Patenty

» 2016

  • Patent: Laser półprzewodnikowy ECL
    B. Mroziewicz Nr patentu: 068715
  • Patent: Dwumodowa heterostruktura lasera półprzewodnikowego pompowanego optycznie
    J. Muszalski, A. Broda, A. Wójcik-Jedlińska, A. Trajnerowicz Nr patentu: 223466
  • Patent: Układ impulsowego zasilacza prądowego
    P. Gutowski, L. Ornoch Nr patentu: 223555
  • Patent: Blok wyjściowy impulsowego zasilacza prądowego
    P. Gutowski, L. Ornoch Nr patentu: 223587
  • Patent: Sposób wytwarzania struktur półprzewodnikowych ze związków trójskładnikowych AIIIBV
    P. Gutowski, J. Kubacka-Traczyk, I. Sankowska Nr patentu: 223957
  • Patent: Sposób wyznaczania składu trójskładnikowych cienkich warstw tworzących jeden period w wielowarstwowych strukturach półprzewodnikowych z materiałów AIIIBV.
    J. Kubacka-Traczyk, I. Sankowska, P. Gutowski Nr patentu: 223990
  • Patent: Sposób kontroli periodyczności w strukturach super sieci II rodzaju InAs/(In)GaSb
    A. Jasik, I. Sankowska, K. Regiński, J. Kubacka-Traczyk Nr patentu: 224283

» wróć

» 2015

  • Patent: Laser półprzewodnikowy z zewnętrzną wnęką optyczną
    B. Mroziewicz Nr patentu:
  • Patent: Sposób pomiaru przestrzennego rozkładu natężenia promieniowania kwantowych laserów kaskadowych oraz urządzenie do pomiaru przestrzennego rozkładu natężenia promieniowania kwantowych laserów kaskadowych.
    K. Regiński, B. Mroziewicz Nr patentu: 220214
  • Patent: Struktura lasera półprzewodnikowego (AlO)
    M. Szymański, H. Teisseyre, A. Kozanecki Nr patentu: 221135
  • Patent: Struktura lasera półprzewodnikowego (GaN)
    M. Szymański, H. Teisseyre, A. Kozanecki Nr patentu: 221156
  • Patent: Wielowarstwowe lustro dyspersyjne oraz laser impulsowy z wielowarstwowym lustrem dyspersyjnym
    P. Wasylczyk, A. Jasik, M. Dems, P. Wnuk, Ł. Zinkiewicz Nr patentu: 221642
  • Patent: Sposób wykonania półprzewodnikowego lustra dyspersyjnego
    A. Jasik, P. Wasylczyk, M. Dems, P. Wnuk, A. Wójcik-Jedlińska, Ł. Zinkiewicz Nr patentu: 222202

» wróć

» 2014

  • Patent: Sposób otrzymywania warstwy absorbującej LT-InGaAs stosowanej w nasycalnych absorberach półprzewodnikowych
    A. Jasik, J. Muszalski, K. Pierściński, M. Kosmala Nr patentu: 217754
  • Patent: Sposób wytwarzania niedomieszkowanej heterostruktury DBR
    A. Jasik, W.K. Wierzchowski, J. Muszalski, J. Gaca, M. Wójcik, K. Pierściński Nr patentu: 217755
  • Patent: Heterostruktura lasera pompowanego optycznie
    J. Muszalski Nr patentu: 218647
  • Patent: Sposób określania temperatury podłoży w procesach epitaksji z wiązek molekularnych związków półprzewodnikowych AIII_BV
    K. Regiński, A. Jasik Nr patentu: 219166
  • Patent: Sposób łączenia półprzewodnikowych struktur laserowych z radiatorami odprowadzającymi ciepło
    P. Karbownik, A. Szerling, A. Wójcik-Jedlińska, K. Kosiel, A. Barańska, E. Pruszyńska-Karbownik, A. Trajnerowicz Nr patentu: 219409
  • Patent: Sposób wytwarzania struktur (Al)Ga(As)Sb/GaSb o lustrzanych atomowo gładkich powierzchniach.
    A. Jasik, K. Regiński Nr patentu: 219949

» wróć

» 2013

  • Patent: Sposób określania składu chemicznego warstw AlGaAsSb
    A. Jasik, J. Kubacka-Traczyk, I. Sankowska, K. Regiński Nr patentu: 216494
  • Patent: Sposób pomiaru przestrzennego rozkładu natężenia promieniowania laserów półprzewodnikowych oraz urządzenie do pomiaru przestrzennego rozkładu natężenia promieniowania laserów półprzewodnikowych.
    B. Mroziewicz Nr patentu: 216594
  • Patent: Sposób pomiaru rozkładu temperatury na powierzchni struktur laserów VECSEL oraz układ do realizacji tego sposobu
    K. Pierściński, D. Pierścińska, M. Bugajski Nr patentu: 217373
  • Patent: Uchwyt
    A. Szerling, P. Karbownik, K. Kosiel, K. Hejduk, M. Bugajski Nr patentu: Ru66661

