Instytut Technologii Elektronowej
hbar
Kliknij, aby otrzymac polska wersje językowa Click here for English Language O Instytucie Organizacja i dzialalnosc Projekty Europejskie Fundusze strukturalne Zamowienia_Publiczne Tu znajdziesz numer telefonu i adres poczty elektronicznej osoby, której szukasz Biuletyn Informacji Publicznej ISO 9001
hbar
   
O Instytucie
Informacja_ogolna
Historia Instytutu
Nagrody
Osiagniecia
Oferta
Materiały promocyjne
Biblioteka
Lokalizacja

KONFERENCJE


PROJEKTY
Logo Pol-HEMT Logo Pol-HEMT
MNSDIAG InTechFun
Centrum Nanofotoniki
Smart Frame
NANOHEAT Logo
MINTE Logo

ITE jest członkiem:
WIADOMOŚCI
Zaproszenie na wykłady Studium Doktoranckiego ITE 2015-03-03
Informujemy że 9 i 16 marca b.r. o godz. 09:00 w sali konferencyjnej ITE (bud. VI, sala 120, Al. Lotników 32/46) Prof. dr hab. Jacek Baranowski (Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych) wygłosi następujące wykłady:
09.03.2015r.
Grafen...wielkie nadzieje...

16.03.2015 r.
Epitaksjalny grafen na SiC oraz inne materiały 2D.

Wykłady odbędą się w ramach serii wykładów Studium Doktoranckiego ITE zatytułowanej "Wybrane Problemy Współczesnej Elektroniki"
Nowy Dyrektor Instytutu Technologii Elektronowej 2015-03-01
Informujemy, że od dnia 1 marca 2015 roku Dyrektorem Instytutu Technologii Elektronowej jest Pani Prof. dr hab. inż. Anna PIOTROWSKA, powołana na tę funkcję przez Ministra Gospodarki.

Powodzenia Pani Profesor!

Pan mgr inż. Zbigniew POZNAŃSKI, który był Dyrektorem Naszego Instytutu od 2010 roku, zakończył swoją pięcioletnią kadencję 28 lutego 2015 roku. Serdecznie dziękujemy.

NOWE OSIĄGNIĘCIA PRACOWNIKÓW ITE: Sensor gazów toksycznych oparty na zjawisku fotonapięcia powierzchniowego 2015-02-13
W ramach koordynowanego przez ITE projektu InTechFun w Instytucie Elektroniki Politechniki Śląskiej w Gliwicach, we współpracy z firmą SemiInstruments w Zabrzu opracowano konstrukcję nowego typu sensora gazów toksycznych opartego na rejestracji efektu fotonapięcia powierzchniowego na bazie kontaktowej różnicy potencjałów w wersji tzw. odwrotnej sondy Kelvina. W zaproponowanej konstrukcji sensorową warstwą aktywną stanowi opracowana w Instytucie Technologii Elektronowej nanokoralowa warstwa ZnO. Twórcami osiągnięcia z ITE są dr Michał Borysiewicz i prof. Anna Piotrowska.

O innych osiągnięciach pracowników ITE można przeczytać na stronie Osiągnięcia.

NOWE OSIĄGNIĘCIA PRACOWNIKÓW ITE: Przezroczyste tranzystory MESFET na podłożach elastycznych 2015-02-12
W ramach projektu InTechFun opracowano technologię przezroczystych tranzystorów MESFET wytwarzanych na elastycznych podłożach. Przyrządy wykonano na podłożu politereftalanu etylenu (PET). Warstwę aktywną stanowi In-Ga-Zn-O (IGZO)- materiał z grupy przezroczystych amorficznych półprzewodników tlenkowych. Kontakty źródła i drenu wytworzono z tlenku indowo-cynowego. Elektrodę bramki tranzystora tworzącą złącze Schottky’ego do IGZO wykonano z amorficznego tlenku rutenowo-krzemowego. Twórcami osiągnięcia są pracownicy ITE: mgr inż. J. Kaczmarski, mgr inż.J. Grochowski, prof. E. Kamińska, mgr inż. A. Taube, prof. A. Piotrowska.

O innych osiągnięciach pracowników ITE można przeczytać na stronie Osiągnięcia.

KONKURS NA STANOWISKO ADIUNKTA 2015-02-05
Dyrektor Instytutu Technologii Elektronowej w Warszawie ogłasza konkurs na stanowisko Adiunkta w Zakładzie Mikroelektroniki (Oddział Zamiejscowy ITE w Krakowie)

Treść ogłoszenia

Komunikat Komisji Konkursowej 2015-02-03
ITEInformacja o przebiegu konkursu na stanowisko Dyrektora ITE

Treść komunikatu

Publikacja z udziałem Macieja Węgrzeckiego wśród 'Top Ten Physics News Stories in 2014' 2015-01-16
Miło nam poinformować, że publikacja w Physical Review Letters vol. 112, 172501 pt. "48Ca+249Ba Fusion Reaction Leading to Element Z=117: Long-Lived α-Decaying 270Db and Discovery of 266Lr" z udziałem Macieja Węgrzeckiego z Naszego Instytutu znalazła się wśród "Top Ten Physics News Stories in 2014" - listy tworzonej corocznie przez American Physical Society. Gratulujemy.

Do odkrycia pierwiastka 117 (Ununseptium) wykorzystano detektory opracowane i wykonane w Instytucie Technologii Elektronowej.

Archiwum wiadomości
Kwiecień 2015
Pon Wto Śro Czw Pią Sob Nie
12345
6789101112
13141516171819
20212223242526
27282930
Imieniny: Grażyna, Zbigniew, Teodor - Prima aprilis

ZAKŁADY NAUKOWE
PARTNERZY
LOGO LOGO LOGO LOGO LOGO LOGO