Patenty

» 2017

  • Patent: Sposób wytwarzania przezroczystego tranzystora MESFET
    J. Kaczmarski, J. Grochowski, E. Kamińska Nr patentu: 225166

» wróć

» 2016

  • Patent: Sposób wykonania wzorów trójwymiarowych dla technologii przyrządów półprzewodnikowych
    M. Ekielski, Z. Sidor, M. Juchniewicz Nr patentu: 222706
  • Patent: Dwumodowa heterostruktura lasera półprzewodnikowego pompowanego optycznie
    J. Muszalski, A. Broda, A. Wójcik-Jedlińska, A. Trajnerowicz Nr patentu: 223466
  • Patent: Sposób wytwarzania porowatej wysokorezystywnej warstwy ZnO na elastycznym podłożu.
    M. Borysiewicz Nr patentu: 223495

» wróć

» 2015

  • Patent: Sposób wytwarzania tranzystora HEMT
    M. Ekielski, Z. Sidor, M. Juchniewicz Nr patentu: 220518

» wróć

» 2014

  • Patent: Struktura półprzewodnikowa na bazie ZnO z barierą Schottkyego
    E. Kamińska, A. Piotrowska Nr patentu: 218054
  • Patent: Sposób wykrywania napromieniowania neutronami krzemu
    W. Jung, A. Misiuk, J. Bąk-Misiuk, B. Surma, C.A. Londos Nr patentu: 218404
  • Patent: Struktura półprzewodnikowa z reaktywną barierą antykorozyjną oraz sposób wytwarzania bariery antykorozyjnej
    E. Kamińska, A. Piotrowska, M. Borysiewicz, I. Pasternak Nr patentu: 219258
  • Patent: Target do wytwarzania przezroczystych warstw półprzewodnikowych ZnIrSiO oraz sposób wytwarzania targetu
    E. Kamińska, A. Piotrowska Nr patentu: 219259
  • Patent: Metalizacja do półprzewodnikowych materiałów termoelektrycznych na bazie PbTe oraz sposób wykonania tej metalizacji
    M. Guziewicz, E. Kamińska Nr patentu: 219371
  • Patent: Sposób łączenia półprzewodnikowych struktur laserowych z radiatorami odprowadzającymi ciepło
    P. Karbownik, A. Szerling, A. Wójcik-Jedlińska, K. Kosiel, A. Barańska, E. Pruszyńska-Karbownik, A. Trajnerowicz Nr patentu: 219409
  • Patent: Sposób wytwarzania porowatej wysokorezystywnej warstwy półprzewodnikowej
    M. Borysiewicz Nr patentu: 219523
  • Patent: Nanokrystaliczna warstwa ZnIrSiO oraz sposób wytwarzania tej warstwy
    E. Kamińska, A. Piotrowska, J. Grochowski Nr patentu: 219948
  • Patent: Sposób wytwarzania nanosłupków GaN
    M. Ekielski Nr patentu: 219980

» wróć

» 2013

  • Patent: Sposób wytwarzania półprzewodnikowej warstwy tlenku cynku
    E. Kamińska, A. Piotrowska, J. Kossut Nr patentu: 215571
  • Patent: Źródło modulowanego promieniowania podczerwonego oraz matryca źródeł promieniowania podczerwonego
    R. Grodecki, W. Jung, T. Piotrowski, J. Pułtorak, S. Sikorski, M. Węgrzecki Nr patentu: 216729
  • Patent: Sposób wykrywania napromieniowania krzemu elektronami
    J. Bąk-Misiuk, J. Felba, W. Jung, I.E. Megeła, A. Misiuk, M. Prujszczyk, B. Surma Nr patentu: 216858
  • Patent: Uchwyt
    A. Szerling, P. Karbownik, K. Kosiel, K. Hejduk, M. Bugajski Nr patentu: Ru66661