» wróć

» 2012

  • Patent: Laser półprzewodnikowy z zewnętrzną optyczną wnęką rezonansową
    B. Mroziewicz Nr patentu: 214044
  • Patent: Sposób wytwarzania wielowarstwowej struktury półprzewodnikowej
    E. Papis-Polakowska, A. Piotrowska, E. Kamińska Nr patentu: 214049
  • Patent: Sposób wytwarzania detektora na podłożu GaSb
    E. Papis-Polakowska, A. Piotrowska, E. Kamińska, R. Kruszka Nr patentu: 214050
  • Patent: Sposób pomiaru przestrzennego rozkładu natężenia promieniowania laserów półprzewodnikowych oraz urządzenie do pomiaru przestrzennego rozkładu natężenia promieniowania laserów półprzewodnikowych
    B. Mroziewicz Nr patentu: 214293
  • Patent: Method for reduction of recovery time of SESAM absorbers
    A. Jasik, K. Hejduk, J. Muszalski Nr patentu: EP2253995

» wróć

» 2011

  • Patent: Uchwyt
    A. Szerling, P. Karbownik, K. Kosiel, M. Bugajski Nr patentu: 65962
  • Patent: Uchwyt
    J. Kubacka-Traczyk, I. Sankowska Nr patentu: 66006

» wróć

» 2009

  • Patent: Półprzewodnikowe żródło promieniowania
    B. Mroziewicz Nr patentu: 203261
  • Patent: Sposób wytwarzania struktury detektora cieplno- przewodnościowego
    J. Łysko, J. Jaźwiński, M. Górska, H. Wrzesińska Nr patentu: 204532
  • Patent: Cienkowarstwowy heterozłączowy czujnik pola magnetycznego
    T. Przesławski, A. Wolkenberg Nr patentu: 205355
  • Patent: Sposób wytwarzania powłok optycznych na rezonatorach laserów półprzewodnikowych
    H. Wrzesińska, K. Hejduk, M. Górska, B. Mroziewicz, E. Schab-Balcerzak Nr patentu: 205391

» wróć

» 2008

  • Patent: Sposób modyfikacji naprężeń w strukturach półprzewodnikowych
    J. Adamczewska, J. Bąk-Misiuk, J. Domagała, J. Kaniewski, A. Misiuk, M. Prujszczyk, K. Regiński Nr patentu: 200102
  • Patent: Sposób wykonania mesy heterostruktury związków AIII BV
    M. Górska, H. Wrzesińska, J. Łysko Nr patentu: 200987

» wróć

» 2007

  • Patent: Katarometr krzemowy
    J. Łysko, Z. Gniazdowski, P. Kowalski, J. Jaźwiński, B. Latecki, J. Koszur Nr patentu: 197079

» wróć

» 2006

  • Patent: Sposób wytwarzania diody Schottky'ego z kontaktami belkowymi
    W. Jabłoński, H. Wrzesińska, M. Górska Nr patentu: 192581
  • Patent: Sposób selektywnego wytwarzania warstw szklanych na podłozach półprzewodnikowych
    M. Górska, W. Jabłoński, H. Wrzesińska Nr patentu: 194023

» wróć

» 2005

  • Patent: Odbiornik ciepła
    B. Mroziewicz Nr patentu: 190264
  • Patent: Obudowa lasera półprzewodnikowego
    B. Mroziewicz Nr patentu: Ru62363

» wróć

» 2003

  • Patent: Sposób wytwarzania quasi-kołowej siatki dyfrakcyjnej
    B. Mroziewicz Nr patentu: 187365

» wróć

» 1999

  • Patent: Laser półprzewodnikowy z poziomą wnęką optyczną emitujący powierzchniowo
    B. Mroziewicz Nr patentu: 176430
  • Patent: Laser półprzewodnikowy z koncentrycznym reflektorem Bragga scalony monolitycznie ze wzmacniaczem
    B. Mroziewicz Nr patentu: 176436

» wróć

» 1998

  • Patent: Półprzewodnikowy laser szerokokontaktowy ze zwierciadłem o modulowanm współczynniku odbicia i sposób wytwarzania półprzewodnikowego lasera szerokokontaktowego ze zwierciadłem o modulowanym współczynniku odbicia
    B. Mroziewicz Nr patentu: 175434

» wróć