal światła λ=(250-1700) nm
Kontakt:
H.M. Przewłocki, hmp@ite.waw.pl
K. Piskorski, kpisk@ite.waw.pl
