⇚ powrót
Zakład Badań Materiałów i Struktur Półprzewodnikowych specjalizuje się w strukturalnych, optycznych i elektrycznych metodach charakteryzacji.
W zakresie pomiarów fotowoltaicznych i pomiarów czasu życia nośników oferujemy:
Pomiar rozkładu czułości fotowoltaicznej struktur złączowych. Przykładowy rozkład oraz histo- gram dla struktury ogniwa wytworzonego na multikrystalicznym krzemie pokazano powyżej.
Pomiar objętościowego efektu fotowoltaicznego na krzemowych płytkach wejściowych dla oceny jednorodności rozkładu rezystywności. Możliwość pomiaru obiektu o wymiarach 10 x 10 cm.
Pomiar efektywnego czasu życia nośników ładunku metodą mikrofalowej detekcji zaniku foto- przewodnictwa wywołanego impulsem laserowym. Rozdzielczość czasowa i przestrzenna odpowiednio 1μs i 1 mm. Maksymalny rozmiar mierzonej struktury w przypadku mapowania: 5 x 5 cm. Minimalny rozmiar struktury dla pomiarów punktowych: 10 x 10 mm.
Przykładowe wyniki mapowania czasu życia na krzemowych płytkach półprzewodnikowych pokazano poniżej: po lewej dla płytki multikrystalicznej przed procesami oraz po prawej dla płytki mono- krystalicznej po nałożeniu warstwy Si3N4
WYNIKI: Dostarczany jest raport specjalisty ze zdjęciami, mapami, wynikami pomiarów i opisem.
OPIS METOD: S. Sikorski, T. Piotrowski, Progress in Quantum Electronics 27 (2003) 295; S. Sikorski, T. Piotrowski, W Jung, Materials Science in Semiconductor Processing 4 (2001) 285; T. Piotrowski, S. Sikorski, Electron Technology 28 (1995) 171
KONTAKT: Tadeusz Piotrowski piotrows@ite.waw.pl
Pomiary fotowoltaiczne oraz czasu życia nośników
W zakresie pomiarów fotowoltaicznych i pomiarów czasu życia nośników oferujemy:
Pomiar rozkładu czułości fotowoltaicznej struktur złączowych. Przykładowy rozkład oraz histo- gram dla struktury ogniwa wytworzonego na multikrystalicznym krzemie pokazano powyżej.
Pomiar objętościowego efektu fotowoltaicznego na krzemowych płytkach wejściowych dla oceny jednorodności rozkładu rezystywności. Możliwość pomiaru obiektu o wymiarach 10 x 10 cm.
Pomiar efektywnego czasu życia nośników ładunku metodą mikrofalowej detekcji zaniku foto- przewodnictwa wywołanego impulsem laserowym. Rozdzielczość czasowa i przestrzenna odpowiednio 1μs i 1 mm. Maksymalny rozmiar mierzonej struktury w przypadku mapowania: 5 x 5 cm. Minimalny rozmiar struktury dla pomiarów punktowych: 10 x 10 mm.
Przykładowe wyniki mapowania czasu życia na krzemowych płytkach półprzewodnikowych pokazano poniżej: po lewej dla płytki multikrystalicznej przed procesami oraz po prawej dla płytki mono- krystalicznej po nałożeniu warstwy Si3N4
WYNIKI: Dostarczany jest raport specjalisty ze zdjęciami, mapami, wynikami pomiarów i opisem.
OPIS METOD: S. Sikorski, T. Piotrowski, Progress in Quantum Electronics 27 (2003) 295; S. Sikorski, T. Piotrowski, W Jung, Materials Science in Semiconductor Processing 4 (2001) 285; T. Piotrowski, S. Sikorski, Electron Technology 28 (1995) 171
KONTAKT: Tadeusz Piotrowski piotrows@ite.waw.pl