» wróć

» 2012

  • Patent: Przezroczysty kontakt omowy i sposób wytwarzania przezroczystego kontaktu omowego
    K. Gołaszewska-Malec, E. Kamińska, A. Piotrowska, R. Kruszka Nr patentu: 213852
  • Patent: Sposób pasywacji powierzchni tranzystorów polowych
    E. Kamińska, A. Piotrowska Nr patentu: 214047
  • Patent: Sposób wytwarzania wielowarstwowej struktury półprzewodnikowej
    E. Papis-Polakowska, A. Piotrowska, E. Kamińska Nr patentu: 214049
  • Patent: Sposób wytwarzania detektora na podłożu GaSb
    E. Papis-Polakowska, A. Piotrowska, E. Kamińska, R. Kruszka Nr patentu: 214050

» wróć

» 2011

  • Patent: Sposób wytwarzania warstwy typu n w płytce krzemowej typu p
    W. Jung, A. Misiuk, I.V. Antonova Nr patentu: 210683
  • Patent: Sposób otrzymywania półprzewodnikowej warstwy tlenku cynku typu p
    E. Kamińska, A. Piotrowska, I. Pasternak Nr patentu: 210944
  • Patent: Sposób plazmowego trawienia mes i kształtowania wzorów w strukturach półprzewodnikowych związków AIII BV oraz maska do tego trawienia
    R. Kruszka, M. Guziewicz Nr patentu: 211639
  • Patent: Uchwyt
    A. Szerling, P. Karbownik, K. Kosiel, M. Bugajski Nr patentu: 65962

» wróć

» 2010

  • Patent: Emiter wodoru na bazie monokrystalicznej struktury krzemowej oraz sposób wytwarzania emitera wodoru na bazie monokrystalicznej struktury krzemowej
    A. Misiuk, A. Barcz, M. Prujszczyk Nr patentu: 206857

» wróć

» 2009

  • Patent: Sonda do badania własności fizycznych materiałów półprzewodnikowych
    W. Jung Nr patentu: 201930

» wróć

» 2008

  • Patent: Sposób wytwarzania przezroczystej warstwy przewodzącej typu p w przyrządach półprzewodnikowych
    E. Kamińska, A. Piotrowska Nr patentu: 200058
  • Patent: Urządzenie do mocowania linijek z półprzewodnikowymi strukturami laserowymi
    I. Wójcik Nr patentu: 200074
  • Patent: Sposób wytwarzania optoelektronicznej wielowarstwowej struktury półprzewodnikowej
    M. Piskorski Nr patentu: 200077

» wróć

» 2007

  • Patent: Sposób wytwarzania wielowarstwowej struktury półprzewodnikowej
    M. Piskorski Nr patentu: 198374

» wróć

» 2006

  • Patent: Sposób nakładania na podłoże półprzewodnikowe warstw elektrycznie przewodzących z szścioborku lantanu
    I. Wójcik Nr patentu: 193656
  • Patent: Sposób wytwarzania kontaktów omowych
    E. Kamińska, A. Piotrowska Nr patentu: 194171

» wróć

» 2004

  • Patent: Sposób wytwarzania warstwy typu p w płytce krzemowej typu n.
    W. Jung, I.V. Antonova, A. Misiuk Nr patentu: 187386

» wróć

» 2001

  • Patent: Sposób wytwarzania kontaktów omowych w przrządzie półprzewodnikowym
    E. Kamińska, A. Piotrowska Nr patentu: 182367
  • Patent: Sposób wytwarzania kontaktu omowego w źródłach promieniowania z półprzewodników AIII BV
    A. Piotrowska, E. Kamińska Nr patentu: 182430

» wróć

» 2000

  • Patent: Sposób wygrzewania arsenku galu i związków pokrewnych
    A. Barcz Nr patentu: 179028
  • Patent: Sposób łączenia struktur półprzewodnikowych z obwodami drukowanymi dużej i średniej mocy
    A. Szczęsny Nr patentu: 180957

» wróć

» 1999

  • Patent: Sposób przyspieszonej zmiany rezystywności monokrystalicznego krzemu otrzymanego metodą Czochralskiego
    W. Jung, A. Misiuk Nr patentu: 176441

» wróć